本公開(kāi)的示例實(shí)施例總體上涉及有機(jī)發(fā)光顯示(oled)裝置，更具體地，涉及包括反射區(qū)域的oled裝置。

背景技術(shù)：

與陰極射線管(crt)顯示裝置相比，平板顯示(fpd)裝置由于其重量輕并且纖薄而被廣泛地用作電子設(shè)備的顯示裝置。fpd裝置的典型示例為液晶顯示(lcd)裝置和有機(jī)發(fā)光顯示(oled)裝置。與lcd裝置相比，oled裝置具有諸如更高亮度和更寬視角的多項(xiàng)優(yōu)勢(shì)。另外，因?yàn)閛led裝置不需要背光，所以oled裝置可以制造得更纖薄。在oled裝置中，電子和空穴通過(guò)陰極和陽(yáng)極注入有機(jī)薄層中，然后在有機(jī)薄層中復(fù)合以產(chǎn)生激子，從而發(fā)射特定波長(zhǎng)的光。

近來(lái)，已經(jīng)研制出了包括像素區(qū)域和反射區(qū)域的鏡面oled裝置。鏡面oled裝置能夠通過(guò)反射區(qū)域反射位于該oled裝置前面的物體(或目標(biāo))的圖像。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本公開(kāi)的一些示例實(shí)施例提供了一種能夠反射位于oled裝置前面的物體的圖像的有機(jī)發(fā)光顯示(oled)裝置。

根據(jù)示例實(shí)施例的一些方面，oled裝置包括基底、反射結(jié)構(gòu)和子像素結(jié)構(gòu)?；装ǘ鄠€(gè)子像素區(qū)域和圍繞所述多個(gè)子像素區(qū)域的反射區(qū)域。反射結(jié)構(gòu)在反射區(qū)域中設(shè)置在基底上并具有暴露所述多個(gè)子像素區(qū)域的多個(gè)開(kāi)口。反射結(jié)構(gòu)包括第一反射圖案、第二反射圖案和連接圖案。第一反射圖案沿與基底的上表面平行的第一方向延伸，并且沿與第一方向垂直的第二方向彼此間隔開(kāi)。第二反射圖案在第一反射圖案中的兩個(gè)相鄰的第一反射圖案之間沿第一方向彼此間隔開(kāi)。連接圖案將第二反射圖案中在第二方向上的兩個(gè)相鄰的第二反射圖案電連接。子像素結(jié)構(gòu)在所述多個(gè)子像素區(qū)域中的每個(gè)中設(shè)置在基底上。

在示例實(shí)施例中，反射結(jié)構(gòu)設(shè)置在基底與子像素結(jié)構(gòu)之間。

在示例實(shí)施例中，第一反射圖案可以被構(gòu)造為從外部裝置接收第一觸摸感測(cè)電壓，第二反射圖案可以被構(gòu)造為從外部裝置接收第二觸摸感測(cè)電壓。外部裝置可以檢測(cè)第一反射圖案與第二反射圖案之間電容的變化。

在示例實(shí)施例中，第一反射圖案中的每個(gè)可以具有平面的條形形狀，并可以沿第二方向規(guī)則地布置。第二反射圖案中的每個(gè)可以具有島形狀，并可以沿第一方向規(guī)則地布置。第一反射圖案和第二反射圖案可以彼此間隔開(kāi)。

在示例實(shí)施例中，第一反射圖案和第二反射圖案中的每個(gè)可以具有包括所述多個(gè)開(kāi)口的網(wǎng)格結(jié)構(gòu)。

在示例實(shí)施例中，至少一個(gè)溝槽可以形成在第一反射圖案和第二反射圖案的邊界中。

在示例實(shí)施例中，oled裝置還可以包括設(shè)置在子像素結(jié)構(gòu)上的薄膜包封結(jié)構(gòu)。基底和薄膜包封結(jié)構(gòu)中的每者可以具有至少一個(gè)有機(jī)層和至少一個(gè)無(wú)機(jī)層交替堆疊的堆疊結(jié)構(gòu)，堆疊結(jié)構(gòu)可以是柔性的。反射結(jié)構(gòu)可以與基底的至少一個(gè)無(wú)機(jī)層接觸，子像素結(jié)構(gòu)可以與薄膜包封結(jié)構(gòu)的至少一個(gè)無(wú)機(jī)層接觸。

在示例實(shí)施例中，oled裝置還可以包括包封基底和密封件。包封基底可以設(shè)置在子像素結(jié)構(gòu)上。密封件可以設(shè)置在基底與包封基底之間，并且可以設(shè)置在基底和包封基底的外區(qū)域內(nèi)?；缀桶饣字械拿空呖梢园▌傂圆牧?，密封件可以包括熔料。基底和包封基底可以被密封件結(jié)合。

在示例實(shí)施例中，子像素結(jié)構(gòu)可以包括下電極、發(fā)光層和上電極。下電極可以設(shè)置在基底上，并可以透射光。發(fā)光層可以設(shè)置在下電極上。上電極可以設(shè)置在發(fā)光層上，并且可以對(duì)從發(fā)光層發(fā)射的光進(jìn)行反射。上電極的反射率可以大于下電極的反射率，上電極可以在子像素區(qū)域和反射區(qū)域中設(shè)置在基底上。

在示例實(shí)施例中，反射結(jié)構(gòu)可以反射位于oled裝置的第一表面前面的物體的圖像，上電極可以反射位于oled裝置的第二表面前面的物體的圖像。第二表面可以與第一表面相對(duì)，oled裝置可以通過(guò)所述多個(gè)開(kāi)口在第一表面中顯示顯示的圖像。

在示例實(shí)施例中，oled裝置還可以包括半導(dǎo)體元件和緩沖層。半導(dǎo)體元件可以在反射區(qū)域中設(shè)置在基底上。緩沖層可以設(shè)置在基底上在反射結(jié)構(gòu)與半導(dǎo)體元件之間。半導(dǎo)體元件包括：有源層，在反射區(qū)域中設(shè)置在緩沖層上；柵電極，設(shè)置在有源層上；源電極和漏電極，設(shè)置在柵電極上。

在示例實(shí)施例中，連接圖案和柵電極可以使用相同的材料同時(shí)形成。

在示例實(shí)施例中，oled裝置還可以包括設(shè)置在基底與反射結(jié)構(gòu)之間的介電鏡面結(jié)構(gòu)。

在示例實(shí)施例中，介電鏡面結(jié)構(gòu)可以包括一個(gè)或更多個(gè)第一介電層以及一個(gè)或更多個(gè)第二介電層。所述一個(gè)或更多個(gè)第一介電層可以具有第一折射率，所述一個(gè)或更多個(gè)第二介電層可以設(shè)置在所述一個(gè)或更多個(gè)第一介電層上。所述一個(gè)或更多個(gè)第二介電層可以具有與第一折射率不同的第二折射率。所述一個(gè)或更多個(gè)第一介電層以及所述一個(gè)或更多個(gè)第二介電層可以交替地堆疊。

根據(jù)示例實(shí)施例的一些方面，oled裝置包括基底、反射結(jié)構(gòu)和子像素結(jié)構(gòu)?；装ǘ鄠€(gè)子像素區(qū)域和圍繞所述多個(gè)子像素區(qū)域的反射區(qū)域。子像素結(jié)構(gòu)可以在所述多個(gè)子像素區(qū)域中的每個(gè)中設(shè)置在基底上。反射結(jié)構(gòu)在反射區(qū)域中設(shè)置在基底上并具有多個(gè)開(kāi)口，所述多個(gè)子像素區(qū)域可以通過(guò)所述多個(gè)開(kāi)口暴露。反射結(jié)構(gòu)包括第一反射圖案和第二反射圖案。第一反射圖案可以沿第一方向布置，第二反射圖案可以沿與第一方向垂直的第二方向布置。

在示例實(shí)施例中，反射結(jié)構(gòu)可以設(shè)置在基底與子像素結(jié)構(gòu)之間。

在示例實(shí)施例中，第一反射圖案可以被構(gòu)造為從外部裝置接收第一觸摸感測(cè)電壓，第二反射圖案可以被構(gòu)造為從外部裝置接收第二觸摸感測(cè)電壓。外部裝置可以檢測(cè)第一反射圖案與第二反射圖案之間電容的變化。

在示例實(shí)施例中，第一反射圖案和第二反射圖案中的每個(gè)可以具有平面的條形形狀并且可以彼此規(guī)則地布置。第一反射圖案和第二反射圖案中的每個(gè)可以具有包括所述多個(gè)開(kāi)口的網(wǎng)格結(jié)構(gòu)。

在示例實(shí)施例中，第一反射圖案和第二反射圖案可以在交叉區(qū)域交叉，位于交叉區(qū)域的第一反射圖案的所述多個(gè)開(kāi)口中的第一組和第二反射圖案的所述多個(gè)開(kāi)口中的第二組可以彼此疊置。

在示例實(shí)施例中，oled裝置還可以包括設(shè)置在子像素結(jié)構(gòu)上的薄膜包封結(jié)構(gòu)。基底和薄膜包封結(jié)構(gòu)中的每者可以具有至少一個(gè)有機(jī)層和至少一個(gè)無(wú)機(jī)層交替堆疊的堆疊結(jié)構(gòu)，堆疊結(jié)構(gòu)可以是柔性的。反射結(jié)構(gòu)可以與基底的至少一個(gè)無(wú)機(jī)層接觸，子像素結(jié)構(gòu)可以與薄膜包封結(jié)構(gòu)的至少一個(gè)無(wú)機(jī)層接觸。

在示例實(shí)施例中，oled裝置還可以包括半導(dǎo)體元件和緩沖層。半導(dǎo)體元件可以在反射區(qū)域中設(shè)置在基底上。緩沖層可以設(shè)置在基底上在第一反射圖案與半導(dǎo)體元件之間。半導(dǎo)體元件可以包括：有源層，在反射區(qū)域中設(shè)置在緩沖層上；柵電極，設(shè)置在有源層上；源電極和漏電極，設(shè)置在柵電極上。第二反射圖案和柵電極可以使用相同的材料同時(shí)形成。

在示例實(shí)施例中，oled裝置還可以包括輔助布線。輔助布線可以設(shè)置在第二反射圖案上，并且可以電連接到第二反射圖案。輔助布線可以與源電極和漏電極使用相同的材料同時(shí)形成。

在示例實(shí)施例中，oled裝置還可以包括設(shè)置在基底與反射結(jié)構(gòu)之間的介電鏡面結(jié)構(gòu)。介電鏡面結(jié)構(gòu)可以包括一個(gè)或更多個(gè)第一介電層以及一個(gè)或更多個(gè)第二介電層。所述一個(gè)或更多個(gè)第一介電層可以具有第一折射率。所述一個(gè)或更多個(gè)第二介電層可以設(shè)置在所述一個(gè)或更多個(gè)第一介電層上，并且可以具有與第一折射率不同的第二折射率。所述一個(gè)或更多個(gè)第一介電層以及所述一個(gè)或更多個(gè)第二介電層可以交替地堆疊。

