技術(shù)總結(jié)
本公開涉及存儲器裝置。一種氧化物基直接存取阻變式存儲型非易失存儲器，其在集成電路的互連部內(nèi)包括存儲平面，存儲平面包括在垂直的第一和第二方向(X，Y)上延伸的電容性存儲單元(CEL)且每個(gè)存儲單元(CEL)均包括第一電極(BE)、電介質(zhì)區(qū)(MOX)和第二電極(TE)。存儲平面(PM)包括：形成所述第一電極的正方形或矩形的導(dǎo)電焊墊；所述電介質(zhì)層(MOX)和第二導(dǎo)電層(CC2)的所述堆疊結(jié)構(gòu)，所述堆疊結(jié)構(gòu)在第一方向(X)上覆蓋所述焊墊，且在第二方向(Y)上形成在所述焊墊之上和之間延伸的導(dǎo)電條帶(BDY)；第二電極(TE)由面對所述焊墊的所述第二條帶(BDY)的區(qū)域形成。

技術(shù)研發(fā)人員：P·波伊文
受保護(hù)的技術(shù)使用者：意法半導(dǎo)體（魯塞）公司
文檔號碼：201621458476
技術(shù)研發(fā)日：2016.11.23
技術(shù)公布日：2017.10.03