本技術(shù)涉及天線，具體說的是一種基于ltcc工藝的相控陣sip模塊。

背景技術(shù)：

1、在輕便小型化低成本的需求下，電子產(chǎn)品逐漸走向高密互聯(lián)小型化設(shè)計(jì)，因此，將天線、基板和芯片系統(tǒng)集成在一起形成一個(gè)sip(system?in?a?package)射頻模塊的技術(shù)日益受到關(guān)注。

2、現(xiàn)有的工藝方式是將天線直接固定于pcb(printed?circuit?board))印制電路板上，印制電路板的一側(cè)為天線輻射側(cè)，另一側(cè)為芯片和主板，另外再設(shè)置連接器用于模塊和外界的互連。然而，這種方法獲得的模塊中，pcb的層數(shù)過多壓合次數(shù)多，導(dǎo)致pcb的成本高起，不符合終端產(chǎn)品的低成本的要求。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、為解決上述技術(shù)問題，本實(shí)用新型提供一種基于ltcc工藝的相控陣sip模塊，可用于解決現(xiàn)有相控陣模塊集成度低的技術(shù)問題和pcb多次壓合導(dǎo)致成本高的問題。

2、為實(shí)現(xiàn)上述技術(shù)目的，所采用的技術(shù)方案是：一種基于ltcc工藝的相控陣sip模塊，包括封裝為一體的ltcc基板、連接器、相控陣tr芯片和微帶天線單元，相控陣tr芯片和高低頻連接器與ltcc基板的一側(cè)貼片式焊接，微帶天線單元與ltcc基板的另一側(cè)植球連接，所述的ltcc基板內(nèi)包括低頻線路和射頻線路，低頻線路連接相控陣tr芯片和連接器，射頻線路連接相控陣tr芯片、微帶天線單元和連接器。

3、進(jìn)一步，所述的ltcc基板為規(guī)則形狀。

4、進(jìn)一步，所述的相控陣tr芯片為ka頻段八通道相控陣發(fā)射芯片。

5、進(jìn)一步，所述的微帶天線單元設(shè)有天線板，天線板一側(cè)蝕刻出天線輻射體，天線板的另一側(cè)為天線地，多個(gè)饋電孔穿透天線板，饋電孔的一端連接天線輻射體，另一端與天線地不連接，饋電孔和天線地與ltcc基板植球連接。

6、進(jìn)一步，所述的天線板為4350b介電常數(shù)的介質(zhì)板。

7、本實(shí)用新型有益效果是：

8、（1）通過使用多個(gè)相控陣tr芯片、天線形成了水平極化和垂直極化兩套極化網(wǎng)絡(luò)，從而實(shí)現(xiàn)了雙極化多通道相控陣布局，與此同時(shí)，將ltcc基板與天線通過植球方式集成在一起，縮小了sip模塊體積，使得本發(fā)明實(shí)現(xiàn)的雙極化多通道相控陣sip模塊具備了小型化、低成本特性。

9、（2）相控陣tr芯片及連接器等均采用貼片式焊接，提高了sip模塊的可生產(chǎn)性，同時(shí)也提高了基于本發(fā)明實(shí)現(xiàn)的sip模塊組建的相控陣系統(tǒng)的可靠性；與此同時(shí)，ltcc基板設(shè)計(jì)規(guī)則外形可以有效降低異形結(jié)構(gòu)帶來的生產(chǎn)和調(diào)試難度。

10、（3）基板采用ltcc制成，基于ltcc（低溫共燒陶瓷）的疊層方式，實(shí)現(xiàn)了sip級(jí)的信號(hào)傳輸和高密互聯(lián)功能。

11、（4）由于毫米波頻段頻率比較高，因此對天線的設(shè)計(jì)精度要求比較高，本申請中采用蝕刻形成的所述天線輻射體就可以達(dá)到毫米波頻段頻率對天線的設(shè)計(jì)精度要求，同時(shí)該設(shè)計(jì)而成微帶天線單元，尺寸較小，便于任意排布與ltcc基板連接，采用特定材料的天線板，天線的設(shè)計(jì)精度更高。

技術(shù)特征：

1.一種基于ltcc工藝的相控陣sip模塊，其特征在于：包括封裝為一體的ltcc基板（1）、連接器（3）、相控陣tr芯片（2）和微帶天線單元（4），相控陣tr芯片（2）和連接器（3）與ltcc基板（1）的一側(cè)貼片式焊接，微帶天線單元（4）與ltcc基板（1）的另一側(cè)植球連接，所述的ltcc基板（1）內(nèi)包括低頻線路和射頻線路，低頻線路連接相控陣tr芯片（2）和連接器（3），射頻線路連接相控陣tr芯片（2）、微帶天線單元（4）和連接器（3）。

2.如權(quán)利要求1所述的一種基于ltcc工藝的相控陣sip模塊，其特征在于：所述的ltcc基板（1）為規(guī)則形狀。

3.如權(quán)利要求1所述的一種基于ltcc工藝的相控陣sip模塊，其特征在于：所述的相控陣tr芯片（2）為ka頻段八通道相控陣發(fā)射芯片。

4.如權(quán)利要求1所述的一種基于ltcc工藝的相控陣sip模塊，其特征在于：所述的微帶天線單元（4）設(shè)有天線板（401），天線板（401）一側(cè)蝕刻出天線輻射體（402），天線板（401）的另一側(cè)為天線地（403），多個(gè)饋電孔（404）穿透天線板（401），饋電孔（404）的一端連接天線輻射體（402），另一端與天線地（403）不連接，饋電孔（404）和天線地（403）與ltcc基板（1）植球連接。

5.如權(quán)利要求4所述的一種基于ltcc工藝的相控陣sip模塊，其特征在于：所述的天線板（401）為4350b介電常數(shù)的介質(zhì)板。

技術(shù)總結(jié)
一種基于LTCC工藝的相控陣SIP模塊，包括封裝為一體的LTCC基板、連接器、相控陣TR芯片和微帶天線單元，相控陣TR芯片和高低頻連接器與LTCC基板的一側(cè)貼片式焊接，微帶天線單元與LTCC基板的另一側(cè)植球連接，所述的LTCC基板內(nèi)包括低頻線路和射頻線路，低頻線路連接相控陣TR芯片和連接器，射頻線路連接相控陣TR芯片、微帶天線單元和連接器。可用于解決現(xiàn)有相控陣模塊集成度低的技術(shù)問題和PCB多次壓合導(dǎo)致成本高的問題，還具有小型化的優(yōu)點(diǎn)。

技術(shù)研發(fā)人員：曾智,吳中軍,江剛祥
受保護(hù)的技術(shù)使用者：中山市晨創(chuàng)通信有限公司
技術(shù)研發(fā)日：20240716
技術(shù)公布日：2025/5/19