1.一種延時(shí)斷開(kāi)熔體的激勵(lì)熔斷器，其特征在于，包括電子點(diǎn)火裝置、活塞、導(dǎo)電母排、限位柱結(jié)構(gòu)、熔斷器結(jié)構(gòu)；所述熔斷器結(jié)構(gòu)包括熔斷器殼體，及填充在所述熔斷器殼體中的滅弧介質(zhì)，以及穿設(shè)在滅弧介質(zhì)中的熔體，所述熔體的兩端伸出所述熔斷器殼體；
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的激勵(lì)熔斷器，其特征在于，沿所述柱身部周長(zhǎng)方向間隔均勻分布有至少若干所述氣流導(dǎo)向筋或若干所述氣道導(dǎo)向凹槽，在所述柱身部周長(zhǎng)方向形成均分分布的所述氣流通道。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的激勵(lì)熔斷器，其特征在于，在所述第二運(yùn)動(dòng)部中也開(kāi)設(shè)有供所述高壓氣體通過(guò)的所述氣流通道，所述氣流通道一端開(kāi)口位于所述限位部的外側(cè)面，另一端開(kāi)口位于所述柱身部朝向所述限位柱結(jié)構(gòu)的一端端面，當(dāng)所述限位部封閉所述第一運(yùn)動(dòng)部的所述容置通孔朝向所述電子點(diǎn)火裝置的一端時(shí)，同時(shí)封閉所述氣流通道。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的激勵(lì)熔斷器，其特征在于，?在所述第一運(yùn)動(dòng)部朝向所述電子點(diǎn)火裝置方向的所述容置通孔中設(shè)置有限位臺(tái)階；所述第二運(yùn)動(dòng)部的所述限位部設(shè)置在所述限位臺(tái)階上。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的激勵(lì)熔斷器，其特征在于，所述第二運(yùn)動(dòng)部的所述柱身部朝向所述導(dǎo)電母排方向的端面靠近所述第一運(yùn)動(dòng)部的沖擊端設(shè)置，或者，靠近所述第一運(yùn)動(dòng)部中的限位臺(tái)階處設(shè)置。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的激勵(lì)熔斷器，其特征在于，當(dāng)驅(qū)動(dòng)所述熔體切刀位移切斷所述熔體時(shí)，所述熔斷器結(jié)構(gòu)固定設(shè)置，所述熔體切刀與所述導(dǎo)電母排之間設(shè)置有緩沖結(jié)構(gòu)，所述緩沖結(jié)構(gòu)朝向所述導(dǎo)電母排方向的端面所在的腔室可通過(guò)所述氣流通道與所述電子點(diǎn)火裝置高壓氣體釋放一端所在的腔室連通；所述熔體切刀朝向所述緩沖結(jié)構(gòu)方向凸出所述位移通道，且所述熔體切刀支撐所述緩沖結(jié)構(gòu)；所述熔體切刀為一組或至少兩組以上，一組所述熔體切刀對(duì)應(yīng)一組所述位移通道設(shè)置，當(dāng)所述熔體切刀為兩組以上時(shí)，所述熔體切刀凸出所述位移通道的長(zhǎng)度相同或不同；?所述高壓氣體可通過(guò)所述氣流通道驅(qū)動(dòng)所述緩沖結(jié)構(gòu)位移，所述緩沖結(jié)構(gòu)位移驅(qū)動(dòng)所述熔體切刀位移切斷所述熔體，當(dāng)所述熔體切刀為兩組以上時(shí)，所述熔體切刀同時(shí)或先后切斷所述熔體。