根據(jù)示例實(shí)施例，oled裝置包括基底、子像素結(jié)構(gòu)和感測(cè)結(jié)構(gòu)?；卓梢园ǘ鄠€(gè)子像素區(qū)域和圍繞所述多個(gè)子像素區(qū)域的反射區(qū)域。子像素結(jié)構(gòu)可以在所述多個(gè)子像素區(qū)域中的每個(gè)中設(shè)置在基底上。感測(cè)結(jié)構(gòu)可以在反射區(qū)域中設(shè)置在基底上并可以具有多個(gè)開(kāi)口。所述多個(gè)子像素區(qū)域可以通過(guò)所述多個(gè)開(kāi)口暴露。感測(cè)結(jié)構(gòu)可以包括第一感測(cè)圖案和與第一感測(cè)圖案絕緣的第二感測(cè)圖案。感測(cè)結(jié)構(gòu)可以設(shè)置在基底與子像素結(jié)構(gòu)之間。

在示例實(shí)施例中，感測(cè)結(jié)構(gòu)還可以包括將第二感測(cè)圖案中在第二方向上的兩個(gè)相鄰的第二感測(cè)圖案電連接的連接圖案。第一感測(cè)圖案可以沿與第二方向垂直的第一方向延伸，并可以沿第二方向彼此間隔開(kāi)。第二感測(cè)圖案可以沿第一方向和第二方向彼此間隔開(kāi)。

在示例實(shí)施例中，第一感測(cè)圖案可以沿第一方向布置，第二感測(cè)圖案可以沿與第一方向垂直的第二方向布置。

在示例實(shí)施例中，第一感測(cè)圖案和第二感測(cè)圖案中的每個(gè)可以對(duì)通過(guò)基底進(jìn)入的光進(jìn)行反射。

在示例實(shí)施例中，第一感測(cè)圖案可以施加有第一電壓，第二感測(cè)圖案可以施加有第二電壓。可以檢測(cè)第一感測(cè)圖案與第二感測(cè)圖案之間電容的變化來(lái)確定觸摸的位置。

在示例實(shí)施例中，第一電壓可以是感測(cè)輸入信號(hào)，第二電壓可以是感測(cè)輸出信號(hào)。

在示例實(shí)施例中，第一感測(cè)圖案與第二感測(cè)圖案之間電容的變化可以度量觸摸的壓力。

在示例實(shí)施例中，oled裝置還可以包括被構(gòu)造為產(chǎn)生第一電壓和第二電壓的電路。

根據(jù)示例實(shí)施例的oled裝置包括反射結(jié)構(gòu)，所述反射結(jié)構(gòu)具有可以用作觸摸傳感器電極的第一反射圖案和第二反射圖案。反射結(jié)構(gòu)可以反射位于oled裝置前面的物體的圖像。因此，oled裝置可以用作因?yàn)閛led裝置不包括觸摸屏面板而具有相對(duì)薄的厚度的底發(fā)射結(jié)構(gòu)的鏡面oled裝置。另外，因?yàn)閛led裝置包括柔性基底和包封基底，所以oled裝置可以具有彎曲的形狀。此外，位于oled裝置的背面的面前的物體的圖像可以被上電極反射。

附圖說(shuō)明

通過(guò)下面結(jié)合附圖的描述，示例實(shí)施例能被更詳細(xì)地理解，在附圖中：

圖1是示出根據(jù)示例實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光顯示(oled)裝置的剖視圖；

圖2是描繪圖1的oled裝置中包括的反射結(jié)構(gòu)的平面圖；

圖3是對(duì)應(yīng)于圖2的區(qū)域“a”的放大平面圖；

圖4是用于描繪電連接到圖1的oled裝置中包括的反射結(jié)構(gòu)的外部裝置的框圖；

圖5、圖6、圖7、圖8、圖9和圖10是示出根據(jù)示例實(shí)施例的制造oled裝置的方法的剖視圖；

圖11是示出根據(jù)示例實(shí)施例的oled裝置的剖視圖；

圖12是示出根據(jù)示例實(shí)施例的oled裝置的剖視圖；

圖13是描繪圖12的oled裝置中包括的反射結(jié)構(gòu)的平面圖；

圖14是對(duì)應(yīng)于圖13的區(qū)域“b”的放大平面圖；

圖15是示出根據(jù)示例實(shí)施例的oled裝置的剖視圖；

圖16是示出根據(jù)示例實(shí)施例的oled裝置的剖視圖；

圖17是示出根據(jù)示例實(shí)施例的oled裝置的剖視圖；

圖18是示出根據(jù)示例實(shí)施例的oled裝置的剖視圖；

圖19是示出根據(jù)示例實(shí)施例的oled裝置的剖視圖；

圖20是示出根據(jù)示例實(shí)施例的oled裝置的剖視圖；以及

圖21是描繪圖20的oled裝置中包括的密封件的剖視圖。

具體實(shí)施方式

在下文中，將參照附圖詳細(xì)地解釋本公開(kāi)的實(shí)施例。

圖1是示出根據(jù)示例實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光顯示(oled)裝置的剖視圖，圖2是描繪圖1的oled裝置中包括的反射結(jié)構(gòu)的平面圖。圖3是對(duì)應(yīng)于圖2的區(qū)域“a”的放大平面圖，圖4是用于描繪電連接到圖1的oled裝置中包括的反射結(jié)構(gòu)的外部裝置的框圖。圖1可以對(duì)應(yīng)于沿著圖2的線i-i'截取的剖視圖。

參照?qǐng)D1、圖2、圖3和圖4，oled裝置100可以包括基底110、反射結(jié)構(gòu)380、緩沖層115、半導(dǎo)體元件250、平坦化層270、子像素結(jié)構(gòu)300、像素限定層310和薄膜包封(tfe)結(jié)構(gòu)450。這里，半導(dǎo)體元件250可以包括有源層130、柵極絕緣層150、柵電極170、層間絕緣層190、源電極210和漏電極230。子像素結(jié)構(gòu)300可以包括下電極290、發(fā)光層330和上電極340。另外，反射結(jié)構(gòu)380可以包括多個(gè)第一反射圖案382、多個(gè)第二反射圖案384和多個(gè)連接圖案180。如圖2和圖3所示，每個(gè)第一反射圖案382可以沿與基底110的上表面平行的第一方向d1延伸，并且可以沿與第一方向d1基本垂直的第二方向d2彼此間隔開(kāi)。每個(gè)第二反射圖案384可以在多個(gè)第一反射圖案382中的相鄰的兩個(gè)第一反射圖案382之間沿第一方向d1彼此間隔開(kāi)。連接圖案180可以將多個(gè)第二反射圖案384中沿第二方向d2相鄰的兩個(gè)第二反射圖案384電連接。另外，觸摸感測(cè)電壓可以施加到反射結(jié)構(gòu)380，oled裝置100可以利用由檢測(cè)電容變化得到的變化的信號(hào)來(lái)感測(cè)用戶在oled裝置100的表面上的觸摸。

oled裝置100可以包括子像素區(qū)域10和反射區(qū)域20。子像素區(qū)域10可以位于反射區(qū)域20之間。子像素結(jié)構(gòu)300可以設(shè)置在子像素區(qū)域10中，顯示的圖像可以沿第三方向d3(即，與第一方向d1和第二方向d2垂直的方向)從tfe結(jié)構(gòu)450向基底110顯示。另外，反射結(jié)構(gòu)380和半導(dǎo)體元件250可以設(shè)置在反射區(qū)域20中，位于oled裝置100的前面(即，基底110的第一(下)表面)的物體的圖像可以在第三方向d3上顯示在反射結(jié)構(gòu)380上。因?yàn)閛led裝置100包括能夠反射位于oled裝置100的前面的物體的圖像并且用作觸摸感測(cè)電極的反射結(jié)構(gòu)380，所以oled裝置100可以用作能夠感測(cè)用戶的觸摸輸入的底發(fā)射結(jié)構(gòu)的鏡面oled裝置。

再次參照?qǐng)D1，基底110可以由透明材料形成。在示例實(shí)施例中，基底110可以由諸如柔性透明樹(shù)脂基底(例如，聚酰亞胺基底)的柔性透明材料來(lái)形成。聚酰亞胺基底可以包括至少一個(gè)聚酰亞胺層和至少一個(gè)阻擋層。因?yàn)榫埘啺坊紫鄬?duì)薄且是柔性的，所以聚酰亞胺基底可以設(shè)置在剛性玻璃基底上以幫助支撐上面的結(jié)構(gòu)(例如，反射結(jié)構(gòu)380、半導(dǎo)體元件250和子像素結(jié)構(gòu)300)的形成。基底110可以具有一個(gè)或更多個(gè)聚酰亞胺層和一個(gè)或更多個(gè)阻擋層交替地堆疊在剛性玻璃基底上的結(jié)構(gòu)。在制造oled裝置100中，在將緩沖層115設(shè)置在聚酰亞胺基底的阻擋層上之后，可以在緩沖層115上設(shè)置所述上面的結(jié)構(gòu)。在緩沖層115上形成所述上面的結(jié)構(gòu)之后，可以去除其下方設(shè)有聚酰亞胺基底的剛性玻璃基底。因?yàn)榫埘啺坊紫鄬?duì)薄且是柔性的，所以可能難以在聚酰亞胺基底上直接形成所述上面的結(jié)構(gòu)。因此，在聚酰亞胺基底和剛性玻璃基底上形成所述上面的結(jié)構(gòu)，然后在去除剛性玻璃基底之后，聚酰亞胺基底可以用作oled裝置100的基底110。因?yàn)閛led裝置100包括子像素區(qū)域10和反射區(qū)域20，所以基底110也可以包括子像素區(qū)域10和反射區(qū)域20。

聚酰亞胺層可以包括無(wú)規(guī)共聚物或嵌段共聚物。聚酰亞胺層可以具有高透明度、低熱膨脹系數(shù)和高玻璃化轉(zhuǎn)變溫度。因?yàn)榫埘啺穼影啺纷杂苫跃埘啺穼涌梢跃哂袃?yōu)異的耐熱性、耐化學(xué)性、耐磨性和電特性。

阻擋層可以包括有機(jī)材料或無(wú)機(jī)材料。有機(jī)材料的示例包括但不限于光致抗蝕劑、聚丙烯酸類樹(shù)脂、聚酰亞胺類樹(shù)脂、聚酰胺類樹(shù)脂、硅氧烷類樹(shù)脂、丙烯酸類樹(shù)脂和環(huán)氧類樹(shù)脂。無(wú)機(jī)材料的示例包括但不限于硅化合物和金屬氧化物。例如，阻擋層可以包括但不限于氧化硅(siox)、氮化硅(sinx)、氮氧化硅(sioxny)、碳氧化硅(sioxcy)、氮碳化硅(sicxny)、氧化鋁(alox)、氮化鋁(alnx)、氧化鉭(taox)、氧化鉿(hfox)、氧化鋯(zrox)、氧化鈦(tiox)。在示例實(shí)施例中，阻擋層可以主要包括無(wú)機(jī)材料。阻擋層可以阻擋水或潮氣經(jīng)由聚酰亞胺層滲入子像素結(jié)構(gòu)300中。即，阻擋層和tfe結(jié)構(gòu)450可以保護(hù)子像素結(jié)構(gòu)300。可選擇地，基底110可以包括石英基底、人造石英基底、氟化鈣基底、摻氟石英基底、鈉鈣玻璃基底、無(wú)堿玻璃基底等。

