1.一種太陽能電池制備方法，其特征在于，包括：
步驟S1：制備等離子反應(yīng)刻蝕RIE硅片；
步驟S2：在所述等離子反應(yīng)刻蝕RIE硅片表面進(jìn)行PN結(jié)擴(kuò)散，形成PN結(jié)擴(kuò)散層，在所述PN結(jié)擴(kuò)散層的表面印刷副柵圖案；
步驟S3：覆蓋所述副柵圖案蒸鍍減反射膜，在所述等離子反應(yīng)刻蝕RIE硅片的背面制備背電極；
步驟S4：在所述減反射膜上印刷主柵圖案，所述主柵圖案中的主柵線與所述副柵圖案中的副柵線相互垂直，進(jìn)行燒結(jié)后形成太陽能電池。
2.如權(quán)利要求1所述的太陽能電池制備方法，其特征在于，所述步驟S1中，所述制備等離子反應(yīng)刻蝕RIE硅片包括：
對選取的硅片進(jìn)行清洗制絨，形成第一絨面層；
在所述第一絨面層上進(jìn)行反應(yīng)離子刻蝕，形成第二絨面層，得到等離子反應(yīng)刻蝕RIE硅片。
3.如權(quán)利要求2所述的太陽能電池制備方法，其特征在于，所述步驟S1中，所述制備等離子反應(yīng)刻蝕RIE硅片之后，還包括：
對所述等離子反應(yīng)刻蝕RIE硅片進(jìn)行刻蝕清洗從而去除邊緣磷硅玻璃以及碎屑。
4.如權(quán)利要求3所述的太陽能電池制備方法，其特征在于，所述步驟S2中，在所述等離子反應(yīng)刻蝕RIE硅片表面進(jìn)行PN結(jié)擴(kuò)散之前，還包括：
對所述等離子反應(yīng)刻蝕RIE硅片依次進(jìn)行HF酸洗、ID水洗以及KOH堿洗。
5.一種太陽能電池，其特征在于，包括等離子反應(yīng)刻蝕RIE硅片，以及在所述等離子反應(yīng)刻蝕RIE硅片的正面依次設(shè)置的PN結(jié)擴(kuò)散層、副柵圖案、減反射膜以及主柵圖案，所述主柵圖案中的主柵線與所述副柵圖案中的副柵線相互垂直。
6.如權(quán)利要求5所述的太陽能電池，其特征在于，所述等離子反應(yīng)刻蝕RIE硅片為正表面依次設(shè)置的第一絨面層以及第二絨面層的硅片。
7.如權(quán)利要求6所述的太陽能電池，其特征在于，所述硅片為金剛線切割多晶硅片。
8.如權(quán)利要求7所述的太陽能電池，其特征在于，所述金剛線切割多晶硅片的厚度范圍為168nm～212nm范圍，面積范圍為150mm*150mm～160mm*160mm。
9.如權(quán)利要求8所述的太陽能電池，其特征在于，所述減反射膜為SixNy減反射膜，所述SixNy減反射膜的膜厚范圍為75～85nm，折射率范圍為2.05～2.15。
10.如權(quán)利要求9所述的太陽能電池，其特征在于，所述主柵線的條數(shù)范圍為2～6根，所述副柵線的條數(shù)范圍為90～120根。