形成半導(dǎo)體布置的方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及形成半導(dǎo)體布置的方法。
【背景技術(shù)】
[0002]在諸如晶體管的半導(dǎo)體器件中，當(dāng)對(duì)器件的柵極施加足夠的電壓或偏置電壓時(shí)，電流流過(guò)源極區(qū)和漏極區(qū)之間的溝道區(qū)。當(dāng)電流流過(guò)溝道區(qū)時(shí)，晶體管通常被認(rèn)為處于“導(dǎo)通”狀態(tài)，當(dāng)電流不流過(guò)溝道區(qū)時(shí)，晶體管通常被認(rèn)為處于“截止”狀態(tài)。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]為了解決現(xiàn)有技術(shù)中存在的問(wèn)題，根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)方面，提供了一種形成半導(dǎo)體布置的方法，包括:在第一介電柱和第二介電柱之間的襯底上形成第一核，形成所述第一核包括:以相對(duì)于所述襯底的頂面的第一角度施加第一源材料束；和以相對(duì)于所述襯底的頂面的第二角度施加第二源材料束；以及通過(guò)旋轉(zhuǎn)所述襯底，同時(shí)施加所述第一源材料束和所述第二源材料束由所述第一核形成第一半導(dǎo)體柱。
[0004]在上述方法中，包括:形成所述第一介電柱，從而使得所述第一介電柱的第一側(cè)壁相對(duì)于所述襯底的頂面的第一柱角度在約60°至約150°之間；以及形成所述第二介電柱，從而使得所述第二介電柱的第二側(cè)壁面對(duì)所述第一側(cè)壁并且相對(duì)于所述襯底的頂面的第二柱角度在約60°至約150°之間。
[0005]在上述方法中，包括:形成第三介電柱，從而使得所述第三介電柱的第三側(cè)壁垂直于所述第一側(cè)壁和所述第二側(cè)壁，其中，所述第三側(cè)壁相對(duì)于所述襯底的頂面的第三柱角度在約60°至約150°之間；以及形成第四介電柱，從而使得所述第四介電柱的第四側(cè)壁垂直于所述第一側(cè)壁和所述第二側(cè)壁，其中，所述第四側(cè)壁面對(duì)所述第三側(cè)壁并且相對(duì)于所述襯底的頂面的第四柱角度在約60°至約150°之間。
[0006]在上述方法中，包括以下中的至少一個(gè):形成所述第一核包括在超高真空室中形成所述第一核；或形成所述第一半導(dǎo)體柱包括在超高真空室中形成所述第一半導(dǎo)體柱。
[0007]在上述方法中，施加所述第一源材料束包括以所述第一角度施加II族、III族、IV族、V族或VI族材料中的至少一種，所述第一角度在約35°至約60°之間。
[0008]在上述方法中，施加所述第二源材料束包括以所述第二角度施加II族、III族、IV族、V族或VI族材料中的至少一種，所述第二角度在約35°至約60°之間。
[0009]在上述方法中，包括以下中的至少一個(gè):施加所述第一源材料束包括使用分子束外延；或施加所述第二源材料束包括使用分子束外延。
[0010]在上述方法中，形成所述第一半導(dǎo)體柱包括以相對(duì)于所述襯底的頂面的第一半導(dǎo)體柱角度生長(zhǎng)所述第一半導(dǎo)體柱，并且所述第一半導(dǎo)體柱與所述第一介電柱的第一側(cè)壁或所述第二介電柱的第二側(cè)壁中的至少一個(gè)一致。
[0011]在上述方法中，包括:在所述第一半導(dǎo)體柱的第一部分周?chē)纬稍礃O材料；在所述源極材料上方的所述第一半導(dǎo)體柱的第二部分周?chē)纬蓶艠O材料，其中，所述第一部分位于所述襯底和所述第二部分之間；以及在所述柵極材料上方的所述第一半導(dǎo)體柱的第三部分周?chē)纬陕O材料，其中，所述第二部分位于所述第一部分和所述第三部分之間。
[0012]根據(jù)本發(fā)明的另一方面，還提供了一種形成半導(dǎo)體布置的方法，包括:在襯底上的介電層中形成溝槽，從而使得所述溝槽由所述介電層的第一側(cè)壁、第二側(cè)壁、第三側(cè)壁或第四側(cè)壁中的至少一個(gè)限定，其中，包括以下中的至少一種:所述第一側(cè)壁相對(duì)于所述襯底的頂面的第一溝槽角度在約60°至約150°之間；所述第二側(cè)壁相對(duì)于所述襯底的頂面的第二溝槽角度在約60°至約150°之間；所述第三側(cè)壁相對(duì)于所述襯底的頂面的第三溝槽角度在約60°至約150°之間；或所述第四側(cè)壁相對(duì)于所述襯底的頂面的第四溝槽角度在約60°至約150°之間；在所述溝槽中的所述襯底上形成第一核，形成所述第一核包括:以相對(duì)于所述襯底的頂面的第一角度施加第一源材料束；和以相對(duì)于所述襯底的頂面的第二角度施加第二源材料束；以及通過(guò)旋轉(zhuǎn)所述襯底，同時(shí)施加所述第一源材料束和所述第二源材料束由所述第一核形成第一半導(dǎo)體柱。
