本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體制造技術(shù)領(lǐng)域，特別是涉及一種閃存結(jié)構(gòu)及其制作方法。

背景技術(shù)：

閃存以其便捷、存儲密度高、可靠性好等優(yōu)點成為非揮發(fā)性存儲器中研究的熱點。閃存結(jié)構(gòu)中通常包括用于存儲數(shù)據(jù)的存儲單元(Memory cell)，存儲單元包括柵極結(jié)構(gòu)和位于柵極結(jié)構(gòu)兩側(cè)的源極和漏極。

但是傳統(tǒng)的閃存結(jié)構(gòu)的源極制作方法為在形成柵極結(jié)構(gòu)后，采用自對準(zhǔn)源極(SAS)法用光罩去定義源極的區(qū)域、刻蝕、離子注入形成源極，然而，通過該方法會對柵極結(jié)構(gòu)造成一定的不良影響，進而降低整個閃存結(jié)構(gòu)的性能。

因此，針對現(xiàn)有技術(shù)存在的問題，需要提出一種新的閃存結(jié)構(gòu)及其制作方法。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題是提供一種閃存結(jié)構(gòu)及其制作方法，提高閃存結(jié)構(gòu)的性能，降低生產(chǎn)成本，提高競爭力。

為解決上述技術(shù)問題及相關(guān)問題，本發(fā)明提供的一種閃存結(jié)構(gòu)的制作方法包括如下步驟：

提供一基底，所述基底中定義有有源區(qū)，所述有源區(qū)包括第一有源區(qū)和第二有源區(qū)，所述第一有源區(qū)和第二有源區(qū)相互垂直分布；

在所述基底上形成柵極結(jié)構(gòu)，所述柵極結(jié)構(gòu)位于所述第二有源區(qū)平行的兩側(cè)，且覆蓋部分所述第一有源區(qū)；

以所述柵極結(jié)構(gòu)為掩膜，對所述基底執(zhí)行離子注入工藝，在所述柵極結(jié)構(gòu)的一側(cè)且位于所述有源區(qū)中形成源極。

進一步的，在所述閃存結(jié)構(gòu)的制作方法中，在對所述基底執(zhí)行離子注入工藝時，還包括在所述柵極結(jié)構(gòu)的另一側(cè)且在所述第一有源區(qū)中形成漏極。

進一步的，在所述閃存結(jié)構(gòu)的制作方法中，在所述基底中還包括隔離結(jié)構(gòu)，所述第一有源區(qū)和第二有源區(qū)均被所述隔離結(jié)構(gòu)相隔離。

可選的，在所述閃存結(jié)構(gòu)的制作方法中，所述隔離結(jié)構(gòu)為淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)。

可選的，所述基底中定義有有源區(qū)的具體步驟包括：在所述基底上自下至上依次沉積第一介質(zhì)層、掩膜層和光刻膠層；在所述光刻膠層中形成開口，所述開口具有界定出所述有源區(qū)的淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)對應(yīng)的形狀；刻蝕所述開口，以形成貫穿所述掩膜層、第一介質(zhì)層直至所述基底中的所述淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)，所述淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)將所述有源區(qū)分為第一有源區(qū)和第二有源區(qū)，所述第一有源區(qū)和第二有源區(qū)相互垂直分布。

進一步的，在所述閃存結(jié)構(gòu)的制作方法中，所述開口呈網(wǎng)格狀分布。

進一步的，在形成所述淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)后，在形成所述柵極結(jié)構(gòu)之前，還包括去除多余的所述光刻膠層、所述掩膜層和所述第一介質(zhì)層；以及在所述淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)中填充滿第二介質(zhì)層。

進一步的，所述制作方法還包括在所述第二有源區(qū)中的所述源極之上形成源極線，所述源極線電連接所有的所述源極；在所述漏極之上形成接觸孔，所述接觸孔電連接所述漏極。

