技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體器件和封裝半導(dǎo)體管芯的方法。半導(dǎo)體器件具有半導(dǎo)體晶片。半導(dǎo)體晶片包括多個半導(dǎo)體管芯。絕緣層形成在半導(dǎo)體管芯的有源表面之上。溝槽形成在半導(dǎo)體管芯之間的半導(dǎo)體晶片的非有源區(qū)域中。溝槽部分地延伸通過半導(dǎo)體晶片。提供具有粘合層的載體。同時作為單個單元而將半導(dǎo)體管芯設(shè)置在粘合層和載體之上。執(zhí)行背面研磨操作以去除半導(dǎo)體晶片的部分并且暴露溝槽。粘合層在背面研磨操作期間將半導(dǎo)體管芯保持在適當(dāng)位置。將密封劑沉積在半導(dǎo)體管芯之上以及沉積到溝槽中。去除載體和粘合層。對經(jīng)封裝的半導(dǎo)體管芯清洗并且將經(jīng)封裝的半導(dǎo)體管芯單體化成個體半導(dǎo)體器件。測試半導(dǎo)體器件的電氣性能和功能性。

技術(shù)研發(fā)人員：S.金努薩米
受保護(hù)的技術(shù)使用者：商升特公司
文檔號碼：201610402516
技術(shù)研發(fā)日：2016.06.08
技術(shù)公布日：2017.02.15