1.一種等離子刻蝕設(shè)備，包括反應(yīng)腔室(1)，反應(yīng)腔室內(nèi)設(shè)置相對平行放置的正電極板(2)和負電極板(3)，反應(yīng)腔室左側(cè)設(shè)置有氣體入口(4)，反應(yīng)腔室右下側(cè)處設(shè)置有氣體出口(5)，掩膜版(6)；其特征在于：所述負電極板(3)設(shè)置于反應(yīng)腔室(1)的上方，所述負電極板(3)和掩膜版(6)相互連接，掩膜版(6)位于負電極板(3)的下方，掩膜版(6)的版面朝下；所述正電極板(2)設(shè)置于反應(yīng)腔室(1)的下方并與掩膜版(6)相對。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的等離子刻蝕設(shè)備，其特征在于：所述負電極板(3)上設(shè)置有氣孔(8)，真空通過負電極板(3)上的氣孔(8)把負電極板(3)和掩膜版(6)吸附連接在一起。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的等離子刻蝕設(shè)備，其特征在于：所述正電極板(2)的板面下側(cè)面連接有導(dǎo)線，導(dǎo)線通過反應(yīng)腔室接地。
4.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的等離子刻蝕設(shè)備，其特征在于：所述負電極板(3)的板面上側(cè)面連接有導(dǎo)線，導(dǎo)線與射頻電源(7)連接。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的等離子刻蝕設(shè)備，其特征在于：所述負電極板(3)和掩膜版(6)通過機械連接方式連接在一起。