參照?qǐng)D1、圖2、圖3和圖4，反射結(jié)構(gòu)380可以在反射區(qū)域20中設(shè)置基底110上。反射結(jié)構(gòu)380可以包括多個(gè)第一反射圖案382和多個(gè)第二反射圖案384。第一反射圖案382和第二反射圖案384可以設(shè)置在基底110的阻擋層上，阻擋層可以是無(wú)機(jī)層。每個(gè)第一反射圖案382可以沿第一方向d1延伸。另外，每個(gè)第一反射圖案382可以沿第二方向d2彼此間隔開(kāi)，并且可以規(guī)則地布置。此外，每個(gè)第一反射圖案382可以具有包括多個(gè)突出部分的基本平坦的條形形狀。第二反射圖案384可以在所述多個(gè)第一反射圖案382中的相鄰的第一反射圖案382之間沿第一方向d1規(guī)則地布置，并且可以具有島形狀。例如，第二反射圖案384的島形狀可以是平面的正方形，并且可以設(shè)置在相鄰的第一反射圖案382的突出部分之間。連接圖案180可以接觸并電連接到所述多個(gè)第二反射圖案384中在第二方向d2上相鄰的兩個(gè)第二反射圖案384。第一反射圖案382和第二反射圖案384可以彼此間隔開(kāi)，并且可以位于基底110上的同一水平處。然而，連接圖案180可以與第一反射圖案382和第二反射圖案384位于不同水平處。例如，連接圖案180可以設(shè)置在第一反射圖案382和第二反射圖案384上。如上面描述的，因?yàn)閛led裝置100包括反射結(jié)構(gòu)380，所以可以沿第三方向d3反射位于oled裝置100的第一表面s1前面的物體的圖像。

在示例實(shí)施例中，如圖2和圖3所示，第一反射圖案382和第二反射圖案384中的每個(gè)可以具有包括多個(gè)開(kāi)口383的網(wǎng)格結(jié)構(gòu)。子像素區(qū)域10可以對(duì)應(yīng)于每個(gè)開(kāi)口383，子像素結(jié)構(gòu)300可以設(shè)置在對(duì)應(yīng)于每個(gè)開(kāi)口383的區(qū)域中。即，第一組子像素區(qū)域10可以位于第一反射圖案382中包括的開(kāi)口383中，第二組子像素區(qū)域10可以位于第二反射圖案384中包括的開(kāi)口383中。如上面描述的，因?yàn)閛led裝置100包括反射結(jié)構(gòu)380的開(kāi)口383，所以從子像素結(jié)構(gòu)300發(fā)射的光可以沿第三方向d3經(jīng)由開(kāi)口383射出。在示例實(shí)施例中，如圖3所示，溝槽386和387可以形成在第一反射圖案382和第二反射圖案384的邊界或邊緣中，開(kāi)口383的至少一個(gè)側(cè)部在所述位置處是敞開(kāi)的。溝槽386和387可以形成為暴露對(duì)應(yīng)的子像素區(qū)域10。

在示例實(shí)施例中，如圖4所示，oled裝置100可以將第一反射圖案382和第二反射圖案384與外部裝置105通過(guò)觸摸傳感器布線(未示出)電連接，并且可以將由外部裝置105產(chǎn)生的第一觸摸感測(cè)電壓和第二觸摸感測(cè)電壓分別提供到第一反射圖案382和第二反射圖案384。外部裝置105可以檢測(cè)第一反射圖案382與第二反射圖案384之間電容的變化。外部裝置105可以將作為感測(cè)輸入信號(hào)的第一觸摸感測(cè)電壓提供至第一反射圖案382，并可以通過(guò)第二反射圖案384接收作為感測(cè)輸出信號(hào)的第二觸摸感測(cè)電壓。這里，第一觸摸感測(cè)電壓可以具有周期性變化的電壓電平(或者周期性可變電壓電平)，第二觸摸感測(cè)電壓可以具有直流電壓電平。例如，當(dāng)oled裝置100的用戶接觸第一表面s1(例如，用戶手指、用戶身體的一部分、觸筆的接觸)時(shí)，對(duì)應(yīng)于(或鄰近)接觸表面的第一反射圖案382與第二反射圖案384之間的電容會(huì)變化。換句話說(shuō)，會(huì)在身體接觸第一表面s1的部分與第一反射圖案382和第二反射圖案384之間產(chǎn)生電容的變化，外部裝置105可以通過(guò)觸摸傳感器布線來(lái)接收被變化的電容改變的感測(cè)輸出信號(hào)。因此，外部裝置105可以檢測(cè)被改變的感測(cè)輸出信號(hào)。即，外部裝置105和oled裝置100可以利用第一觸摸感測(cè)電壓和第二觸摸感測(cè)電壓來(lái)感測(cè)用戶觸摸的接觸位置。第一反射圖案382和第二反射圖案384中的每個(gè)可以包括金屬、金屬合金、金屬氮化物、導(dǎo)電金屬氧化物和透明導(dǎo)電材料中的一種或更多種。例如，第一反射圖案382和第二反射圖案384中的每個(gè)可以由金(au)、鋁(al)、鋁合金、氮化鋁(alnx)、銀(ag)、銀合金、鎢(w)、氮化鎢(wnx)、銅(cu)、銅合金、鎳(ni)、鈀(pd)、鎂(mg)、鈣(ca)、鋰(li)、鉻(cr)、氮化鉻(crnx)、鉬(mo)、鉬合金、鈦(ti)、氮化鈦(tinx)、鉑(pt)、鉭(ta)、氮化鉭(tanx)、釹(nd)、鈧(sc)、氧化鍶釕(sro)、氧化鋅(znox)、氧化錫(snox)、氧化銦(inox)、氧化鎵(gaox)、氧化銦鎵(ito)或氧化銦鋅(izo)來(lái)形成?？梢詥为?dú)使用或者以其適當(dāng)?shù)慕M合來(lái)使用這些材料?？蛇x擇地，第一反射圖案382和第二反射圖案384中的每個(gè)可以具有多層結(jié)構(gòu)。

因此，雖然設(shè)置了具有各個(gè)厚度的第一反射圖案382和第二反射圖案384，但是oled裝置100可以沿第三方向d3經(jīng)由開(kāi)口383顯示顯示的圖像。第一反射圖案382和第二反射圖案384的厚度確定為足夠厚以反射光，使得oled裝置100可以沿第三方向d3反射位于oled裝置100的第一表面s1前面的物體的圖像。另外，oled裝置100可以通過(guò)反射結(jié)構(gòu)380和外部裝置105來(lái)檢測(cè)用戶的接觸位置。

在圖4中，外部裝置105設(shè)置在oled裝置100的外部，但是本公開(kāi)不限于此。在一些示例實(shí)施例中，外部裝置105可以設(shè)置在oled裝置100的內(nèi)部或者集成進(jìn)oled裝置100內(nèi)。

另外，oled裝置100可以采用互電容感測(cè)方法，但是本公開(kāi)不限于此。在一些示例實(shí)施例中，oled裝置100可以使用自電容感測(cè)方法。

再次參照?qǐng)D1，緩沖層115可以設(shè)置在基底110和反射結(jié)構(gòu)380上。緩沖層115可以設(shè)置在整個(gè)基底110上，在基底110上覆蓋反射區(qū)域20中的第一反射圖案382和第二反射圖案384。例如，緩沖層115可以覆蓋第一反射圖案382和第二反射圖案384，以提供基本平坦的表面而沒(méi)有圍繞第一反射圖案382和第二反射圖案384的臺(tái)階?？蛇x擇地，緩沖層115可以覆蓋第一反射圖案382和第二反射圖案384，并且可以沿著第一反射圖案382和第二反射圖案384的輪廓設(shè)置有基本均勻的厚度。緩沖層115可以防止金屬原子和/或雜質(zhì)從基底110擴(kuò)散進(jìn)半導(dǎo)體元件250中。另外，緩沖層115可以控制在用于形成有源層130的結(jié)晶工藝中的傳熱速率，從而獲得基本均勻的有源層。此外，在基底110的表面相對(duì)不平坦時(shí)，緩沖層115可以改善基底110的表面平整度。根據(jù)基底110的類型，可以在基底110上設(shè)置至少兩個(gè)緩沖層115，或者可以不設(shè)置緩沖層115。在一些示例實(shí)施例中，緩沖層115可以包括siox、sinx和sioxny中的一種或更多種。

有源層130可以在反射區(qū)域20中設(shè)置在緩沖層115上。例如，有源層130可以包括氧化物半導(dǎo)體、無(wú)機(jī)半導(dǎo)體(例如，非晶硅和多晶硅)以及有機(jī)半導(dǎo)體中的一種或更多種。

柵極絕緣層150可以設(shè)置在緩沖層115和有源層130上。柵極絕緣層150可以在緩沖層115上覆蓋在反射區(qū)域20中的有源層130，并且可以設(shè)置在整個(gè)基底110上。例如，柵極絕緣層150可以覆蓋有源層130，以提供基本平坦的表面而沒(méi)有圍繞有源層130的臺(tái)階?？蛇x擇地，柵極絕緣層150可以覆蓋有源層130，并且可以沿著有源層130的輪廓設(shè)置有基本均勻的厚度。柵極絕緣層150可以包括硅化合物和金屬氧化物中的一種或更多種。

柵電極170和連接圖案180可以設(shè)置在柵極絕緣層150上。柵電極170可以在反射區(qū)域20中設(shè)置在柵極絕緣層150的一部分上，以在平面圖中與有源層130疊置。柵電極170可以包括金屬、金屬合金、金屬氮化物、導(dǎo)電金屬氧化物和透明導(dǎo)電材料中的一種或更多種?？梢詥为?dú)使用或者以其適當(dāng)?shù)慕M合來(lái)使用這些材料?？蛇x擇地，柵電極170可以具有多層結(jié)構(gòu)。

連接圖案180可以在反射區(qū)域20中設(shè)置在柵極絕緣層150的一部分上，以在平面圖中與第二反射圖案384疊置。連接圖案180可以經(jīng)由通過(guò)部分地去除柵極絕緣層150和緩沖層115形成的接觸孔與第二反射圖案384接觸。如圖2所示，連接圖案180可以將多個(gè)第二反射圖案384中的相鄰的兩個(gè)第二反射圖案384電連接。連接圖案180可以包括金屬、金屬合金、金屬氮化物、導(dǎo)電金屬氧化物和透明導(dǎo)電材料中的一種或更多種?？梢詥为?dú)使用或者以其適當(dāng)?shù)慕M合來(lái)使用這些材料?？蛇x擇地，連接圖案180可以具有多層結(jié)構(gòu)。在示例實(shí)施例中，連接圖案180和柵電極170可以使用相同的材料同時(shí)形成。

