蝕刻處理方法以及斜角蝕刻裝置的制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及一種蝕刻處理方法以及斜角蝕刻裝置。
【背景技術(shù)】
[0002]附著于半導(dǎo)體晶圓(以下簡(jiǎn)稱為“晶圓”。)的斜角部(晶圓端部的做出倒角的部分)的斜角/背側(cè)聚合物會(huì)污染器件的表面或者影響產(chǎn)品的成品率。
[0003]因此，提出了一種向晶圓的斜角部照射激光來(lái)對(duì)斜角/背側(cè)聚合物進(jìn)行蝕刻以將該斜角/背側(cè)聚合物從晶圓去除的裝置(例如參照專利文獻(xiàn)1)。通過(guò)監(jiān)視并控制向激光發(fā)生器提供的電流來(lái)管理被照射到斜角部的激光的輸出強(qiáng)度。
[0004]專利文獻(xiàn)1:日本特開(kāi)2010-141237號(hào)公報(bào)

【發(fā)明內(nèi)容】

_5] 發(fā)明要解決的問(wèn)題
[0006]然而，即使在向激光發(fā)生器提供的電流相同的情況下，激光的輸出強(qiáng)度也會(huì)由于激光發(fā)生器的故障、經(jīng)時(shí)變化而變動(dòng)。存在如下?lián)鷳n:在激光的輸出值發(fā)生了異常的情況下，無(wú)法檢測(cè)出該異常而向晶圓的斜角部照射高于規(guī)定值的功率的激光，使得晶圓的斜角部被削去或者在斜角部產(chǎn)生缺口。
[0007]針對(duì)上述問(wèn)題，一個(gè)方面的目的在于監(jiān)視被照射到基板的斜角部之前的激光并檢測(cè)激光的輸出值的變動(dòng)。
_8] 用于解決問(wèn)題的方案
[0009]為了解決上述問(wèn)題，根據(jù)一個(gè)方式，提供一種蝕刻處理方法，該蝕刻處理方法使用斜角蝕刻(日語(yǔ)少工、y千y夕')裝置，該斜角蝕刻裝置具備激光發(fā)生器和測(cè)量從上述激光發(fā)生器輸出的激光的功率計(jì)，照射激光來(lái)蝕刻基板，該蝕刻處理方法包括以下工序:在照射激光來(lái)蝕刻基板之前，向功率計(jì)將激光照射規(guī)定時(shí)間；利用上述功率計(jì)來(lái)測(cè)量激光的輸出值；以及判定進(jìn)行上述測(cè)量得到的激光的輸出值相對(duì)于從上述激光發(fā)生器輸出的激光的輸出設(shè)定值而言是否處于規(guī)定閾值的范圍內(nèi)。
[0010]發(fā)明的效果
[0011]根據(jù)一個(gè)方式，能夠監(jiān)視被照射到基板的斜角部之前的激光并檢測(cè)激光的輸出值的變動(dòng)。
【附圖說(shuō)明】
[0012]圖1是表示一個(gè)實(shí)施方式所涉及的斜角蝕刻裝置的整體結(jié)構(gòu)的一例的圖。
[0013]圖2是表示一個(gè)實(shí)施方式所涉及的蝕刻處理的一例的流程圖。
[0014]圖3是表示由功率計(jì)(power meter)測(cè)量的激光的輸出值的隨時(shí)間的變化的一例的圖。
[0015]圖4是表示一個(gè)實(shí)施方式所涉及的功率計(jì)的測(cè)量結(jié)果的一例的圖。
[0016]圖5是表不一個(gè)實(shí)施方式所涉及的校正圖表的一例的圖。
[0017]圖6是用于說(shuō)明一個(gè)實(shí)施方式所涉及的功率計(jì)的測(cè)量原理的圖。
[0018]圖7是表示一個(gè)實(shí)施方式所涉及的激光發(fā)生器的結(jié)構(gòu)的一例的圖。
[0019]圖8是表示一個(gè)實(shí)施方式所涉及的激光發(fā)生器的內(nèi)部結(jié)構(gòu)的一例的圖。
[0020]圖9是一個(gè)實(shí)施方式所涉及的堆疊部(半導(dǎo)體激光器)的放大圖。
[0021]圖10是表示一個(gè)實(shí)施方式所涉及的激光發(fā)生器的輸出的經(jīng)時(shí)變化的一例的圖。
[0022]附圖標(biāo)iP,說(shuō)曰月
[0023]1:斜角蝕刻裝置；2:BSP ；11:腔室；12:旋轉(zhuǎn)卡盤；14:BSP去除部；14bl:熱電偶；14c:盤狀構(gòu)件；15:功率計(jì)；15a:散熱器；15b:風(fēng)扇；18:激光照射頭；30:激光發(fā)生器；30d:光纖；50:控制裝置；51:監(jiān)視部；52:控制部；53:存儲(chǔ)部；130:堆疊部；131:微透鏡；132:引導(dǎo)鏡；133:重定向鏡；134:邊緣鏡；135:聚焦透鏡；142:半導(dǎo)體激光器。
【具體實(shí)施方式】
