發(fā)光器件的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明涉及一種發(fā)光器件。發(fā)光器件包括：主體；第一和第二引線框架，該第一和第二引線框架被耦合到主體；第一發(fā)光芯片，該第一發(fā)光芯片在第一引線框架上；第二發(fā)光芯片，該第二發(fā)光芯片在第二引線框架上；以及反射框架，該反射框架在主體、第一和第二引線框架上。反射框架包括其中被設(shè)置有第一發(fā)光芯片的第一開口和其中被設(shè)置有第二發(fā)光芯片的第二開口。
【專利說明】
發(fā)光器件
技術(shù)領(lǐng)域
[0001 ] 本公開涉及一種發(fā)光器件。
[0002]本公開涉及一種具有多個(gè)發(fā)光芯片的發(fā)光器件。
[0003]本公開涉及具有發(fā)光器件的燈單元。
【背景技術(shù)】
[0004]發(fā)光二極管(LED)是將電能轉(zhuǎn)換成光的半導(dǎo)體器件并且替代傳統(tǒng)的熒光燈和輝光燈被廣泛地用作下一代光源。
[0005]因?yàn)長ED使用半導(dǎo)體器件產(chǎn)生光，所以與通過對(duì)鎢加熱產(chǎn)生光的輝光燈或者通過激勵(lì)通過高壓放電產(chǎn)生的紫外線以與熒光物質(zhì)碰撞產(chǎn)生光的熒光燈相比較LED可以呈現(xiàn)低功耗。
[0006]另外，因?yàn)長ED使用半導(dǎo)體的位勢(shì)差產(chǎn)生光，所以當(dāng)與傳統(tǒng)的光源相比較時(shí)LED具有壽命長、快速響應(yīng)特性、以及環(huán)保特性。
[0007]在這一點(diǎn)上，已經(jīng)執(zhí)行各種研究和調(diào)查以將傳統(tǒng)的光源替代成LEDIED被越來越多地用作用于諸如在室內(nèi)和室外使用的各種燈的照明裝置、液晶顯示器、電子標(biāo)識(shí)牌以及街燈的光源。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0008]實(shí)施例提供一種具有被耦合到主體的反射框架并且具有與多個(gè)發(fā)光芯片中的每一個(gè)相對(duì)應(yīng)的開口的發(fā)光器件。
[0009]實(shí)施例提供具有被設(shè)置在主體上的金屬反射框架和同時(shí)包圍多個(gè)發(fā)光芯片中的每一個(gè)的多個(gè)引線框架的發(fā)光器件。
[0010]實(shí)施例提供一種發(fā)光器件，該發(fā)光器件包括具有比第二軸方向的長度長的第一軸方向的長度的主體、以及被耦合到主體的第二軸方向的內(nèi)部的多個(gè)引線框架。
[0011 ]根據(jù)實(shí)施例，發(fā)光器件包括:主體;第一和第二引線框架，該第一和第二引線框架被耦合到主體;第一發(fā)光芯片，該第一發(fā)光芯片被設(shè)置在第一引線框架上;第二發(fā)光芯片，該第二發(fā)光芯片被設(shè)置在第二引線框架上；以及反射框架，該反射框架被設(shè)置在主體、第一引線框架以及第二引線框架上。反射框架包括彼此分開的多個(gè)開口，并且開口包括其中被設(shè)置有第一發(fā)光芯片的第一開口和其中被設(shè)置有第二發(fā)光芯片的第二開口。