可選的，在所述閃存結(jié)構(gòu)的制作方法中，所述基底為P型硅襯底。

進一步的，在所述閃存結(jié)構(gòu)的制作方法中，所述源極和漏極的摻雜類型為N型。

進一步的，在所述基底上形成所述柵極結(jié)構(gòu)的步驟包括在所述基底上依次自下至上沉積一浮柵層、柵間介質(zhì)層和控制柵層。

可選的，在所述閃存結(jié)構(gòu)的制作方法中，所述浮柵層和控制柵層均為多晶硅層。

根據(jù)本發(fā)明的另一面，本發(fā)明還提供一種閃存結(jié)構(gòu)，包括：

一基底，所述基底中定義有有源區(qū)，所述有源區(qū)包括第一有源區(qū)和第二有源區(qū)，所述第一有源區(qū)和第二有源區(qū)相互垂直分布；

一柵極結(jié)構(gòu)，所述柵極結(jié)構(gòu)位于所述基底之上，且位于所述第二有源區(qū)平行的兩側(cè)，且覆蓋部分所述第一有源區(qū)；

一源極，所述源極位于所述柵極結(jié)構(gòu)的一側(cè)且位于所述有源區(qū)中。

進一步的，所述閃存結(jié)構(gòu)還包括漏極，所述漏極位于所述柵極結(jié)構(gòu)的另一側(cè)且位于所述第一有源區(qū)中。

進一步的，在所述閃存結(jié)構(gòu)中，所述柵極結(jié)構(gòu)包括一沉積于所述基底上的浮柵層、一位于所述浮柵層上的控制柵層，以及在所述浮柵層和控制柵層之間的柵間介質(zhì)層。

進一步的，所述閃存結(jié)構(gòu)還包括隔離結(jié)構(gòu)，所述隔離結(jié)構(gòu)位于所述基底中，所述第一有源區(qū)和第二有源區(qū)均被所述隔離結(jié)構(gòu)相隔離。

可選的，在所述閃存結(jié)構(gòu)中，所述隔離結(jié)構(gòu)為淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)。

進一步的，所述閃存結(jié)構(gòu)還包括源極線和接觸孔，所述源極線位于所述第二有源區(qū)的源極之上，所述源極線電連接所有的所述源極；所述接觸孔位于所述漏極之上，所述接觸孔電連接所述漏極。

可選的，在所述閃存結(jié)構(gòu)中，所述基底為P型硅襯底。

與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明具有以下有益效果：

本發(fā)明的閃存結(jié)構(gòu)的制作方法在所述基底中定義有有源區(qū)，所述有源區(qū)包括第一有源區(qū)和第二有源區(qū)，所述第一有源區(qū)和第二有源區(qū)相互垂直分布；在所述基底上形成柵極結(jié)構(gòu)，所述柵極結(jié)構(gòu)位于所述第二有源區(qū)平行的兩側(cè)，且覆蓋部分所述第一有源區(qū)；以所述柵極結(jié)構(gòu)為掩膜，對所述基底執(zhí)行離子注入工藝，在所述柵極結(jié)構(gòu)的一側(cè)且在所述有源區(qū)中形成源極。通過該制作方法形成閃存結(jié)構(gòu)中的源極，相當(dāng)于，所述基底中定義有有源區(qū)的步驟中，就已經(jīng)將源極的區(qū)域定義出來了，可以省去現(xiàn)有技術(shù)中，在形成柵極結(jié)構(gòu)后，采用SAS工藝再去定義源極的區(qū)域的相關(guān)工藝，可以減少一道光罩工藝，而且，還可以避免因該光罩工藝對柵極結(jié)構(gòu)造成的不良影響。因此，本發(fā)明通過上述制作方法形成的閃存結(jié)構(gòu)可以提高其性能，降低生產(chǎn)成本，提高競爭力。

附圖說明

圖1至圖5為發(fā)明人所述熟知的閃存結(jié)構(gòu)的制作方法所對應(yīng)的結(jié)構(gòu)俯視圖和剖面結(jié)構(gòu)圖；

圖6為本發(fā)明實施例中所述閃存結(jié)構(gòu)的制作方法的流程圖；

圖7至圖11為本發(fā)明實施例中所述閃存結(jié)構(gòu)的制作方法所對應(yīng)的結(jié)構(gòu)俯視圖和剖面結(jié)構(gòu)圖。