層間絕緣層190可以設(shè)置在柵極絕緣層150、柵電極170和連接圖案180上。層間絕緣層190可以覆蓋反射區(qū)域20中的柵電極170和連接圖案180，并且可以設(shè)置在整個(gè)基底110上。例如，層間絕緣層190可以覆蓋柵電極170和連接圖案180，以提供基本平坦的表面而沒(méi)有圍繞柵電極170和連接圖案180的臺(tái)階。可選擇地，層間絕緣層190可以覆蓋柵電極170和連接圖案180，并且可以沿著柵電極170和連接圖案180的輪廓設(shè)置有基本均勻的厚度。層間絕緣層190可以包括硅化合物和金屬氧化物中的一種或更多種。

源電極210和漏電極230可以在反射區(qū)域20中設(shè)置在層間絕緣層190上。源電極210可以經(jīng)由通過(guò)去除柵極絕緣層150和層間絕緣層190的部分形成的第一接觸孔與有源層130的第一側(cè)接觸。漏電極230可以經(jīng)由通過(guò)去除柵極絕緣層150和層間絕緣層190的部分形成的第二接觸孔與有源層130的第二側(cè)接觸。源電極210和漏電極230中的每個(gè)可以包括金屬、金屬合金、金屬氮化物、導(dǎo)電金屬氧化物和透明導(dǎo)電材料中的一種或更多種?？梢詥为?dú)使用或者以其適當(dāng)?shù)慕M合來(lái)使用這些材料?？蛇x擇地，源電極210和漏電極230中的每個(gè)可以具有多層結(jié)構(gòu)。因此，包括有源層130、柵極絕緣層150、柵電極170、層間絕緣層190、源電極210和漏電極230的半導(dǎo)體元件250可被設(shè)置。

在示例實(shí)施例中，oled裝置100的半導(dǎo)體元件250具有頂柵結(jié)構(gòu)，但是本公開(kāi)不限于此。在一些示例實(shí)施例中，半導(dǎo)體元件250可以具有底柵結(jié)構(gòu)。

平坦化層270可以設(shè)置在層間絕緣層190以及源電極210和漏電極230上。例如，平坦化層270可以設(shè)置有相對(duì)大的厚度，以覆蓋層間絕緣層190以及源電極210和漏電極230。在這種情況下，平坦化層270可以具有基本平坦的上表面，還可以對(duì)平坦化層270執(zhí)行平坦化工藝以實(shí)現(xiàn)平坦化層270的平坦的上表面。平坦化層270可以包括有機(jī)材料和無(wú)機(jī)材料中的一種或更多種。

下電極290可以在子像素區(qū)域10中以及在反射區(qū)域20的一部分中設(shè)置在平坦化層270上。例如，下電極290的厚度可以小于上電極340的厚度，使得從發(fā)光層330發(fā)射的光沿第三方向d3透射。下電極290可以經(jīng)由通過(guò)去除平坦化層270的一部分形成的接觸孔與漏電極230接觸。另外，下電極290可以電連接到半導(dǎo)體元件250。下電極290可以基本透明。例如，下電極290可以包括金屬、金屬合金、金屬氮化物、導(dǎo)電金屬氧化物和透明導(dǎo)電材料中的一種或更多種。在一些示例實(shí)施例中，下電極290可以具有多層結(jié)構(gòu)。

像素限定層310可以設(shè)置在下電極290的一部分和平坦化層270上。例如，像素限定層310可以覆蓋下電極290的兩個(gè)側(cè)部從而暴露下電極290的上表面的一部分。像素限定層310可以包括有機(jī)材料或無(wú)機(jī)材料。

發(fā)光層330可以在被像素限定層310暴露的部分處設(shè)置在下電極290上。發(fā)光層330可以具有包括發(fā)射層(el)、空穴注入層(hil)、空穴傳輸層(htl)、電子傳輸層(etl)和電子注入層(eil)中的一層或更多層的多層結(jié)構(gòu)。hil、htl、el、etl和eil可以順序地設(shè)置在下電極290與上電極340之間。發(fā)光層330的el可以使用能夠產(chǎn)生不同顏色光(例如，紅色光、藍(lán)色光和綠色光)的發(fā)光材料中的至少一種來(lái)形成?？蛇x擇地，發(fā)光層330的el可以通過(guò)堆疊能夠產(chǎn)生不同顏色光(諸如，紅色光、綠色光和藍(lán)色光)的多種發(fā)光材料總體上產(chǎn)生白色光。在這種情況下，濾色器可以設(shè)置在發(fā)光層330下面以在層間絕緣層190上與發(fā)光層330疊置。濾色器可以包括從紅色濾色器、綠色濾色器和藍(lán)色濾色器中選擇的至少一種?？蛇x擇地，濾色器可以包括黃色濾色器、青色濾色器和品紅色濾色器。濾色器可以包括感光樹(shù)脂或彩色光致抗蝕劑。

上電極340可以在子像素區(qū)域10和反射區(qū)域20中設(shè)置在像素限定層310和發(fā)光層330上。上電極340可以整體設(shè)置在像素限定層310和發(fā)光層330上。oled裝置100可以在子像素區(qū)域10中朝向第三方向d3顯示顯示的圖像(例如，底發(fā)射結(jié)構(gòu))。因此，上電極340的反射率可以大于下電極290的反射率，使得從發(fā)光層330發(fā)射的光沿第三方向d3被上電極340反射。上電極340和下電極290的反射率可以通過(guò)改變材料性質(zhì)和/或上電極340和下電極290的厚度而變化。在示例實(shí)施例中，上電極340可以反射位于oled裝置100的第二表面s2前面的物體的圖像，oled裝置100的第二表面s2可以與oled裝置100的第一表面s1相對(duì)。例如，當(dāng)tfe結(jié)構(gòu)450透明時(shí)，位于與第三方向d3相反的方向-d3處的物體的圖像可以顯示在上電極340上。即，oled裝置100可以反射在兩個(gè)方向(例如，d3和-d3)上或在兩個(gè)表面(例如，第一表面s1和第二表面s2)上的物體的圖像。在一些示例實(shí)施例中，當(dāng)上電極340透射一部分光并反射剩余部分的光時(shí)，oled裝置100可以在兩個(gè)表面上顯示顯示的圖像。在這種情況下，oled裝置100可以反射在兩個(gè)表面的物體的圖像，并且可以在兩個(gè)表面上顯示顯示的圖像。上電極340可以包括金屬、金屬合金、金屬氮化物和導(dǎo)電金屬氧化物中的一種或更多種。例如，上電極340可以由au、ag、al、pt、ni、ti、pd、mg、ca、li、cr、ta、w、cu、mo、sc、nd、銥(ir)、鋁合金、alnx、銀合金、wnx、銅合金、crnx、鉬合金、tinx、tanx、sro等形成?？梢詥为?dú)使用或者以其適當(dāng)?shù)慕M合來(lái)使用這些材料?？蛇x擇地，上電極340可以具有多層結(jié)構(gòu)。

tfe結(jié)構(gòu)450可以設(shè)置在上電極340上。例如，第一包封層451可以設(shè)置在子像素結(jié)構(gòu)300上。tfe結(jié)構(gòu)450可以包括至少一層第一包封層和至少一層第二包封層。例如，第二包封層452可以設(shè)置在第一包封層451上。第一包封層451、453和455以及第二包封層452和454可以交替并重復(fù)地布置。第一包封層451可以覆蓋上電極340，并且可以沿著上電極340的輪廓設(shè)置有基本均勻的厚度。第一包封層451可以防止子像素結(jié)構(gòu)300受潮氣、水、氧等的滲入而劣化。另外，第一包封層451可以保護(hù)子像素結(jié)構(gòu)300免受外部沖擊。第一包封層451可以包括無(wú)機(jī)材料。

第二包封層452可以設(shè)置在第一包封層451上。第二包封層452可以改善oled裝置100的表面平整度，并且可以保護(hù)設(shè)置在子像素區(qū)域10中的子像素結(jié)構(gòu)300。第二包封層452可以包括有機(jī)材料。

第一包封層453可以設(shè)置在第二包封層452上。第一包封層453可以覆蓋第二包封層452，并且可以沿著第二包封層452的輪廓設(shè)置有基本均勻的厚度。第一包封層453與第一包封層451和第二包封層452一起可以防止子像素結(jié)構(gòu)300受潮氣、水、氧等的滲入而劣化。另外，第一包封層453與第一包封層451和第二包封層452一起可以保護(hù)子像素結(jié)構(gòu)免受外部沖擊。第一包封層453可以包括無(wú)機(jī)材料。

第二包封層454可以設(shè)置在第一包封層453上。第二包封層454可以執(zhí)行與第二包封層452的功能基本相同或相似的功能，第二包封層454可以包括與第二包封層452的材料基本相同或相似的材料。第一包封層455可以設(shè)置在第二包封層454上。第一包封層455可以執(zhí)行與第一包封層451、453的功能基本相同或相似的功能，第一包封層455可以包括與第一包封層451、453的材料基本相同或相似的材料。如上面描述的，oled裝置100包括柔性基底110和tfe結(jié)構(gòu)450，并且可以具有彎曲的形狀。因?yàn)榫哂凶銐蚝褚苑瓷涔獾暮穸鹊姆瓷浣Y(jié)構(gòu)380設(shè)置在反射區(qū)域20中，所以反射區(qū)域20不會(huì)容易彎曲。然而，反射結(jié)構(gòu)380的設(shè)置在子像素區(qū)域10中的開(kāi)口383使得子像素區(qū)域10能夠彎曲。因此，oled裝置100可以具有基本彎曲的形狀。

在一些示例實(shí)施例中，tfe結(jié)構(gòu)450可以具有有著第一包封層451、第二包封層452和第一包封層453的三層結(jié)構(gòu)。在其他示例實(shí)施例中，tfe結(jié)構(gòu)450可以具有包括第一包封層451、第二包封層452、第一包封層453、第二包封層454、第一包封層455、額外的第一包封層和額外的第二包封層的七層結(jié)構(gòu)。可選擇地，當(dāng)基底110形成為剛性基底時(shí)，tfe結(jié)構(gòu)450可以包括石英基底、人造石英基底、氟化鈣基底、摻氟石英基底、鈉鈣玻璃基底和無(wú)堿玻璃基底中的一種或更多種。

根據(jù)示例實(shí)施例的oled裝置100包括反射結(jié)構(gòu)380和上電極340。顯示的圖像可以經(jīng)由開(kāi)口383顯示，位于oled裝置100的第一表面s1的前面的物體的圖像可以通過(guò)反射結(jié)構(gòu)380反射。在一些示例實(shí)施例中，包括在反射結(jié)構(gòu)380中的第一反射圖案382、第二反射圖案384和連接圖案180可以用作觸摸感測(cè)電極，以檢測(cè)用戶在oled裝置100上的觸摸的接觸位置。此外，位于oled裝置100的第二表面s2的前面的物體的圖像可以通過(guò)上電極340反射。因此，因?yàn)閛led裝置100不包括觸摸屏面板，所以oled裝置100可以用作具有相對(duì)薄的厚度的底發(fā)射結(jié)構(gòu)的鏡面oled裝置。另外，包括柔性基底110和tfe結(jié)構(gòu)450的oled裝置100可以制作為具有彎曲形狀。

