技術(shù)特征：

技術(shù)總結(jié)
提供一種確?？煽啃郧揖哂休^高的光取出效率的發(fā)光元件。發(fā)光元件具有：半導(dǎo)體層積體、設(shè)置在半導(dǎo)體層積體的上表面的一部分的上部電極、設(shè)置在半導(dǎo)體層積體的下表面中從上部電極的正下方區(qū)域離開的區(qū)域的具有光反射性的下部電極、與上部電極的表面和半導(dǎo)體層積體的上表面連續(xù)而設(shè)置的保護(hù)膜，在下部電極的正上方區(qū)域設(shè)置的保護(hù)膜的厚度比與上部電極的表面和設(shè)有上部電極的區(qū)域的附近區(qū)域的半導(dǎo)體層積體的上表面連續(xù)而設(shè)置的保護(hù)膜的厚度薄。

技術(shù)研發(fā)人員：山上勇也;森田大介
受保護(hù)的技術(shù)使用者：日亞化學(xué)工業(yè)株式會(huì)社
技術(shù)研發(fā)日：2017.03.15
技術(shù)公布日：2017.09.29