技術(shù)特征：

技術(shù)總結(jié)
本公開提供一半導(dǎo)體裝置。上述半導(dǎo)體裝置包括源極/漏極、柵極、形成于上述柵極的側(cè)壁上的柵極間隔物、以及形成于上述源極/漏極上的介電元件。上述柵極間隔物形成于柵極與介電元件之間。形成一凹口于上述介電元件的上表面中。形成介電層于介電元件的上表面及上述凹口之上，使得上述介電層的一部分呈現(xiàn)出下凹的形狀。蝕刻出穿過上述介電層及介電元件的接觸孔。上述接觸孔露出源極/漏極。填充上述接觸孔以形成源極/漏極接點(diǎn)。

技術(shù)研發(fā)人員：林志翰;張哲誠;曾鴻輝
受保護(hù)的技術(shù)使用者：臺灣積體電路制造股份有限公司
技術(shù)研發(fā)日：2016.12.05
技術(shù)公布日：2017.09.15