具體實施方式

請參閱圖1至圖5，為發(fā)明人所熟知的傳統(tǒng)的閃存結(jié)構(gòu)的制作方法中的俯視圖和剖面結(jié)構(gòu)圖，所述閃存結(jié)構(gòu)的制作方法包括：提供一基底10；在所述基底10中形成有有源區(qū)A和淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)(STI)B，所述有源區(qū)A之間被所述淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)B相隔離，在所述淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)B中填充滿二氧化硅；然后，在所述基底10上形成柵極結(jié)構(gòu)，所述柵極結(jié)構(gòu)包括依次沉積在所述基底10上的浮柵層11、堆疊在所述浮柵層11上面的控制柵層13、以及在所述控制柵層13和所述浮柵層11之間設(shè)有ONO(氧化物-氮化物-氧化物)層12，如圖1和2所示；接著，采用自對準(zhǔn)源極工藝(SAS)形成源極14，如圖2至圖4所示。

具體的，自對準(zhǔn)源極工藝(SAS)包括：首先，需要利用光罩定義出所述源極14的區(qū)域，所述源極14的區(qū)域位于所述柵極結(jié)構(gòu)的一側(cè)，如圖2所示，為圖1沿x1x2方向上的剖面結(jié)構(gòu)圖，在定義所述源極14的區(qū)域時，需要將部分所述淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)B中的二氧化硅刻蝕掉，以漏出所述基底10(其俯視圖如圖3所示)，便于后續(xù)離子注入工藝形成所述源極14，如圖4所示。

在傳統(tǒng)的閃存結(jié)構(gòu)制作方法中，在形成完所述源極14后，在所述柵極結(jié)構(gòu)的另一側(cè)且位于所述有源區(qū)A中通過離子注入工藝形成漏極15，如圖5所示。

發(fā)明人發(fā)現(xiàn)在上述SAS過程中，如圖2所示，所述控制柵13的頂部會變得不平整，進而影響整個閃存結(jié)構(gòu)的性能，特別是在更小尺寸的器件中，上述現(xiàn)象更加嚴(yán)重。

因此，發(fā)明人基于上述發(fā)現(xiàn)和研究，提供一種閃存結(jié)構(gòu)的制作方法，所述制作方法的步驟包括：

S1、提供一基底，所述基底中定義有有源區(qū)，所述有源區(qū)包括第一有源區(qū)和第二有源區(qū)，所述第一有源區(qū)和第二有源區(qū)相互垂直分布；

S2、在所述基底上形成柵極結(jié)構(gòu)，所述柵極結(jié)構(gòu)位于所述第二有源區(qū)平行的兩側(cè)，且覆蓋部分所述第一有源區(qū)；

S3、以所述柵極結(jié)構(gòu)為掩膜，對所述基底執(zhí)行離子注入工藝，在所述柵極結(jié)構(gòu)的一側(cè)且在所述有源區(qū)中形成源極。

相應(yīng)的，根據(jù)本發(fā)明的另一面，本發(fā)明還提供一種閃存結(jié)構(gòu)，包括：

一基底，所述基底中定義有有源區(qū)，所述有源區(qū)包括第一有源區(qū)和第二有源區(qū)，所述第一有源區(qū)和第二有源區(qū)相互垂直分布；

一柵極結(jié)構(gòu)，所述柵極結(jié)構(gòu)位于所述基底之上，且位于所述第二有源區(qū)平行的兩側(cè)，且覆蓋部分所述第一有源區(qū)；

一源極，所述源極位于所述柵極結(jié)構(gòu)的一側(cè)且位于所述有源區(qū)中。

本發(fā)明的閃存結(jié)構(gòu)的制作方法在所述基底中定義有有源區(qū)，所述有源區(qū)包括第一有源區(qū)和第二有源區(qū)，所述第一有源區(qū)和第二有源區(qū)相互垂直分布；在所述基底上形成柵極結(jié)構(gòu)，所述柵極結(jié)構(gòu)位于所述第二有源區(qū)平行的兩側(cè)，且覆蓋部分所述第一有源區(qū)；以所述柵極結(jié)構(gòu)為掩膜，對所述基底執(zhí)行離子注入工藝，在所述柵極結(jié)構(gòu)的一側(cè)且在所述有源區(qū)中形成源極。通過該制作方法形成閃存結(jié)構(gòu)中的源極，相當(dāng)于，所述基底中定義有有源區(qū)的步驟中，就已經(jīng)將源極的區(qū)域定義出來了，可以省去現(xiàn)有技術(shù)中，在形成柵極結(jié)構(gòu)后，采用SAS工藝再去定義源極的區(qū)域的相關(guān)工藝，可以減少一道光罩工藝，而且，還可以避免因該光罩工藝對柵極結(jié)構(gòu)造成的不良影響。因此，本發(fā)明通過上述制作方法形成的閃存結(jié)構(gòu)可以提高其性能，降低生產(chǎn)成本，提高競爭力。

