1.一種制造半導(dǎo)體裝置的方法，包括：
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述半導(dǎo)體層包括碳化硅。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述第一金屬區(qū)域和所述第二金屬區(qū)域同時(shí)形成。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，所述第一退火溫度足以將所述第一金屬區(qū)域和所述第二金屬區(qū)域的至少部分相應(yīng)地轉(zhuǎn)化為第一金屬硅化物區(qū)域和第二金屬硅化物區(qū)域。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的方法，其中，所述第二退火溫度足以使所述第一金屬硅化物區(qū)域與所述半導(dǎo)體層形成肖特基勢(shì)壘結(jié)。
6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的方法，還包括在所述第一退火溫度下對(duì)所述半導(dǎo)體層進(jìn)行退火以形成所述第一金屬硅化物區(qū)域和所述第二金屬硅化物區(qū)域之后，移除所述第一金屬區(qū)域和所述第二金屬區(qū)域的未硅化部分。
7.根據(jù)權(quán)利要求4所述的方法，其中，所述第一金屬硅化物區(qū)域與所述半導(dǎo)體層形成第一肖特基勢(shì)壘結(jié)并且所述第一金屬層與所述半導(dǎo)體層形成第二肖特基勢(shì)壘結(jié)，其中所述第一肖特基勢(shì)壘結(jié)具有第一肖特基勢(shì)壘高度并且所述第二肖特基勢(shì)壘結(jié)具有小于所述第一肖特基勢(shì)壘高度的第二肖特基勢(shì)壘高度。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法，其中，所述第一肖特基勢(shì)壘高度比所述第二肖特基勢(shì)壘高度大至少約0.5ev。
9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法，其中，所述第一肖特基勢(shì)壘高度為約1.6ev或更大，并且所述第二肖特基勢(shì)壘高度為約1.2ev或更小。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述半導(dǎo)體層的所述第一區(qū)域?qū)?yīng)于所述半導(dǎo)體裝置的有源區(qū)域，并且所述半導(dǎo)體層的所述第二區(qū)域?qū)?yīng)于所述半導(dǎo)體裝置的邊緣終止區(qū)域。
11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述第一退火溫度為從約600℃至約700℃，并且所述第二退火溫度為從約850℃至約900℃。
12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述半導(dǎo)體層包括襯底和在所述襯底上的外延層，所述方法還包括：
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的方法，其中，所述第一金屬區(qū)域和所述第二金屬層同時(shí)形成。
14.根據(jù)權(quán)利要求12所述的方法，其中，在所述第二退火溫度下對(duì)所述半導(dǎo)體層進(jìn)行退火包括在所述第二退火溫度下對(duì)包括所述第一金屬區(qū)域的所述半導(dǎo)體層和所述第二金屬層進(jìn)行退火。
15.根據(jù)權(quán)利要求13所述的方法，其中，所述第二退火溫度足以使所述第一金屬區(qū)域與所述半導(dǎo)體層形成肖特基勢(shì)壘接觸并且足以使所述第二金屬層與所述半導(dǎo)體層的摻雜區(qū)域形成歐姆接觸。
16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的方法，其中，所述第二退火溫度為從約850℃至約900℃。
17.根據(jù)權(quán)利要求13所述的方法，其中，所述半導(dǎo)體層包括在半導(dǎo)體襯底的前表面上的外延半導(dǎo)體層，并且其中所述第二金屬層形成在所述外延半導(dǎo)體層上。
18.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述第一金屬包括鎳、鈦、鉬和/或鎢，并且其中第二金屬包括鈦或氮化鈦。
19.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述半導(dǎo)體層包括碳化硅。
20.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，還包括：
21.根據(jù)權(quán)利要求20所述的方法，還包括：
22.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，還包括：
23.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，在所述半導(dǎo)體層上形成所述第一金屬區(qū)域和所述第二金屬區(qū)域包括：
24.一種半導(dǎo)體裝置，包括：
25.根據(jù)權(quán)利要求24所述的半導(dǎo)體裝置，其中，所述半導(dǎo)體層包括碳化硅。
26.根據(jù)權(quán)利要求24所述的半導(dǎo)體裝置，其中，所述第一金屬區(qū)域包括第一金屬硅化物區(qū)域并且所述第二金屬區(qū)域包括第二金屬硅化物區(qū)域。
27.根據(jù)權(quán)利要求26所述的半導(dǎo)體裝置，其中，所述第一金屬硅化物區(qū)域在所述半導(dǎo)體層的所述第一區(qū)域中與所述半導(dǎo)體層形成第一肖特基勢(shì)壘結(jié)，其中所述第一肖特基勢(shì)壘結(jié)具有第一肖特基勢(shì)壘高度；并且
28.根據(jù)權(quán)利要求27所述的半導(dǎo)體裝置，其中，所述第一肖特基勢(shì)壘高度比所述第二肖特基勢(shì)壘高度大至少約0.5ev。
29.根據(jù)權(quán)利要求27所述的半導(dǎo)體裝置，其中，所述第一肖特基勢(shì)壘高度為約1.6ev或更大，并且所述第二肖特基勢(shì)壘高度為約1.2ev或更小。
30.根據(jù)權(quán)利要求24所述的半導(dǎo)體裝置，其中，所述半導(dǎo)體層包括在襯底上的外延層，所述半導(dǎo)體裝置還包括：
31.根據(jù)權(quán)利要求30所述的半導(dǎo)體裝置，其中，所述第二金屬層與所述襯底形成歐姆接觸。
32.根據(jù)權(quán)利要求24所述的半導(dǎo)體裝置，其中，所述第一金屬包括鎳、鈦、鉬和/或鎢，并且其中第二金屬包括鈦或氮化鈦。
33.根據(jù)權(quán)利要求24所述的半導(dǎo)體裝置，其中，所述半導(dǎo)體層包括碳化硅。
34.根據(jù)權(quán)利要求24所述的半導(dǎo)體裝置，還包括：
35.根據(jù)權(quán)利要求34所述的半導(dǎo)體裝置，還包括：
36.根據(jù)權(quán)利要求24所述的半導(dǎo)體裝置，還包括：