1.一種硅碳復(fù)合材料，其特征在于，包括硅碳二次顆粒，所述硅碳二次顆粒包括硅碳一次顆粒和一維導(dǎo)電劑，所述一維導(dǎo)電劑分布于所述硅碳一次顆粒之間。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述硅碳復(fù)合材料，其特征在于，
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述硅碳復(fù)合材料，其特征在于，基于所述硅碳二次顆粒的質(zhì)量計(jì)，所述一維導(dǎo)電劑的質(zhì)量含量為小于等于0.7％，可選為0.3％-0.6％。
4.根據(jù)權(quán)利要求1至3中任一項(xiàng)所述硅碳復(fù)合材料，其特征在于，所述硅碳一次顆粒的粒徑為20nm-100nm，可選為20nm-60nm。
5.根據(jù)權(quán)利要求1至4中任一項(xiàng)所述硅碳復(fù)合材料，其特征在于，所述硅碳一次顆粒包括：
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的硅碳復(fù)合材料，其特征在于，所述多孔碳骨架滿足下述(1)-(2)中的至少一項(xiàng)：
7.根據(jù)權(quán)利要求5或6所述硅碳復(fù)合材料，其特征在于，所述硅碳一次顆粒滿足下述(3)-(4)中的至少一項(xiàng)：
8.根據(jù)權(quán)利要求1至7中任一項(xiàng)所述硅碳復(fù)合材料，其特征在于，所述硅碳二次顆粒滿足下述(5)-(8)中的至少一項(xiàng)：
9.根據(jù)權(quán)利要求1至8中任一項(xiàng)所述的硅碳復(fù)合材料，其特征在于，所述一維導(dǎo)電劑包含碳納米管、碳纖維，可選為碳納米管，更可選為單壁碳納米管。
10.根據(jù)權(quán)利要求1至9中任一項(xiàng)所述的硅碳復(fù)合材料，其特征在于，所述硅碳復(fù)合材料的至少一部分表面上具有碳層。
11.一種硅碳復(fù)合材料的制備方法，其特征在于，包括：
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的制備方法，其特征在于，所述制備方法具體包括：
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的制備方法，其特征在于，所述聚合反應(yīng)的反應(yīng)溫度為60℃-280℃，可選為80℃-250℃；和/或，
14.根據(jù)權(quán)利要求12或13所述的制備方法，其特征在于，所述沉積硅的沉積溫度為400℃-900℃，可選為500℃-650℃；和/或，
15.根據(jù)權(quán)利要求11至14任一項(xiàng)所述的制備方法，其特征在于，所述制備方法還包括制備碳層：在所述硅碳復(fù)合材料的表面進(jìn)行碳包覆處理。
16.一種二次電池，其特征在于，包括負(fù)極極片，所述負(fù)極極片包括權(quán)利要求1至10中任一項(xiàng)所述的硅碳復(fù)合材料或通過(guò)權(quán)利要求11至15中任一項(xiàng)所述的制備方法制備得到的硅碳復(fù)合材料。
17.一種用電裝置，其特征在于，包括權(quán)利要求16所述二次電池。