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的激勵(lì)熔斷器，其特征在于，所述限位柱結(jié)構(gòu)固定設(shè)置于所述緩沖結(jié)構(gòu)朝向所述導(dǎo)電母排的端面一側(cè)，所述限位柱結(jié)構(gòu)中設(shè)置有貫通其兩端的通孔，當(dāng)所述第二運(yùn)動(dòng)部與所述限位柱結(jié)構(gòu)接觸時(shí)，所述氣流通道與所述限位柱結(jié)構(gòu)的通孔連通，使所述緩沖結(jié)構(gòu)朝向所述導(dǎo)電母排的一端所在的空腔與所述電子點(diǎn)火裝置驅(qū)動(dòng)力釋放一端所在的腔室連通，所述高壓氣體可通過(guò)所述氣流通道和所述限位柱結(jié)構(gòu)的通孔驅(qū)動(dòng)所述緩沖結(jié)構(gòu)位移。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的激勵(lì)熔斷器，其特征在于，還包括依次拼接的第一殼體、第二殼體、底保護(hù)蓋，所述第二殼體朝向所述導(dǎo)電母排方向的一端以及所述第二殼體朝向所述底保護(hù)蓋方向的另一端分別設(shè)置有容置凹槽；所述電子點(diǎn)火裝置和所述活塞依次設(shè)置于所述第一殼體中，所述導(dǎo)電母排穿設(shè)在所述第一殼體和第二殼體之間；所述緩沖結(jié)構(gòu)、所述熔斷器結(jié)構(gòu)位于所述第二殼體的所述容置凹槽與所述底保護(hù)蓋之間形成的空腔中；所述限位柱結(jié)構(gòu)凸出設(shè)置在所述第二殼體朝向所述導(dǎo)電母排方向的所述容置凹槽的底部，在所述限位柱結(jié)構(gòu)上設(shè)置有貫通所述限位柱結(jié)構(gòu)及所述第二殼體的通孔，通過(guò)所述通孔連通所述第二殼體兩端的所述容置凹槽；所述緩沖結(jié)構(gòu)嵌套設(shè)置在所述第二殼體朝向所述底保護(hù)蓋方向的所述容置凹槽的底部上，所述緩沖結(jié)構(gòu)的嵌套部包圍所述限位柱結(jié)構(gòu)的通孔開(kāi)口端；所述熔斷器結(jié)構(gòu)通過(guò)所述底保護(hù)蓋支撐；當(dāng)所述限位柱結(jié)構(gòu)與所述第二運(yùn)動(dòng)部接觸時(shí)，所述第二運(yùn)動(dòng)部上的氣流通道與所述限位柱結(jié)構(gòu)的通孔連通。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的激勵(lì)熔斷器，其特征在于，所述限位柱結(jié)構(gòu)凸出且固定設(shè)置在所述熔斷器結(jié)構(gòu)朝向所述導(dǎo)電母排的一端端面上，所述限位柱結(jié)構(gòu)位于所述緩沖結(jié)構(gòu)朝向所述底保護(hù)蓋方向的端面一側(cè)，所述限位柱結(jié)構(gòu)穿過(guò)所述緩沖結(jié)構(gòu)。
10.根據(jù)權(quán)利要求6所述的激勵(lì)熔斷器，其特征在于，在所述緩沖結(jié)構(gòu)與導(dǎo)電母排之間設(shè)置阻滯結(jié)構(gòu)，所述阻滯結(jié)構(gòu)位于所述活塞位移路徑上；所述導(dǎo)電母排的需被斷開(kāi)部分和所述阻滯結(jié)構(gòu)上分別設(shè)置有供所述限位柱結(jié)構(gòu)穿過(guò)的通孔，所述阻滯結(jié)構(gòu)阻滯所述第一運(yùn)動(dòng)部斷開(kāi)所述導(dǎo)電母排后的位移速度，所述第一運(yùn)動(dòng)部斷開(kāi)所述導(dǎo)電母排后，可驅(qū)動(dòng)所述阻滯結(jié)構(gòu)與所述第一運(yùn)動(dòng)部同步位移；所述限位柱結(jié)構(gòu)穿過(guò)所述阻滯結(jié)構(gòu)和所述導(dǎo)電母排斷開(kāi)部分，所述限位柱結(jié)構(gòu)阻止所述第二運(yùn)動(dòng)部位移，所述阻滯結(jié)構(gòu)上的所述通孔與所述限位柱結(jié)構(gòu)之間保留供氣體流過(guò)的空隙；所述第一運(yùn)動(dòng)部繼續(xù)驅(qū)動(dòng)所述阻滯結(jié)構(gòu)和所述導(dǎo)電母排斷開(kāi)部分位移至終止位置，使所述第一運(yùn)動(dòng)部和所述第二運(yùn)動(dòng)部相對(duì)位移，使所述氣流通道導(dǎo)通，使所述高壓氣體通過(guò)所述氣流通道、所述限位柱結(jié)構(gòu)與所述阻滯結(jié)構(gòu)之間的間隙驅(qū)動(dòng)所述緩沖結(jié)構(gòu)位移。