圖5、圖6、圖7、圖8、圖9和圖10是示出根據(jù)示例實(shí)施例的制造oled裝置的方法的剖視圖。

參照?qǐng)D5，可以提供包括子像素區(qū)域10和反射區(qū)域20的基底510?？梢杂赏该鞑牧闲纬苫?10?？梢允褂弥T如柔性透明樹(shù)脂基底(例如，聚酰亞胺基底)的柔性透明材料來(lái)形成基底510。在這種情況下，聚酰亞胺基底可以包括至少一個(gè)聚酰亞胺層和至少一個(gè)阻擋層。

可以使用無(wú)規(guī)共聚物或嵌段共聚物形成聚酰亞胺層。聚酰亞胺層可以具有高透明度、低熱膨脹系數(shù)和高玻璃化轉(zhuǎn)變溫度。因?yàn)榫埘啺穼影啺纷杂苫?，所以聚酰亞胺層可以具有?yōu)異的耐熱性、耐化學(xué)性、耐磨性和電特性。

可以使用有機(jī)材料或無(wú)機(jī)材料形成阻擋層。有機(jī)材料的示例可以包括但不限于光致抗蝕劑、聚丙烯酸類樹(shù)脂、聚酰亞胺類樹(shù)脂、聚酰胺類樹(shù)脂、硅氧烷類樹(shù)脂、丙烯酸類樹(shù)脂和環(huán)氧類樹(shù)脂。無(wú)機(jī)材料的示例可以包括但不限于硅化合物、金屬氧化物。例如，阻擋層可以包括siox、sinx、sioxny、sioxcy、sicxny、alox、alnx、taox、hfox、zrox、tiox等。在示例實(shí)施例中，阻擋層可以主要包括無(wú)機(jī)材料。阻擋層可以阻擋水或潮氣經(jīng)由聚酰亞胺層滲入?？蛇x擇地，可以由石英基底、人造石英基底、氟化鈣基底、摻氟石英基底、鈉鈣玻璃基底或無(wú)堿玻璃基底來(lái)形成基底510。

可以在反射區(qū)域20中在基底510上形成第一反射圖案782和第二反射圖案784。每個(gè)第一反射圖案782可以沿第一方向d1延伸。另外，每個(gè)第一反射圖案782可以沿第二方向d2彼此間隔開(kāi)，并且可以規(guī)則地布置。此外，每個(gè)第一反射圖案782可以具有包括多個(gè)突出部分的基本平坦的條形形狀。第二反射圖案784可以在所述多個(gè)第一反射圖案782中的相鄰的第一反射圖案782之間沿第一方向d1規(guī)則地布置，并且可以具有島形狀。第一反射圖案782和第二反射圖案784可以彼此間隔開(kāi)，并且可以位于同一水平處。第一反射圖案782和第二反射圖案784可以反射位于oled裝置的第一表面s1(例如，基底510的下表面)前面的物體的圖像。

第一反射圖案782和第二反射圖案784中的每個(gè)可以包括與圖3的所述多個(gè)開(kāi)口383相似的多個(gè)開(kāi)口783。這里，子像素區(qū)域10可以對(duì)應(yīng)于開(kāi)口783。例如，可以在開(kāi)口783中分別形成子像素結(jié)構(gòu)。即，第一組子像素區(qū)域10可以位于第一反射圖案782中包括的開(kāi)口783中，第二組子像素區(qū)域10可以位于第二反射圖案784中包括的開(kāi)口783中。在示例實(shí)施例中，可以在第一反射圖案782和第二反射圖案784的邊界(或邊緣)中形成溝槽，在所述位置處開(kāi)口783的至少一個(gè)側(cè)部是敞開(kāi)的?？梢詫喜坌纬蔀楸┞秾?duì)應(yīng)的子像素區(qū)域10。

在示例實(shí)施例中，oled裝置可以將第一反射圖案782和第二反射圖案784與外部裝置(例如，圖4的外部裝置105)通過(guò)觸摸傳感器布線(未示出)電連接，并且可以將由外部裝置產(chǎn)生的第一觸摸感測(cè)電壓和第二觸摸感測(cè)電壓分別提供到第一反射圖案782和第二反射圖案784。另外，外部裝置可以檢測(cè)第一反射圖案782與第二反射圖案784之間電容的變化。例如，外部裝置可以將作為感測(cè)輸入信號(hào)的第一觸摸感測(cè)電壓提供至第一反射圖案782，并可以通過(guò)第二反射圖案784接收作為感測(cè)輸出信號(hào)的第二觸摸感測(cè)電壓。這里，第一觸摸感測(cè)電壓可以具有周期性變化的電壓電平，第二觸摸感測(cè)電壓可以具有直流電壓電平。

可以使用金屬、金屬合金、金屬氮化物、導(dǎo)電金屬氧化物和透明導(dǎo)電材料中的一種或更多種來(lái)形成第一反射圖案782和第二反射圖案784中的每個(gè)。例如，可以由au、al、鋁合金、alnx、ag、銀合金、w、wnx、cu、銅合金、ni、pd、mg、ca、li、cr、crnx、mo、鉬合金、ti、tinx、pt、ta、tanx、nd、sc、sro、znox、snox、inox、gaox、ito或izo來(lái)形成第一反射圖案782和第二反射圖案784中的每個(gè)。可以單獨(dú)使用或者以其適當(dāng)?shù)慕M合來(lái)使用這些材料。可選擇地，第一反射圖案782和第二反射圖案784中的每個(gè)可以具有多層結(jié)構(gòu)。

參照?qǐng)D6，可以在基底510、第一反射圖案782和第二反射圖案784上形成緩沖層515。緩沖層515可以設(shè)置在基底510上，在基底510上覆蓋反射區(qū)域20中的第一反射圖案782和第二反射圖案784。例如，緩沖層515可以覆蓋第一反射圖案782和第二反射圖案784，以提供基本平坦的表面而沒(méi)有圍繞第一反射圖案782和第二反射圖案784的臺(tái)階?？蛇x擇地，緩沖層515可以覆蓋第一反射圖案782和第二反射圖案784，并且可以沿著第一反射圖案782和第二反射圖案784的輪廓形成有基本均勻的厚度。緩沖層515可以防止金屬原子和/或雜質(zhì)擴(kuò)散進(jìn)基底510中。另外，緩沖層515可以控制在用于形成有源層的結(jié)晶工藝中的傳熱速率，從而獲得基本均勻的有源層。此外，在基底510的表面相對(duì)不平坦時(shí)，緩沖層515可以改善基底510的表面平整度。根據(jù)基底510的類型，可以在基底510上設(shè)置至少兩個(gè)緩沖層515，或者可以不設(shè)置緩沖層515。在一些示例實(shí)施例中，可以由siox、sinx和sioxny來(lái)形成緩沖層515。

可以在反射區(qū)域20中在緩沖層515上設(shè)置有源層530。例如，可以由氧化物半導(dǎo)體、無(wú)機(jī)半導(dǎo)體或有機(jī)半導(dǎo)體形成有源層530。

可以在緩沖層515和有源層530上形成柵極絕緣層550。柵極絕緣層550可以在緩沖層515上覆蓋反射區(qū)域20中的有源層530，并且可以形成在整個(gè)基底510上。例如，柵極絕緣層550可以覆蓋有源層530，以提供基本平坦的表面而沒(méi)有圍繞有源層530的臺(tái)階?？蛇x擇地，柵極絕緣層550可以覆蓋有源層530，并且可以沿著有源層530的輪廓形成有基本均勻的厚度?？梢杂晒杌衔锘蚪饘傺趸飦?lái)形成柵極絕緣層550。

可以在柵極絕緣層550上形成柵電極570和連接圖案580。例如，在具有暴露第二反射圖案784的一部分的開(kāi)口(或接觸孔)的柵極絕緣層550上形成預(yù)備電極之后，可以通過(guò)部分地去除預(yù)備電極來(lái)形成柵電極570和連接圖案580。即，可以使用相同的材料同時(shí)形成連接圖案580和柵電極570。

可以在反射區(qū)域20中在柵極絕緣層550的一部分上形成柵電極570，以在平面圖中與有源層530疊置?？梢栽诜瓷鋮^(qū)域20中在柵極絕緣層550的一部分上形成連接圖案580，以在平面圖中與第二反射圖案784疊置。連接圖案580可以將多個(gè)第二反射圖案784中的相鄰的兩個(gè)第二反射圖案784電連接。可以使用金屬、金屬合金、金屬氮化物、導(dǎo)電金屬氧化物和透明導(dǎo)電材料中的一種或更多種來(lái)形成柵電極570和連接圖案580中的每個(gè)?？梢詥为?dú)使用或者以其適當(dāng)?shù)慕M合來(lái)使用這些材料。可選擇地，柵電極570和連接圖案580中的每個(gè)可以具有多層結(jié)構(gòu)。因此，可以形成包括第一反射圖案782、第二反射圖案784和連接圖案580的反射結(jié)構(gòu)780。

參照?qǐng)D7，可以在柵極絕緣層550、柵電極570和連接圖案580上形成層間絕緣層590。層間絕緣層590可以覆蓋反射區(qū)域20中的柵電極570和連接圖案580，并且可以形成在整個(gè)基底510上。例如，層間絕緣層590可以覆蓋柵電極570和連接圖案580，以提供基本平坦的表面而沒(méi)有圍繞柵電極570和連接圖案580的臺(tái)階。可選擇地，層間絕緣層590可以覆蓋柵電極570和連接圖案580，并且可以沿著柵電極570和連接圖案580的輪廓形成有基本均勻的厚度?？梢杂晒杌衔锘蚪饘傺趸镄纬蓪娱g絕緣層590。

可以在反射區(qū)域20中在層間絕緣層590上形成源電極610和漏電極630。源電極610可以經(jīng)由通過(guò)去除柵極絕緣層550和層間絕緣層590的部分形成的第一接觸孔與有源層530的第一側(cè)接觸。漏電極630可以經(jīng)由通過(guò)去除柵極絕緣層550和層間絕緣層590的部分形成的第二接觸孔與有源層530的第二側(cè)接觸?？梢允褂媒饘?、金屬合金、金屬氮化物、導(dǎo)電金屬氧化物和透明導(dǎo)電材料中的一種或更多種來(lái)形成源電極610和漏電極630中的每個(gè)?？梢詥为?dú)使用或者以其適當(dāng)?shù)慕M合來(lái)使用這些材料。可選擇地，源電極610和漏電極630中的每個(gè)可以具有多層結(jié)構(gòu)。因此，可以形成包括有源層530、柵極絕緣層550、柵電極570、層間絕緣層590、源電極610和漏電極630的半導(dǎo)體元件650。

參照?qǐng)D8，可以在層間絕緣層590以及源電極610和漏電極630上形成平坦化層670。例如，平坦化層670可以設(shè)置有相對(duì)大的厚度，以覆蓋層間絕緣層590以及源電極610和漏電極630。在這種情況下，平坦化層670可以具有基本平坦的上表面，還可以對(duì)平坦化層670執(zhí)行平坦化工藝以實(shí)現(xiàn)平坦化層670的平坦的上表面。可以使用有機(jī)材料或無(wú)機(jī)材料來(lái)形成平坦化層670。