[0013]在上述方法中，包括以下中的至少一個(gè):形成所述第一核包括在超高真空室中形成所述第一核；或形成所述第一半導(dǎo)體柱包括在超高真空室中形成所述第一半導(dǎo)體柱。
[0014]在上述方法中，施加所述第一源材料束包括以所述第一角度施加II族、III族、IV族、V族或VI族材料中的至少一種，所述第一角度在約35°至約60°之間。
[0015]在上述方法中，施加所述第二源材料束包括以所述第二角度施加II族、III族、IV族、V族或VI族材料中的至少一種，所述第二角度在約35°至約60°之間。
[0016]在上述方法中，施加所述第一源材料束包括使用分子束外延。
[0017]在上述方法中，施加所述第二源材料束包括使用分子束外延。
[0018]在上述方法中，形成所述第一半導(dǎo)體柱包括以相對(duì)于所述襯底的頂面的第一半導(dǎo)體柱角度并且在與所述溝槽的長(zhǎng)度一致的方向上生長(zhǎng)所述第一半導(dǎo)體柱。
[0019]在上述方法中，包括:在所述第一半導(dǎo)體柱的第一部分周?chē)纬稍礃O材料；在所述源極材料上方的所述第一半導(dǎo)體柱的第二部分周?chē)纬蓶艠O材料，其中，所述第一部分位于所述襯底和所述第二部分之間；以及在所述柵極材料上方的所述第一半導(dǎo)體柱的第三部分周?chē)纬陕O材料，其中，所述第二部分位于所述第一部分和所述第三部分之間。
[0020]根據(jù)本發(fā)明的又一方面，還提供了一種形成半導(dǎo)體布置的方法，包括:在襯底上形成第一介電柱，所述第一介電柱具有第一柱高度和第一柱寬度；在所述襯底上形成第二介電柱，所述第二介電柱具有第二柱高度和第二柱寬度，所述第二介電柱與所述第一介電柱分隔開(kāi)第一距離，其中，所述第一距離與所述第一柱寬度的比率大于2的平方根，并且所述第一柱寬度與所述第一柱高度的比率小于2的平方根；在所述第一介電柱和所述第二介電柱之間的所述襯底上形成第一核，形成所述第一核包括:以相對(duì)于所述襯底的頂面的第一角度施加第一源材料束；和以相對(duì)于所述襯底的頂面的第二角度施加第二源材料束；以及通過(guò)旋轉(zhuǎn)所述襯底，同時(shí)施加所述第一源材料束和所述第二源材料束由所述第一核形成第一半導(dǎo)體柱。
[0021]在上述方法中，包括以下中的至少一種:形成所述第一介電柱包括形成所述第一介電柱，從而使得所述第一介電柱的第一側(cè)壁相對(duì)于所述襯底的頂面的第一柱角度在約60°至約150°之間；或形成所述第二介電柱包括形成所述第二介電柱，從而使得所述第二介電柱的第二側(cè)壁相對(duì)于所述襯底的頂面的第二柱角度在約60°至約150°之間。
[0022]在上述方法中，包括以下中的至少一種:施加所述第一源材料束包括使用分子束外延以所述第一角度施加II族、III族、IV族、V族或VI族材料中的至少一種，所述第一角度在約35°至約60°之間；或施加所述第二源材料束包括使用分子束外延以所述第二角度施加II族、III族、IV族、V族或VI族材料中的至少一種，所述第二角度在約35°至約60°之間。
【附圖說(shuō)明】
[0023]當(dāng)結(jié)合附圖進(jìn)行閱讀時(shí)，從以下詳細(xì)描述可最佳理解本發(fā)明的各方面。應(yīng)該注意，根據(jù)工業(yè)中的標(biāo)準(zhǔn)實(shí)踐，各個(gè)部件未按比例繪制。實(shí)際上，為了清楚的討論，各個(gè)部件的尺寸可以任意地增大或減小。
[0024]圖1是根據(jù)一些實(shí)施例的在制造階段的半導(dǎo)體布置的透視圖的說(shuō)明。
[0025]圖2是根據(jù)一些實(shí)施例的在制造階段的半導(dǎo)體布置的自頂向下視圖的說(shuō)明。
[0026]圖3是根據(jù)一些實(shí)施例的在制造階段的半導(dǎo)體布置的透視圖的說(shuō)明。
[0027]圖4是根據(jù)一些實(shí)施例的在制造階段的半導(dǎo)體布置的透視圖的說(shuō)明。
[0028]圖5是根據(jù)一些實(shí)施例的在制造階段的半導(dǎo)體布置的透視圖的說(shuō)明。
[0029]圖6是根據(jù)一些實(shí)施例的在制造階段的半導(dǎo)體布置的透視圖的說(shuō)明。
[0030]圖7是根據(jù)一些實(shí)施例的在制造階段的半導(dǎo)體布置的透視圖的說(shuō)明。
[0031]圖8是根據(jù)一些實(shí)施例的在制造階段的半導(dǎo)體布置的透視圖的說(shuō)明。
[0032]圖9是根據(jù)一些實(shí)施例的在制造階段的半導(dǎo)體布置的透視圖的說(shuō)明。
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