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的激勵(lì)熔斷器，其特征在于，還包括依次拼接的上蓋、第一殼體、第二殼體、底保護(hù)蓋；所述電子點(diǎn)火裝置設(shè)置在所述上蓋上，所述活塞設(shè)置在所述第一殼體中，所述導(dǎo)電母排穿設(shè)在所述第一殼體和第二殼體之間，所述緩沖結(jié)構(gòu)和所述熔斷器結(jié)構(gòu)位于所述第二殼體中；所述第二殼體中朝向所述底保護(hù)蓋方向凸出設(shè)置有導(dǎo)向凸臺(tái)，在所述導(dǎo)向凸臺(tái)上開(kāi)設(shè)有貫穿所述導(dǎo)向凸臺(tái)和所述第二殼體朝向所述導(dǎo)電母排一端的通孔；所述阻滯結(jié)構(gòu)以緊密配合的方式設(shè)置在所述導(dǎo)向凸臺(tái)的通孔中；所述緩沖結(jié)構(gòu)嵌套設(shè)置在所述導(dǎo)向凸臺(tái)朝向所述底保護(hù)蓋方向的一端的外周；所述限位柱結(jié)構(gòu)凸出設(shè)置在所述熔斷器結(jié)構(gòu)朝向所述緩沖結(jié)構(gòu)方向的端面上；所述阻滯結(jié)構(gòu)的所述通孔對(duì)應(yīng)所述導(dǎo)電母排斷開(kāi)部分的相對(duì)兩側(cè)分別設(shè)置有限位凸臺(tái)；當(dāng)所述第一運(yùn)動(dòng)部斷開(kāi)所述導(dǎo)電母排，所述第一運(yùn)動(dòng)部驅(qū)動(dòng)所述導(dǎo)電母排斷開(kāi)部分和所述第二運(yùn)動(dòng)部同步位移，直至所述氣流通道與所述緩沖結(jié)構(gòu)朝向所述導(dǎo)電母排方向的端面所在的腔室連通。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的激勵(lì)熔斷器，其特征在于，所述阻滯結(jié)構(gòu)包括鏤空的支撐端面和阻滯結(jié)構(gòu)主體，在阻滯結(jié)構(gòu)主體上開(kāi)設(shè)有所述通孔，所述支撐端面一體連接在所述通孔中，所述支撐端面與所述通孔連接處為斷開(kāi)薄弱處；初始位置時(shí)，所述限位柱結(jié)構(gòu)朝向所述導(dǎo)電母排的一端支撐在所述支撐端面處；當(dāng)所述阻滯結(jié)構(gòu)受到所述第一運(yùn)動(dòng)部的驅(qū)動(dòng)時(shí)，所述限位柱結(jié)構(gòu)使所述支撐端面從與所述通孔連接的斷開(kāi)薄弱處斷開(kāi)，所述限位柱結(jié)構(gòu)帶著所述支撐端面穿過(guò)所述阻滯結(jié)構(gòu)主體上的所述通孔與所述第二運(yùn)動(dòng)部接觸。
13.根據(jù)權(quán)利要求6所述的激勵(lì)熔斷器，其特征在于，所述緩沖結(jié)構(gòu)上設(shè)置有氣流緩沖腔室，當(dāng)所述第一運(yùn)動(dòng)部和第二運(yùn)動(dòng)部相對(duì)位移且所述氣流通道導(dǎo)通時(shí)，所述緩沖結(jié)構(gòu)的氣流緩沖腔室與所述氣流通道連通。