可以在子像素區(qū)域10中以及在反射區(qū)域20的一部分中在平坦化層670上形成下電極690。例如，下電極690的反射率可以小于上電極的反射率，使得從發(fā)光層發(fā)射的光沿與第一方向d1和第二方向d2垂直的第三方向d3透射。下電極690可以經(jīng)由通過(guò)去除平坦化層670的一部分形成的接觸孔與漏電極630接觸。另外，下電極690可以電連接到半導(dǎo)體元件650。下電極690可以基本透明。例如，可以由金屬、金屬合金、金屬氮化物、導(dǎo)電金屬氧化物或透明導(dǎo)電材料來(lái)形成下電極690。在一些示例實(shí)施例中，下電極690可以具有多層結(jié)構(gòu)。

參照?qǐng)D9，可以在下電極690的一部分和平坦化層670上形成像素限定層710。例如，像素限定層710可以覆蓋下電極690的兩個(gè)側(cè)部，從而暴露下電極690的上表面的一部分?？梢允褂糜袡C(jī)材料或無(wú)機(jī)材料來(lái)形成像素限定層710。

可以在下電極690上在被像素限定層710暴露的部分處形成發(fā)光層730。發(fā)光層730可以具有包括el、hil、htl、etl和eil中的一層或更多層的多層結(jié)構(gòu)?？梢皂樞虻卦谙码姌O690與上電極740之間形成hil、htl、el、etl和eil?？梢允褂媚軌虍a(chǎn)生不同顏色光(例如，紅色光、藍(lán)色光和綠色光)的發(fā)光材料中的至少一種來(lái)形成發(fā)光層730的el。可選擇地，發(fā)光層730的el可以通過(guò)堆疊能夠產(chǎn)生不同顏色光(諸如，紅色光、綠色光和藍(lán)色光)的多種發(fā)光材料總體上產(chǎn)生白色光。在這種情況下，可以在發(fā)光層730下面形成濾色器，以在層間絕緣層590上與發(fā)光層730疊置。濾色器可以包括從紅色濾色器、綠色濾色器和藍(lán)色濾色器中選擇的至少一種。可選擇地，濾色器可以包括黃色濾色器、青色濾色器和品紅色濾色器?？梢允褂酶泄鈽?shù)脂或彩色光致抗蝕劑來(lái)形成濾色器。

可以在子像素區(qū)域10和反射區(qū)域20中在像素限定層710和發(fā)光層730上形成上電極740?？梢栽谙袼叵薅▽?10和發(fā)光層730上整體地形成上電極740。oled裝置可以在子像素區(qū)域10中朝向第三方向d3顯示顯示的圖像。因此，上電極740的反射率可以大于下電極690的反射率，使得從發(fā)光層730發(fā)射的光沿第三方向d3被上電極740反射。在示例實(shí)施例中，上電極740可以反射位于oled裝置的第二表面s2前面的物體的圖像，oled裝置的第二表面s2可以與oled裝置的第一表面s1相對(duì)。可以由金屬、金屬合金、金屬氮化物或?qū)щ娊饘傺趸飦?lái)形成上電極740。可以單獨(dú)使用或者以其適當(dāng)?shù)慕M合來(lái)使用這些材料。可選擇地，上電極740可以具有多層結(jié)構(gòu)。因此，可以形成包括下電極690、發(fā)光層730和上電極740的子像素結(jié)構(gòu)700。

參照?qǐng)D10，可以在上電極740上形成tfe結(jié)構(gòu)850。tfe結(jié)構(gòu)850可以包括至少一層第一包封層和至少一層第二包封層。例如，可以在第一包封層851上設(shè)置第二包封層852?？梢越惶娌⒅貜?fù)地布置第一包封層851、853和855以及第二包封層852和854。第一包封層851可以覆蓋上電極740，并且可以沿著上電極740的輪廓形成有基本均勻的厚度。第一包封層851可以防止子像素結(jié)構(gòu)700受潮氣、水、氧等的滲入而劣化。另外，第一包封層851可以保護(hù)子像素結(jié)構(gòu)700免受外部沖擊?？梢杂蔁o(wú)機(jī)材料形成第一包封層851。

可以在第一包封層851上形成第二包封層852。第二包封層852可以改善oled裝置的表面平整度，并且可以保護(hù)形成在子像素區(qū)域10中的子像素結(jié)構(gòu)700?？梢杂捎袡C(jī)材料形成第二包封層852。

可以在第二包封層852上形成第一包封層853。第一包封層853可以覆蓋第二包封層852，并且可以沿著第二包封層852的輪廓形成有基本均勻的厚度。第一包封層853與第一包封層851和第二包封層852一起可以防止子像素結(jié)構(gòu)700受潮氣、水、氧等的滲入而劣化。另外，第一包封層853與第一包封層851和第二包封層852一起可以保護(hù)子像素結(jié)構(gòu)免受外部沖擊。可以由無(wú)機(jī)材料形成第一包封層853。

可以在第一包封層853上形成第二包封層854。第二包封層854可以執(zhí)行與第二包封層852的功能基本相同或相似的功能，可以使用與第二包封層852的材料基本相同或相似的材料來(lái)形成第二包封層854。可以在第二包封層854上形成第一包封層855。第一包封層855可以執(zhí)行與第一包封層851、853的功能基本相同或相似的功能，可以使用與第一包封層851、853的材料基本相同或相似的材料來(lái)形成第一包封層855。如上面描述的，oled裝置包括柔性基底510和tfe結(jié)構(gòu)850，并且可以具有彎曲的形狀。

在一些示例實(shí)施例中，tfe結(jié)構(gòu)850可以具有有著第一包封層851、第二包封層852和第一包封層853的三層結(jié)構(gòu)。在其他示例實(shí)施例中，tfe結(jié)構(gòu)850可以具有包括第一包封層851、第二包封層852、第一包封層853、第二包封層854、第一包封層855、額外的第一包封層和額外的第二包封層的七層結(jié)構(gòu)?？蛇x擇地，當(dāng)將基底510形成為剛性基底時(shí)，tfe結(jié)構(gòu)850可以包括石英基底、人造石英基底、氟化鈣基底、摻氟石英基底、鈉鈣玻璃基底和無(wú)堿玻璃基底中的一種或更多種。因此，可以制造圖1中示出的oled裝置100。

圖11是示出根據(jù)示例實(shí)施例的oled裝置的剖視圖。除了介電鏡面結(jié)構(gòu)200之外，圖11中示出的oled裝置可以具有與參照?qǐng)D1、圖2、圖3和圖4描述的oled裝置100的構(gòu)造基本相同或相似的構(gòu)造。在圖11中，可以不再重復(fù)對(duì)與參照?qǐng)D1、圖2、圖3和圖4描述的元件基本相同或相似的元件的詳細(xì)描述。

參照?qǐng)D1、圖2、圖3、圖4和圖11，oled裝置可以包括基底110、介電鏡面結(jié)構(gòu)200、反射結(jié)構(gòu)380、緩沖層115、半導(dǎo)體元件250、平坦化層270、子像素結(jié)構(gòu)300、像素限定層310和tfe結(jié)構(gòu)450。這里，半導(dǎo)體元件250可以包括有源層130、柵極絕緣層150、柵電極170、層間絕緣層190、源電極210和漏電極230。子像素結(jié)構(gòu)300可以包括下電極290、發(fā)光層330和上電極340。另外，反射結(jié)構(gòu)380可以包括多個(gè)第一反射圖案382、多個(gè)第二反射圖案384和多個(gè)連接圖案180。此外，介電鏡面結(jié)構(gòu)200可以包括第一介電層111、第二介電層112和第三介電層113。

第一介電層111可以設(shè)置在基底110上，覆蓋整個(gè)基底110。在示例實(shí)施例中，第一介電層111可以具有第一折射率。例如，第一介電層111可以通過(guò)控制第一介電層111中包括的材料的重量比，或通過(guò)控制第一介電層111的厚度來(lái)具有第一折射率。第一介電層111也可以用作附加的阻擋層或附加的緩沖層。例如，第一介電層111可以包括硅化合物和金屬氧化物中的一種或更多種。例如，第一介電層111可以由siox、sinx、sioxny、sioxcy、sicxny、alox、alnx、taox、hfox、zrox或tiox來(lái)形成。

第二介電層112可以設(shè)置在第一介電層111上，覆蓋整個(gè)第一介電層111。在示例實(shí)施例中，第二介電層112可以具有與第一折射率不同的第二折射率。第二介電層112可以通過(guò)控制第二介電層112中包括的材料的重量比，或通過(guò)控制第二介電層112的厚度來(lái)具有第二折射率。例如，第一折射率可以是高折射率，第二折射率可以是低折射率。可選擇地，第一折射率可以是低折射率，第二折射率可以是高折射率。第二介電層112也可以用作附加的阻擋層或附加的緩沖層。第二介電層112可以包括硅化合物、金屬氧化物等。例如，第二介電層112可以由siox、sinx、sioxny、sioxcy、sicxny、alox、alnx、taox、hfox、zrox或tiox來(lái)形成。

第三介電層113可以設(shè)置在第二介電層112上，覆蓋整個(gè)第二介電層112。在示例實(shí)施例中，第三介電層113可以具有第一折射率。例如，第三介電層113和第一介電層111可以基本相同。第三介電層113也可以用作附加的阻擋層或附加的緩沖層。第三介電層113可以包括硅化合物或金屬氧化物。因此，包括第一介電層111、第二介電層112和第三介電層113的介電鏡面結(jié)構(gòu)200可被設(shè)置?？蛇x擇地，附加的介電層可以設(shè)置在第三介電層113上。例如，所述附加的介電層和第二介電層112可以具有相同的折射率。

如上面描述的，介電鏡面結(jié)構(gòu)200可以具有高折射率層和低折射率層交替堆疊的堆疊結(jié)構(gòu)。例如，外部光可以沿與第三方向d3相反的方向-d3(例如，從基底110至tfe結(jié)構(gòu)450的方向)穿過(guò)基底110。穿過(guò)基底110的外部光的一部分可以通過(guò)第一介電層111、第二介電層112與第三介電層113之間的界面的光干涉被反射為預(yù)定的顏色。具體來(lái)說(shuō)，介電鏡面結(jié)構(gòu)200可以在從外面入射的外部光中選擇性地反射與產(chǎn)生相長(zhǎng)光干涉或相消光干涉的波長(zhǎng)對(duì)應(yīng)的光。另外，穿過(guò)基底110的外部光的剩余部分可以在反射區(qū)域20中被反射圖案382和384朝向第三方向d3反射。因此，位于oled裝置前面的物體的圖像可以被反射為預(yù)定的反射顏色。例如，第一介電層111通過(guò)使用tiox形成有大約50埃的厚度，第二介電層112通過(guò)使用siox形成有大約300埃的厚度。另外，第三介電層113通過(guò)使用tiox形成有大約350埃的厚度。在這種情況下，oled裝置的前面可以示出為基本上藍(lán)色?？蛇x擇地，第一介電層111通過(guò)使用tiox形成有大約100埃的厚度，第二介電層112通過(guò)使用siox形成有大約300埃的厚度。另外，第三介電層113通過(guò)使用tiox形成有大約1000埃的厚度。在這種情況下，oled裝置的前面可以示出為基本上棕色。在一些示例實(shí)施例中，第一介電層111通過(guò)使用tiox形成有大約200埃的厚度，第二介電層112通過(guò)使用siox形成有大約400埃的厚度。另外，第三介電層113通過(guò)使用tiox形成有大約100埃的厚度。在這種情況下，oled裝置的前面可以示出為基本上銀色。

