1.一種具有反射電流阻擋層的LED芯片的制作方法，其特征在于，包括：
提供一襯底，在所述襯底上依次形成發(fā)光結(jié)構(gòu)，其中，所述發(fā)光結(jié)構(gòu)包括依次形成的N型氮化鎵層、有源層、P型氮化鎵層；
對(duì)所述發(fā)光結(jié)構(gòu)進(jìn)行刻蝕，形成貫穿所述P型氮化鎵層和有源層并延伸至所述N型氮化鎵層的第一通孔；
在所述P型氮化鎵層表面依次形成金屬反射層和電流阻擋層；
對(duì)所述金屬反射層和電流阻擋層進(jìn)行刻蝕，形成貫穿所述金屬反射層和電流阻擋層并延伸至所述P型氮化鎵層中的第二通孔；
在所述電流阻擋層表面及第二通孔形成透明導(dǎo)電層，在所述透明導(dǎo)電層表面及第一通孔側(cè)壁形成鈍化層；
對(duì)所述鈍化層和透明導(dǎo)電層進(jìn)行刻蝕，形成在金屬反射層垂直方向上貫穿所述鈍化層和透明導(dǎo)電層的第三通孔，并在所述第一通孔填充金屬形成N型電極，在所述第三通孔填充金屬形成P型電極；
在所述第一襯底背離有源層一側(cè)形成布拉格反射層。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的LED芯片的制作方法，其特征在于，在形成所述金屬反射層后，且形成所述電流阻擋層前，所述制作方法還包括：
將所述襯底放置在氮?dú)猸h(huán)境中進(jìn)行高溫退火，形成良好的歐姆接觸。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的LED芯片的制作方法，其特征在于，在形成所述透明導(dǎo)電層后，且形成所述鈍化層前，所述制作方法還包括：
將所述襯底放置在氮?dú)猸h(huán)境中進(jìn)行高溫退火，形成高致密性、膜層均勻的透明導(dǎo)電層和良好的歐姆接觸。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的LED芯片的制作方法，其特征在于，所述P型電極的面積小于等于所述電流阻擋層的面積。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的LED芯片的制作方法，其特征在于，在形成所述電極后，且形成所布拉格反射層前，所述制作方法還包括：
對(duì)所述襯底背離所述有源層一側(cè)進(jìn)行研磨、拋光減薄。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的LED芯片的制作方法，其特征在于，采用電子束蒸發(fā)或磁控濺射的工藝在所述襯底背離有源層一側(cè)形成所述布拉格反射層。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的LED芯片的制作方法，其特征在于，所述布拉格反射層具有高鈍化性能和高反射性能。
8.一種具有反射電流阻擋層的LED芯片，其特征在于，所述具有反射電流阻擋層的LED芯片采用權(quán)利要求1~7中任意一項(xiàng)所述的制作方法制作而成。