14.根據(jù)權(quán)利要求1所述的激勵(lì)熔斷器，其特征在于，當(dāng)驅(qū)動(dòng)所述熔斷器結(jié)構(gòu)位移時(shí)，位于所述熔斷器結(jié)構(gòu)與所述導(dǎo)電母排之間的所述熔體部分呈折彎設(shè)置；所述限位柱結(jié)構(gòu)一端固定設(shè)置在所述熔斷器結(jié)構(gòu)和所述導(dǎo)電母排之間；所述熔體切刀遠(yuǎn)離所述導(dǎo)電母排的一端凸出所述位移通道設(shè)置；所述熔體切刀為一組或至少兩組以上，一組所述熔體切刀對(duì)應(yīng)一組所述位移通道設(shè)置，當(dāng)所述熔體切刀為兩組以上時(shí)，所述熔體切刀凸出所述位移通道的長(zhǎng)度相同或不同；當(dāng)所述熔斷器結(jié)構(gòu)位移時(shí)，所述熔體切刀先到達(dá)終止位置，所述熔斷器結(jié)構(gòu)后到達(dá)終止位置，所述熔斷器結(jié)構(gòu)與所述熔體切刀間發(fā)生相對(duì)位移，使所述熔體切刀同時(shí)切斷所述熔體或先后切斷所述熔體。
15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的激勵(lì)熔斷器，其特征在于，還包括依次拼接的上蓋、第一殼體、第二殼體、底保護(hù)蓋；所述電子點(diǎn)火裝置設(shè)置在所述上蓋上，所述活塞設(shè)置在所述第一殼體中，所述導(dǎo)電母排穿設(shè)在所述第一殼體和第二殼體之間，所述第二殼體兩端貫通，所述熔斷器結(jié)構(gòu)位于所述第二殼體中且與所述底保護(hù)蓋之間保留有供所述熔斷器結(jié)構(gòu)位移的位移距離；在所述第二殼體朝向所述導(dǎo)電母排的一端設(shè)置有封閉所述第二殼體端部的導(dǎo)向蓋板；所述導(dǎo)向蓋板朝向所述導(dǎo)電母排的一端端面上開(kāi)設(shè)有正對(duì)所述導(dǎo)電母排需被斷開(kāi)部分的容置凹槽，在所述容置凹槽底部正對(duì)所述第二運(yùn)動(dòng)部設(shè)置有所述限位柱結(jié)構(gòu)，所述限位柱結(jié)構(gòu)朝向所述活塞對(duì)的一端穿過(guò)所述導(dǎo)電母排位于所述第一殼體中；所述限位柱結(jié)構(gòu)上開(kāi)設(shè)有貫通所述限位柱結(jié)構(gòu)及所述導(dǎo)向蓋板的通孔，通過(guò)限位柱結(jié)構(gòu)上的通孔連通所述導(dǎo)向蓋板兩端所在的空腔；在所述限位柱結(jié)構(gòu)對(duì)應(yīng)所述導(dǎo)電母排需被斷開(kāi)部分的相對(duì)兩側(cè)的所述容置凹槽底部分別設(shè)置有承接所述導(dǎo)電母排斷開(kāi)部分的限位凸臺(tái)；所述熔斷器結(jié)構(gòu)位于所述導(dǎo)向蓋板與所述底保護(hù)蓋之間，且阻隔所述底保護(hù)蓋所在空腔與所述導(dǎo)向蓋板所在導(dǎo)電空腔連通；所述熔體切刀朝向所述底保護(hù)蓋方向凸出所述位移通道；
16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的激勵(lì)熔斷器，其特征在于，所述第二殼體朝向所述導(dǎo)電母排的一端設(shè)置有導(dǎo)向凸臺(tái)，所述導(dǎo)向凸臺(tái)朝向所述熔斷器結(jié)構(gòu)方向凸出，在所述導(dǎo)向凸臺(tái)上開(kāi)設(shè)有貫通所述導(dǎo)向凸臺(tái)且供活塞及導(dǎo)電母排斷開(kāi)部分位移的通孔；所述導(dǎo)向蓋板嵌套設(shè)置在所述導(dǎo)向凸臺(tái)朝向所述熔斷器結(jié)構(gòu)方向一端，所述導(dǎo)向蓋板上的所述限位柱結(jié)構(gòu)以及所述限位凸臺(tái)位于所述導(dǎo)向凸臺(tái)的所述通孔中。
17.根據(jù)權(quán)利要求8、11、15任一項(xiàng)所述的激勵(lì)熔斷器，其特征在于，在所述第二殼體與所述底保護(hù)蓋之間設(shè)置有絕緣緩沖墊，所述絕緣緩沖墊貼合所述底保護(hù)蓋設(shè)置。