在示例實(shí)施例中，當(dāng)未激活半導(dǎo)體元件250時(shí)，發(fā)光層330不會(huì)發(fā)光(例如，oled裝置的關(guān)閉狀態(tài))。在這種情況下，外部光可以沿與第三方向d3相反的方向-d3穿過(guò)基底110。穿過(guò)基底110的外部光的一部分可以通過(guò)第一介電層111、第二介電層112與第三介電層113的界面的光干涉被反射為預(yù)定的顏色。具體來(lái)說(shuō)，介電鏡面結(jié)構(gòu)200可以在從外面入射的外部光中選擇性地反射與產(chǎn)生相長(zhǎng)光干涉或相消光干涉的波長(zhǎng)對(duì)應(yīng)的光。另外，穿過(guò)基底110的外部光的剩余部分可以在子像素區(qū)域10中被上電極340朝向第一方向d1反射。因此，位于oled裝置前面的物體的圖像可以被反射為預(yù)定的反射顏色。

圖12是示出根據(jù)示例實(shí)施例的oled裝置的剖視圖，圖13是描繪圖12的oled裝置中包括的反射結(jié)構(gòu)的平面圖。圖14是對(duì)應(yīng)于圖13的區(qū)域“b”的放大平面圖。除了反射結(jié)構(gòu)1380之外，圖12、圖13和圖14中示出的oled裝置1000可以具有與參照?qǐng)D1、圖2、圖3和圖4描述的oled裝置100的構(gòu)造基本相同或相似的構(gòu)造。在圖12、圖13和圖14中，可以不再重復(fù)對(duì)與參照?qǐng)D1、圖2、圖3和圖4描述的元件基本相同或相似的元件的詳細(xì)描述。圖12可以對(duì)應(yīng)于沿著圖13的線ii-ii'截取的剖視圖。

參照?qǐng)D1、圖2、圖3和圖4，oled裝置1000可以包括基底110、反射結(jié)構(gòu)1380、緩沖層115、半導(dǎo)體元件250、平坦化層270、子像素結(jié)構(gòu)300、像素限定層310和tfe結(jié)構(gòu)450。這里，半導(dǎo)體元件250可以包括有源層130、柵極絕緣層150、柵電極170、層間絕緣層190、源電極210和漏電極230。子像素結(jié)構(gòu)300可以包括下電極290、發(fā)光層330和上電極340。另外，反射結(jié)構(gòu)1380可以包括多個(gè)第一反射圖案1382和多個(gè)第二反射圖案1384。

如圖13和圖14所示，每個(gè)第一反射圖案1382可以沿與基底110的上表面平行的第一方向d1延伸，并且可以在基本上垂直于第一方向d1的第二方向d2上彼此間隔開(kāi)。每個(gè)第二反射圖案1384可以在第一反射圖案1382上沿第二方向d2延伸，并且可以在第一方向d1上彼此間隔開(kāi)。另外，觸摸感測(cè)電壓可以施加到反射結(jié)構(gòu)1380，oled裝置1000可以通過(guò)檢測(cè)電容的變化感測(cè)用戶在oled裝置1000的表面上的觸摸。

第一反射圖案1382和第二反射圖案1384中的每個(gè)可以具有平面的條形形狀，可以彼此交叉或相交，并可以規(guī)則地布置。另外，第一反射圖案1382可以在基底110上與第二反射圖案1384位于不同水平處。例如，第二反射圖案1384可以設(shè)置在第一反射圖案1382上。如上面描述的，因?yàn)閛led裝置1000包括反射結(jié)構(gòu)1380，所以可以沿第三方向d3反射位于oled裝置1000的第一表面s1前面的物體的圖像。

在示例實(shí)施例中，如圖13和圖14所示，第一反射圖案1382和第二反射圖案1384中的每個(gè)可以具有包括多個(gè)開(kāi)口1383的網(wǎng)格結(jié)構(gòu)。子像素區(qū)域10可以對(duì)應(yīng)于每個(gè)開(kāi)口1383，子像素結(jié)構(gòu)300可以設(shè)置在對(duì)應(yīng)于每個(gè)開(kāi)口1383的區(qū)域中。即，第一組子像素區(qū)域10可以位于第一反射圖案1382中包括的開(kāi)口1383中，第二組子像素區(qū)域10可以位于第二反射圖案1384中包括的開(kāi)口1383中。如上面描述的，因?yàn)閛led裝置1000包括反射結(jié)構(gòu)1380的開(kāi)口1383，所以從子像素結(jié)構(gòu)300發(fā)射的光可以沿第三方向d3經(jīng)由開(kāi)口1383射出。在示例實(shí)施例中，如圖14所示，位于第一反射圖案1382和第二反射圖案1384交叉的部分中的開(kāi)口1383可以彼此疊置，從而暴露子像素區(qū)域10。可選擇地，位于第一反射圖案1382和第二反射圖案1384交叉的部分中的每個(gè)開(kāi)口1383的尺寸可以彼此不同。

在示例實(shí)施例中，oled裝置1000可以將第一反射圖案1382和第二反射圖案1384與外部裝置(例如，圖4的外部裝置105)通過(guò)觸摸傳感器布線(未示出)電連接，并且可以將由外部裝置產(chǎn)生的第一觸摸感測(cè)電壓和第二觸摸感測(cè)電壓分別提供到第一反射圖案1382和第二反射圖案1384。外部裝置可以檢測(cè)第一反射圖案1382與第二反射圖案1384之間電容的變化。外部裝置可以將作為感測(cè)輸入信號(hào)的第一觸摸感測(cè)電壓提供至第一反射圖案1382，并可以通過(guò)第二反射圖案1384接收作為感測(cè)輸出信號(hào)的第二觸摸感測(cè)電壓。這里，第一觸摸感測(cè)電壓可以具有周期性變化的電壓電平，第二觸摸感測(cè)電壓可以具有直流電壓電平。例如，當(dāng)oled裝置1000的用戶接觸第一表面s1時(shí)，對(duì)應(yīng)于接觸表面的第一反射圖案1382與第二反射圖案1384之間的電容會(huì)變化。換句話說(shuō)，會(huì)在身體接觸第一表面s1的部分與第一反射圖案1382和第二反射圖案1384之間產(chǎn)生電容的變化，外部裝置可以通過(guò)觸摸傳感器布線來(lái)接收被變化的電容改變的感測(cè)輸出信號(hào)。因此，外部裝置可以檢測(cè)被改變的感測(cè)輸出信號(hào)。即，外部裝置和oled裝置1000可以利用第一觸摸感測(cè)電壓和第二觸摸感測(cè)電壓來(lái)感測(cè)用戶觸摸的接觸位置。在用戶與oled裝置1000的接觸結(jié)束(例如，用戶與oled裝置1000電分離)之后，外部裝置可以將第一觸摸感測(cè)電壓和第二觸摸感測(cè)電壓分別提供到第一反射圖案1382和第二反射圖案1384。第一反射圖案1382和第二反射圖案1384中的每個(gè)可以包括金屬、金屬合金、金屬氮化物、導(dǎo)電金屬氧化物和透明導(dǎo)電材料中的一種或更多種。例如，第一反射圖案1382和第二反射圖案1384中的每個(gè)可以由au、ag、al、pt、ni、ti、pd、mg、ca、li、cr、ta、w、cu、mo、sc、nd、ir、鋁合金、alnx、銀合金、wnx、銅合金、crnx、鉬合金、tinx、tanx或sro來(lái)形成。可以單獨(dú)使用或者以其適當(dāng)?shù)慕M合來(lái)使用這些材料?？蛇x擇地，第一反射圖案1382和第二反射圖案1384中的每個(gè)可以具有多層結(jié)構(gòu)。

因此，雖然設(shè)置了具有大厚度的第一反射圖案1382和第二反射圖案1384，但是oled裝置1000可以沿第三方向d3經(jīng)由開(kāi)口1383顯示顯示的圖像。第一反射圖案1382和第二反射圖案1384的厚度確定為足夠厚以反射光，使得oled裝置1000可以沿第三方向d3反射位于oled裝置1000的第一表面s1前面的物體的圖像。另外，oled裝置1000可以通過(guò)反射結(jié)構(gòu)1380和外部裝置來(lái)檢測(cè)用戶的接觸位置。

圖15是示出根據(jù)示例實(shí)施例的oled裝置的剖視圖。除了反射結(jié)構(gòu)1385之外，圖15中示出的oled裝置可以具有與參照?qǐng)D12、圖13和圖14描述的oled裝置1000的構(gòu)造基本相同或相似的構(gòu)造。在圖15中，可以不再重復(fù)對(duì)與參照?qǐng)D12、圖13和圖14描述的元件基本相同或相似的元件的詳細(xì)描述。

參照?qǐng)D12、圖13、圖14和圖15，反射結(jié)構(gòu)1385可以包括第一反射圖案1382和第二反射圖案1384。第一反射圖案1382可以設(shè)置在基底110上，第二反射圖案1384可以設(shè)置在層間絕緣層190上。例如，在層間絕緣層190上形成預(yù)備電極之后，可以通過(guò)部分地去除預(yù)備電極來(lái)形成源電極210和漏電極230以及第二反射圖案1384。即，可以使用相同的材料同時(shí)形成源電極210、漏電極230和第二反射圖案1384。

圖16是示出根據(jù)示例實(shí)施例的oled裝置的剖視圖。除了介電鏡面結(jié)構(gòu)200之外，圖16中示出的oled裝置可以具有與參照?qǐng)D12、圖13和圖14描述的oled裝置1000的構(gòu)造基本相同或相似的構(gòu)造。在圖16中，可以不再重復(fù)對(duì)與參照?qǐng)D12、圖13和圖14描述的元件基本相同或相似的元件的詳細(xì)描述。

參照?qǐng)D12、圖13、圖14和圖16，oled裝置可以包括基底110、介電鏡面結(jié)構(gòu)200、反射結(jié)構(gòu)1380、緩沖層115、半導(dǎo)體元件250、平坦化層270、子像素結(jié)構(gòu)300、像素限定層310和tfe結(jié)構(gòu)450。這里，半導(dǎo)體元件250可以包括有源層130、柵極絕緣層150、柵電極170、層間絕緣層190、源電極210和漏電極230。子像素結(jié)構(gòu)300可以包括下電極290、發(fā)光層330和上電極340。另外，反射結(jié)構(gòu)1380可以包括多個(gè)第一反射圖案1382和多個(gè)第二反射圖案1384。此外，介電鏡面結(jié)構(gòu)200可以包括第一介電層111、第二介電層112和第三介電層113。