下面將結(jié)合流程圖和示意圖對本發(fā)明的一種閃存結(jié)構(gòu)及其制作方法進行更詳細(xì)的描述，其中表示了本發(fā)明的優(yōu)選實施例，應(yīng)該理解本領(lǐng)域技術(shù)人員可以修改在此描述的本發(fā)明，而仍然實現(xiàn)本發(fā)明的有利效果。因此，下列描述應(yīng)當(dāng)被理解為對于本領(lǐng)域技術(shù)人員的廣泛知道，而并不作為對本發(fā)明的限制。

在下列段落中參照附圖以舉例方式更具體地描述本發(fā)明。根據(jù)下面說明和權(quán)利要求書，本發(fā)明的優(yōu)點和特征將更清楚。需說明的是，附圖均采用非常簡化的形式且均使用非精準(zhǔn)的比例，僅用以方便、明晰地輔助說明本發(fā)明實施例的目的。

以下例舉閃存結(jié)構(gòu)及其制作方法的的實施例，詳細(xì)介紹本發(fā)明的一種閃存結(jié)構(gòu)及其制作方法的內(nèi)容，應(yīng)當(dāng)明確的是，本發(fā)明的內(nèi)容并不限制于以下實施例，其他通過本領(lǐng)域普通技術(shù)人員的常規(guī)技術(shù)手段的改進亦在本發(fā)明的思想范圍之內(nèi)。

請參閱圖6至圖11，其中，圖6為本實施例中所述閃存結(jié)構(gòu)的制作方法的流程圖，圖7至圖11為所述制作方法中相應(yīng)步驟對應(yīng)的俯視圖和剖面結(jié)構(gòu)圖。所述閃存結(jié)構(gòu)的制作方法包括如下步驟：

步驟S1，提供一基底20，所述基底20中定義有有源區(qū)，所述有源區(qū)包括第一有源區(qū)A1和第二有源區(qū)A2，所述第一有源區(qū)A1和第二有源區(qū)A2相互垂直分布。所述基底20可以為硅襯底，也可以為Ge襯底、SiGe襯底、SiC襯底、SOI(絕緣體上硅，Silicon On Insulator)襯底或GOI(絕緣體上鍺，Germanium On Insulator)襯底等，還可以為包括其他元素半導(dǎo)體或化合物半導(dǎo)體的襯底，例如玻璃襯底或III-V族化合物襯底(例如氮化鎵襯底或砷化鎵襯底等)，還可以為疊層結(jié)構(gòu)，例如Si/SiGe等，還可以為其他外延結(jié)構(gòu)，例如SGOI(絕緣體上鍺硅)等。較佳的，在本實施例中，所述基底20為P型硅襯底。

在本實施例中，所述基底20中定義有有源區(qū)的具體步驟如下：首先，在所述基底20上自下至上依次沉積第一介質(zhì)層、掩膜層和光刻膠層；通過具有一定掩膜圖案的掩膜版進行曝光、顯影后，在所述光刻膠層中形成特定的開口。較佳的，所述掩膜圖案為網(wǎng)格狀，形成的開口呈網(wǎng)格狀分布。這樣，再通過刻蝕工藝，就可以形成貫穿所述掩膜層、第一介質(zhì)層直至所述基底20中的淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)B1，如圖7所示，所述淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)B1將所述基底20分為沿Y軸方向相互平行的第一有源區(qū)A1和沿X軸方向相互平行的第二有源區(qū)A2，X軸與Y軸相互垂直(即得到在所述基底20中的所述第一有源區(qū)A1和第二有源區(qū)A2相互垂直分布)。顯然，在其他實施例中，在所述基底20中還可以為其他的隔離結(jié)構(gòu)。

