技術總結
本實用新型公開了一種半導體管芯基板，芯管基片上下兩側的劃片槽內均開設有第一對位標記，芯管基片左右兩側的劃片槽內均開設有第二對位標記，第一對位標記包括以3行7列形式設置的第一對位因子，第二對位標記包括以3列8行形式設置的第二對位因子，以小型對位因子組成的對位標記代替現(xiàn)有技術中的大型對位標記，能夠不但能夠提高對位精度，而且能夠縮減劃片槽的寬度，使同樣的硅片基板能夠制造更多的管芯，提高硅片基板的利用率；第一對位標記和第二對位標記不同，能夠進一步提高對位精度，減少出錯幾率。

技術研發(fā)人員：陳昂;劉煒;張曉新;余慶;趙鋁虎;陸輝;葛亞英;周衛(wèi)宏;張洪波
受保護的技術使用者：華越微電子有限公司
文檔號碼：201720251386
技術研發(fā)日：2017.03.15
技術公布日：2017.10.10