第一介電層111可以設(shè)置在基底110上，覆蓋整個(gè)基底110。在示例實(shí)施例中，第一介電層111可以具有第一折射率。例如，第一介電層111可以通過(guò)控制第一介電層111中包括的材料的重量比，或通過(guò)控制第一介電層111的厚度來(lái)具有第一折射率。第一介電層111可以包括硅化合物和金屬氧化物中的一種或更多種。

第二介電層112可以設(shè)置在第一介電層111上，覆蓋整個(gè)第一介電層111。在示例實(shí)施例中，第二介電層112可以具有與第一折射率不同的第二折射率。第二介電層112可以通過(guò)控制第二介電層112中包括的材料的重量比，或通過(guò)控制第二介電層112的厚度來(lái)具有第二折射率。例如，第一折射率可以是高折射率，第二折射率可以是低折射率。第二介電層112可以包括硅化合物和金屬氧化物中的一種或更多種。

第三介電層113可以設(shè)置在第二介電層112上，覆蓋整個(gè)第二介電層112。在示例實(shí)施例中，第三介電層113可以具有第一折射率。例如，第三介電層113和第一介電層111可以基本相同。第三介電層113可以包括硅化合物和金屬氧化物中的一種或更多種。可選擇地，附加的介電層可以設(shè)置在第三介電層113上。例如，所述附加的介電層和第二介電層112可以具有相同的折射率。

圖17是示出根據(jù)示例實(shí)施例的oled裝置的剖視圖。除了反射結(jié)構(gòu)1385和介電鏡面結(jié)構(gòu)200之外，圖17中示出的oled裝置可以具有與參照?qǐng)D12、圖13和圖14描述的oled裝置1000的構(gòu)造基本相同或相似的構(gòu)造。在圖17中，可以不再重復(fù)對(duì)與參照?qǐng)D12、圖13和圖14描述的元件基本相同或相似的元件的詳細(xì)描述。

參照?qǐng)D12、圖13、圖14和圖17，oled裝置可以包括基底110、介電鏡面結(jié)構(gòu)200、反射結(jié)構(gòu)1385、緩沖層115、半導(dǎo)體元件250、平坦化層270、子像素結(jié)構(gòu)300、像素限定層310和tfe結(jié)構(gòu)450。這里，半導(dǎo)體元件250可以包括有源層130、柵極絕緣層150、柵電極170、層間絕緣層190、源電極210和漏電極230。子像素結(jié)構(gòu)300可以包括下電極290、發(fā)光層330和上電極340。另外，反射結(jié)構(gòu)1385可以包括多個(gè)第一反射圖案1382和多個(gè)第二反射圖案1384。此外，介電鏡面結(jié)構(gòu)200可以包括第一介電層111、第二介電層112和第三介電層113。

第一介電層111可以設(shè)置在基底110上。在示例實(shí)施例中，第一介電層111可以具有第一折射率。第一介電層111可以包括硅化合物和金屬氧化物中的一種或更多種。

第二介電層112可以設(shè)置在第一介電層111上。在示例實(shí)施例中，第二介電層112可以具有與第一折射率不同的第二折射率。例如，第一折射率可以是高折射率，第二折射率可以是低折射率。第二介電層112可以包括硅化合物和金屬氧化物中的一種或更多種。

第三介電層113可以設(shè)置在第二介電層112上。在示例實(shí)施例中，第三介電層113可以具有第一折射率。例如，第三介電層113和第一介電層111可以基本相同。

反射結(jié)構(gòu)1385可以包括第一反射圖案1382和第二反射圖案1384。第一反射圖案1382可以設(shè)置在基底110上，第二反射圖案1384可以設(shè)置在層間絕緣層190上。例如，在層間絕緣層190上形成預(yù)備電極之后，可以通過(guò)部分地去除預(yù)備電極來(lái)形成源電極210和漏電極230以及第二反射圖案1384。即，可以使用相同的材料同時(shí)形成源電極210、漏電極230和第二反射圖案1384。

圖18是示出根據(jù)示例實(shí)施例的oled裝置的剖視圖，圖19是示出根據(jù)示例實(shí)施例的oled裝置的剖視圖。除了第一輔助布線1180和第二輔助布線1190之外，圖18和圖19中示出的oled裝置可以具有與參照?qǐng)D12、圖13和圖14描述的oled裝置1000的構(gòu)造基本相同或相似的構(gòu)造。在圖18和圖19中，可以不再重復(fù)對(duì)與參照?qǐng)D12、圖13和圖14描述的元件基本相同或相似的元件的詳細(xì)描述。

參照?qǐng)D12、圖13、圖14和圖18，oled裝置可以包括基底110、反射結(jié)構(gòu)1380、緩沖層115、半導(dǎo)體元件250、第一輔助布線1180、平坦化層270、子像素結(jié)構(gòu)300、像素限定層310和tfe結(jié)構(gòu)450。這里，半導(dǎo)體元件250可以包括有源層130、柵極絕緣層150、柵電極170、層間絕緣層190、源電極210和漏電極230。子像素結(jié)構(gòu)300可以包括下電極290、發(fā)光層330和上電極340。另外，反射結(jié)構(gòu)1380可以包括多個(gè)第一反射圖案1382和多個(gè)第二反射圖案1384。

第一輔助布線1180可以在反射區(qū)域20中設(shè)置在層間絕緣層190上，與反射結(jié)構(gòu)1380疊置。第一輔助布線1180可以經(jīng)由通過(guò)去除層間絕緣層190的一部分形成的接觸孔與第二反射圖案1384接觸。第一輔助布線1180可以電連接到第二反射圖案1384，使得第二反射圖案1384的布線電阻減小?？蛇x擇地，反射結(jié)構(gòu)1380可以用作觸摸感測(cè)電極，外部裝置可以利用由第一反射圖案1382與第一輔助布線1180形成的電容器檢測(cè)壓力或力感測(cè)(forcesensing)，并且/或者感測(cè)壓力或力感觸控(forcetouch)。

在一些示例實(shí)施例中，第一輔助布線1180可以經(jīng)由去除層間絕緣層190、柵極絕緣層150和緩沖層115中每個(gè)的一部分形成的接觸孔與第一反射圖案1382接觸，第一輔助布線1180可以電連接到第一反射圖案1382，使得第一反射圖案1382的布線電阻減小。

在一些示例實(shí)施例中，如圖19所示，oled裝置還可以包括設(shè)置在平坦化層270上的第二輔助布線1190。第二輔助布線1190可以經(jīng)由通過(guò)去除平坦化層270的一部分形成的接觸孔與第一輔助布線1180接觸。即，第二輔助布線1190可以電連接到第一輔助布線1180和第二反射圖案1384。

圖20是示出根據(jù)示例實(shí)施例的oled裝置的剖視圖，圖21是描繪圖20的oled裝置中包括的密封件的剖視圖。除了基底110、密封件410和包封基底350之外，圖20和圖21中示出的oled裝置可以具有與參照?qǐng)D1、圖2、圖3和圖4描述的oled裝置100的構(gòu)造基本相同或相似的構(gòu)造。在圖20和圖21中，可以不再重復(fù)對(duì)與參照?qǐng)D1、圖2、圖3和圖4描述的元件基本相同或相似的元件的詳細(xì)描述。

參照?qǐng)D20和圖21，oled裝置可以包括基底110、反射結(jié)構(gòu)380、緩沖層115、半導(dǎo)體元件250、平坦化層270、子像素結(jié)構(gòu)300、像素限定層310、密封件410和包封基底350。這里，半導(dǎo)體元件250可以包括有源層130、柵極絕緣層150、柵電極170、層間絕緣層190、源電極210和漏電極230。子像素結(jié)構(gòu)300可以包括下電極290、發(fā)光層330和上電極340。另外，反射結(jié)構(gòu)380可以包括多個(gè)第一反射圖案382、多個(gè)第二反射圖案384和多個(gè)連接圖案180。

基底110可以由透明材料形成。在示例實(shí)施例中，基底110可以包括石英基底、人造石英基底、氟化鈣基底、摻氟石英基底、鈉鈣玻璃基底、無(wú)堿玻璃基底等。

包封基底350可以設(shè)置在上電極340上。包封基底350和基底110可以具有相同的材料。例如，包封基底350可以包括石英基底、人造石英基底、氟化鈣基底、摻氟石英基底、鈉鈣玻璃基底、無(wú)堿玻璃基底等。

如圖21所示，顯示面板400可以設(shè)置在基底110與包封基底350之間。例如，顯示面板400可以包括設(shè)置在基底110上的反射結(jié)構(gòu)380、緩沖層115、多個(gè)半導(dǎo)體元件250、平坦化層270、多個(gè)子像素結(jié)構(gòu)300和像素限定層310。

密封件410可以置于基底110與包封基底350之間，并且可以設(shè)置在基底110和包封基底350的外區(qū)域內(nèi)。基底110和包封基底350的設(shè)置有密封件410的外區(qū)域可以總體上對(duì)應(yīng)于基底110和包封基底350的邊界區(qū)域。在一些情況下，基底110和/或包封基底350的小的邊緣部分可以延伸到基底110和/或包封基底350的外區(qū)域之外?？梢詧?zhí)行包封工藝以將基底110和包封基底350結(jié)合。在這種情況下，密封件410可以置于基底110與包封基底350之間的外區(qū)域中。

密封件可以包括熔料(frit)等。例如，可以通過(guò)激光照射工藝將基底110和包封基底350彼此結(jié)合。這里，激光可以照入密封件410中。在激光照射工藝中，密封件410的相可以從固相變?yōu)橐合唷Ｈ缓?，在預(yù)定的時(shí)間之后，液相的密封件410可以再次被固化為固相。根據(jù)密封件410的相位變化，基底110可以與包封基底350結(jié)合?；?10和包封基底350的密封結(jié)構(gòu)可以保護(hù)oled裝置免受水、潮氣、氧等的滲入。oled裝置不會(huì)被水、潮氣、氧等劣化。

本公開(kāi)可以應(yīng)用于包括有機(jī)發(fā)光顯示(oled)裝置的各種類型和用途的顯示裝置。例如，本公開(kāi)可以應(yīng)用于車用顯示裝置、船用顯示裝置、飛行器用顯示裝置、便攜式通信裝置、用于顯示或用于信息傳輸?shù)娘@示裝置、醫(yī)用顯示裝置等。

上述內(nèi)容是對(duì)示例實(shí)施例的舉例說(shuō)明，不被解釋為示例實(shí)施例的限制。雖然已經(jīng)描述了一些示例實(shí)施例，但是本領(lǐng)域技術(shù)人員將容易理解的是，在實(shí)質(zhì)上不脫離本公開(kāi)的新穎的教導(dǎo)和優(yōu)點(diǎn)的情況下，可對(duì)示例性實(shí)施例做出其他變化和/或修改。因此，所有這樣的變化和/或修改意圖包括在本公開(kāi)的范圍內(nèi)。因此，要理解的是，前述是對(duì)各種示例實(shí)施例的舉例說(shuō)明，且不被解釋為局限于公開(kāi)的特定示例實(shí)施例，對(duì)公開(kāi)的示例實(shí)施例的修改和其他示例實(shí)施例意圖包括在本公開(kāi)的范圍內(nèi)。