該步驟S1是整個閃存結(jié)構(gòu)的制作方法的關(guān)鍵所在，正是因為通過網(wǎng)格狀的掩膜圖案形成了網(wǎng)格狀分布的所述淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)B1，所述有源區(qū)不僅僅只有Y軸方向上平行的第一有源區(qū)A1，還定義出了在X軸方向上平行的第二有源區(qū)A2，則在形成完后續(xù)柵極結(jié)構(gòu)后，可以以所述柵極結(jié)構(gòu)為掩膜，對所述基底20執(zhí)行離子注入工藝，以形成后續(xù)的源極和漏極。

當(dāng)然，在實際工藝中，在形成完所述淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)B1后，會去除所述光刻膠層、所述掩膜層和所述第一介質(zhì)層；然后，在形成柵極結(jié)構(gòu)之前，還會用第二介質(zhì)層填充滿所述淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)B1，以實現(xiàn)電隔離作用，所述第一介質(zhì)層和第二介質(zhì)層的材料均可以為但不限于二氧化硅。這些都是本領(lǐng)域技術(shù)人員知曉的，在此不做贅述。

步驟S2，在所述基底20上形成柵極結(jié)構(gòu)，所述柵極結(jié)構(gòu)位于所述第二有源區(qū)A2平行的兩側(cè)，且覆蓋部分所述第一有源區(qū)A1和淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)B1，如圖8和圖9所示。在本實施例中，所述柵極結(jié)構(gòu)包括依次沉積在所述基底20上的浮柵層21、堆疊在所述浮柵層21上的控制柵層23，通常，在所述浮柵層21和所述基底20之間還包括一遂穿氧化物層(圖9中示意圖省略)；在所述浮柵層21和所述控制柵層23之間還包括一柵間介質(zhì)層(如ONO隔離層)22，所述浮柵層21和所述控制柵層23均為多晶硅層。本實施例的所述柵極結(jié)構(gòu)可以但不限于上述結(jié)構(gòu)，因所述柵極結(jié)構(gòu)不是本發(fā)明改進的重點，因此，在此不做贅述。

步驟S3，以所述柵極結(jié)構(gòu)為掩膜，對所述基底20執(zhí)行離子注入工藝，在所述柵極結(jié)構(gòu)的一側(cè)且位于所述有源區(qū)(第一有源區(qū)A1和第二有源區(qū)A2)中形成源極24。較佳的，在完成步驟S2后，如圖9和圖10所示(其中，圖9為圖8沿y1y2方向上的剖面結(jié)構(gòu)圖)，以所述柵極結(jié)構(gòu)為掩膜，對所述基底20進行離子注入工藝，在所述柵極結(jié)構(gòu)的一側(cè)且位于所述有源區(qū)(第一有源區(qū)A1和第二有源區(qū)A2)中得到源極24；同時，在所述柵極結(jié)構(gòu)的另一側(cè)且位于所述第一有源區(qū)A1中得到漏極25。相應(yīng)的，本實施例中，在所述源極24和所述漏極25中摻雜的類型為N型。其中，當(dāng)然，為了提高器件的性能，減小器件的短溝道效應(yīng)，常用的，所述離子注入工藝包括兩次離子注入工藝，第一次離子注入工藝的注入深度小于第二次離子注入工藝的注入深度，例如：首先，對所述基底20進行第一離子注入工藝為淺摻雜工藝(輕摻雜工藝)，在所述有源區(qū)中形成淺摻雜工藝區(qū)域；接著，對所述基底進行第二離子注入工藝為深摻雜工藝(重?fù)诫s工藝)，以形成所需的源極24和/或漏極25；并且，由于該制作方法中所述源極24的制作工藝與現(xiàn)有技術(shù)的不同，因此，所述離子注入工藝相比現(xiàn)有技術(shù)在摻雜濃度或者其他摻雜條件上也是有些差異的，這些差異可以依據(jù)器件的需求以及反復(fù)的實驗得到相應(yīng)的最佳條件。這些都屬本領(lǐng)域普通技術(shù)人員所知曉的。

這樣，相比現(xiàn)有技術(shù)，本實施例的上述制作方法在形成柵極結(jié)構(gòu)之前，在所述基底20中定義有源區(qū)的時候就已經(jīng)將所述源極24的區(qū)域定義出來了，不需要再采用SAS工藝，可以減少一道光罩工藝，還可以避免因該光罩工藝對柵極結(jié)構(gòu)造成的不良影響。另外，通過上述制作方法，所述源極24和所述漏極25還可以在同一步驟中完成。因此，本實施例通過上述制作方法形成的閃存結(jié)構(gòu)可以提高其性能，降低生產(chǎn)成本，提高競爭力。