[0024]下面，參照附圖來(lái)說(shuō)明用于實(shí)施本發(fā)明的方式。此外，在本說(shuō)明書和附圖中，通過(guò)對(duì)實(shí)質(zhì)上相同的結(jié)構(gòu)標(biāo)注相同的標(biāo)記來(lái)省略重復(fù)的說(shuō)明。
[0025](前言)
[0026]在半導(dǎo)體集成電路的制造中，當(dāng)對(duì)晶圓進(jìn)行等離子體蝕刻時(shí)，在等離子體中產(chǎn)生的自由基、離子繞到晶圓的斜角面、背面，聚合物附著于斜角面和背面上。該附著物被稱作斜角/背側(cè)聚合物(Bevel/Backside Polymer、以下稱作“BSP”)。對(duì)于半導(dǎo)體集成電路，BSP會(huì)污染器件的表面或者影響產(chǎn)品的成品率。因此，通過(guò)使用了激光和臭氧氣體的熱處理來(lái)去除BSP。下面，說(shuō)明去除BSP的斜角蝕刻裝置的一個(gè)實(shí)施方式。
[0027][斜角蝕刻裝置的整體結(jié)構(gòu)]
[0028]參照?qǐng)D1來(lái)說(shuō)明一個(gè)實(shí)施方式所涉及的斜角蝕刻裝置的整體結(jié)構(gòu)的一例。圖1示出一個(gè)實(shí)施方式所涉及的斜角蝕刻裝置1的整體結(jié)構(gòu)的一例。斜角蝕刻裝置1照射激光來(lái)對(duì)基板進(jìn)行蝕刻，由此去除附著于晶圓W的斜角部的BSP 2。圖1中示出了在晶圓W的背面的斜角部附著有BSP 2的情形。
[0029]斜角蝕刻裝置1具備作為收容晶圓W的容器的腔室11。在腔室11的內(nèi)部設(shè)置有將晶圓W保持為能夠旋轉(zhuǎn)且保持為水平的旋轉(zhuǎn)卡盤(Spin Chuck) 12。旋轉(zhuǎn)卡盤12與設(shè)置于腔室11的下方的旋轉(zhuǎn)電動(dòng)機(jī)13連接。旋轉(zhuǎn)卡盤12例如在通過(guò)真空吸附將晶圓W保持的狀態(tài)下使晶圓W旋轉(zhuǎn)。
[0030]在腔室11的內(nèi)部，在與晶圓W的周緣部對(duì)應(yīng)的位置處設(shè)置有BSP去除部14。在BSP去除部14的主體14a處設(shè)置有切口部16，以使晶圓W的周緣部旋轉(zhuǎn)的同時(shí)通過(guò)。在切口部16的下方部分設(shè)置有激光照射頭18。激光照射頭18與激光發(fā)生器30連接。激光照射頭18向晶圓W的斜角部照射從激光發(fā)生器30輸出的激光。激光照射頭18能夠沿主體14a的下部在水平方向上移動(dòng)。另外，激光照射頭18的角度是可變的。由此，能夠調(diào)節(jié)激光照射位置。
[0031]在主體14a的上部安裝有功率計(jì)15。在功率計(jì)15的底部設(shè)置有盤狀構(gòu)件14c，在該盤狀構(gòu)件14c上涂覆有吸收從下方照射的激光的材料。功率計(jì)15能夠根據(jù)由盤狀構(gòu)件14c的吸收材料吸收到的熱來(lái)測(cè)量激光的輸出值。
[0032]激光照射頭18移動(dòng)到激光照射不到晶圓W的位置A，在蝕刻晶圓W之前，向功率計(jì)15將激光照射規(guī)定時(shí)間。之后，激光照射頭18沿水平方向移動(dòng)到激光能夠照射到晶圓W的周緣部的位置B，并照射激光來(lái)去除BSP。
[0033]在主體14a處設(shè)置有向BSP 2噴出臭氧氣體的臭氧氣體噴出噴嘴20和幾乎100%吸引臭氧氣體的臭氧氣體吸引噴嘴19。臭氧氣體噴出噴嘴20經(jīng)由供給臭氧氣體的供給管線(配管)21而與臭氧氣體發(fā)生器22連接。從臭氧氣體發(fā)生器22輸出的臭氧氣體經(jīng)過(guò)供給管線21后從臭氧氣體噴出噴嘴20被導(dǎo)入到腔室11內(nèi)。在臭氧氣體吸引噴嘴19上連接有排氣配管31，該排氣配管31構(gòu)成主要排出臭氧氣體的排氣流路。排氣配管31與工廠酸排氣配管(未圖示)連接。在排氣配管31上連接有分解臭氧氣體的臭氧分解器(日語(yǔ):才y''y^y — )4L.
[0034]在腔室11的上部設(shè)置有用于吸引大氣并將大氣送入腔室11的內(nèi)部的風(fēng)扇32以及去除由風(fēng)扇32吸引到的大氣中的微粒的過(guò)濾器33。另一方面，在腔室11的底部設(shè)置有排氣口 34。而且，通過(guò)利用風(fēng)扇32將大氣經(jīng)由過(guò)濾器33送入腔室11內(nèi)并從排氣口 34進(jìn)行排氣，來(lái)在腔室11內(nèi)形成清潔空氣的向下流動(dòng)。在排氣口 34上連接有排氣配管35，排氣配管35與工廠酸排氣配管(未圖示)連接。
[0035]在腔室11的側(cè)壁上設(shè)置有晶圓搬入搬出口 11a，能夠