此外，在上述閃存結(jié)構(gòu)的制作方法中，后續(xù)還包括SAB(金屬硅化物)工藝，以及形成電連接所有的所述源極24的源極線26、形成電連接所述漏極25的接觸孔27等相關(guān)工藝，所述源極線26位于所述第二有源區(qū)A2之上，如圖11所示，這些都是制作閃存結(jié)構(gòu)中常用的技術(shù)方法和手段，在此不一一描述。

因此，通過上述制作方法，形成的閃存結(jié)構(gòu)包括：一基底20，所述基底20中定義有有源區(qū)，所述有源區(qū)包括第一有源區(qū)A1和第二有源區(qū)A2，所述第一有源區(qū)A1和第二有源區(qū)A2相互垂直分布；一柵極結(jié)構(gòu)，所述柵極結(jié)構(gòu)位于所述基底20之上，且位于所述第二有源區(qū)A2平行的兩側(cè)，且覆蓋部分所述第一有源區(qū)A1；一源極24，所述源極24位于所述柵極結(jié)構(gòu)的一側(cè)且位于所述有源區(qū)(第一有源區(qū)A1和第二有源區(qū)A2)中。顯然，在本實施例中，所述閃存結(jié)構(gòu)還包括位于所述基底20中的淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)B1；一漏極25，所述漏極25位于所述柵極結(jié)構(gòu)的另一側(cè)且位于所述第一有源區(qū)A1中，所述漏極25通過所述接觸孔27電連接；所有的所述源極24通過所述源極線26電連接。

綜上，本發(fā)明的閃存結(jié)構(gòu)的制作方法在所述基底中定義有有源區(qū)，所述有源區(qū)包括第一有源區(qū)和第二有源區(qū)，所述第一有源區(qū)和第二有源區(qū)相互垂直分布；在所述基底上形成柵極結(jié)構(gòu)，所述柵極結(jié)構(gòu)位于所述第二有源區(qū)平行的兩側(cè)，且覆蓋部分所述第一有源區(qū)；以所述柵極結(jié)構(gòu)為掩膜，對所述基底執(zhí)行離子注入工藝，在所述柵極結(jié)構(gòu)的一側(cè)且在所述有源區(qū)中形成源極。通過該制作方法形成閃存結(jié)構(gòu)中的源極，相當(dāng)于，所述基底中定義有有源區(qū)的步驟中，就已經(jīng)將源極的區(qū)域定義出來了，可以省去現(xiàn)有技術(shù)中，在形成柵極結(jié)構(gòu)后，采用SAS工藝再去定義源極的區(qū)域的相關(guān)工藝，可以減少一道光罩工藝，而且，還可以避免因該光罩工藝對柵極結(jié)構(gòu)造成的不良影響。因此，本發(fā)明通過上述制作方法形成的閃存結(jié)構(gòu)可以提高其性能，降低生產(chǎn)成本，提高競爭力。

此外，需要說明的是，除非特別說明或者指出，否則說明書中的術(shù)語“第一”和“第二”等描述僅僅用于區(qū)分說明書中的各個組件、元素、步驟等，而不是用于表示各個組件、元素、步驟之間的邏輯關(guān)系或者順序關(guān)系等。

可以理解的是，雖然本發(fā)明已以較佳實施例披露如上，然而上述實施例并非用以限定本發(fā)明。對于任何熟悉本領(lǐng)域的技術(shù)人員而言，在不脫離本發(fā)明技術(shù)方案范圍情況下，都可利用上述揭示的技術(shù)內(nèi)容對本發(fā)明技術(shù)方案作出許多可能的變動和修飾，或修改為等同變化的等效實施例。因此，凡是未脫離本發(fā)明技術(shù)方案的內(nèi)容，依據(jù)本發(fā)明的技術(shù)實質(zhì)對以上實施例所做的任何簡單修改、等同變化及修飾，均仍屬于本發(fā)明技術(shù)方案保護的范圍內(nèi)。