[0012]根據(jù)實(shí)施例，發(fā)光器件包括:主體，該主體具有腔體;第一和第二引線框架，該第一和第二引線框架被耦合到主體并且被設(shè)置在腔體中的不同區(qū)域處;第三和第四引線框架，該第三和第四引線框架被耦合到主體并且被布置在第一和第二引線框架之間；第一發(fā)光芯片，該第一發(fā)光芯片被設(shè)置在第一引線框架上;第二發(fā)光芯片，該第二發(fā)光芯片被設(shè)置在第二引線框架上；以及反射框架，該反射框架被設(shè)置在主體上，包括敞開第一發(fā)光芯片的上部分的第一開口，敞開第二發(fā)光芯片的上部分的第二開口 ；以及分尚部，該分尚部在第一和第二開口之間。主體包括彼此相對(duì)的第一和第二橫向側(cè)部分和彼此相對(duì)的第三和第四橫向側(cè)部分。第一和第二橫向側(cè)部分的長度比第三和第四橫向側(cè)部分的長，并且第一引線框架包括從主體的第一橫向側(cè)部分突出的第一引線部和從主體的第二橫向側(cè)部分突出的第二引線部。第二引線框架包括從主體的第一橫向側(cè)部分突出的第三引線部和從主體的第四橫向側(cè)部分突出的第四引線部。第三引線框架包括從主體的第一橫向側(cè)部分突出的第五引線部，以及第四引線框架包括從主體的第二橫向側(cè)部分突出的第六引線部。
【附圖說明】
[0013]圖1是示出根據(jù)實(shí)施例的發(fā)光器件的透視圖。
[0014]圖2是示出圖1的發(fā)光器件的底表面的透視圖。
[0015]圖3是示出不具有圖2的反射框架的發(fā)光器件的視圖。
[0016]圖4是示出圖3的發(fā)光器件的底視圖。
[0017]圖5是不出圖2的反射框架的透視圖。
[0018]圖6是示出圖5的反射框架的平面圖。
[0019]圖7是不出圖6的反射框架的底視圖。
[0020]圖8是沿著圖1的發(fā)光器件的線A-A截取的截面圖。
[0021]圖9是圖8的局部放大視圖。
[0022]圖10是沿著圖1的發(fā)光器件的線B-B截取的截面圖。
[0023]圖11是沿著圖1的發(fā)光器件的線C-C’截取的截面圖。
[0024]圖12是沿著圖1的發(fā)光器件的線D-D’截取的截面圖。
[0025]圖13是示出圖8的發(fā)光器件的另一示例的截面圖。
[0026]圖14是示出圖8的發(fā)光器件的另一示例的截面圖。
[0027]圖15是示出具有圖8的發(fā)光器件的燈單元的視圖。
[0028]圖16是示出根據(jù)實(shí)施例的發(fā)光器件的發(fā)光芯片的示例的截面圖。
【具體實(shí)施方式】
[0029]在實(shí)施例的描述中，將會(huì)理解的是，當(dāng)基板、框架、片、層、或者圖案被稱為是在另一基板、另一框架、另一片、或者另一圖案“上”或者“下”時(shí)，其能夠“直接地”或者“間接地”在另一基板、另一框架、另一片、另一層、或者另一圖案上，或者也可以存在一個(gè)或者多個(gè)中間層。參考附圖已經(jīng)描述了層的這樣的位置。
[0030]對(duì)于本領(lǐng)域的技術(shù)人員來說基于其描述和附圖將會(huì)顯然地理解下面的實(shí)施例。另夕卜，相同的附圖標(biāo)記將會(huì)被指配給相同的元件。
[0031 ]在下文中，將會(huì)參考附圖描述根據(jù)實(shí)施例的發(fā)光器件。
[0032]圖1是示出根據(jù)實(shí)施例的發(fā)光器件的透視圖。圖2是示出圖1的發(fā)光器件的底表面的透視圖。圖3是示出不具有圖2的反射框架的發(fā)光器件的視圖。圖4是示出圖3的發(fā)光器件的底視圖。圖5是示出圖2的反射框架的透視圖。圖6是示出圖5的反射框架的平面圖。圖7是示出圖6的反射框架的底視圖。圖8是沿著圖1的發(fā)光器件的線A-A截取的截面圖。圖9是圖8的部分放大視圖。圖10是沿著圖1的發(fā)光器件的線B-B截取的截面圖。圖11是沿著圖1的發(fā)光器件的線C-C截取的截面圖。圖12是沿著圖1的發(fā)光器件的線D-D截取的截面圖。
[0033]參考圖1至圖12，發(fā)光器件300包括:主體110;多個(gè)引線框架125、135、145以及155、其至少一部分被耦合到主體110;多個(gè)發(fā)光芯片100和101，被設(shè)置在引線框架125、135、145以及155之中的相互不同的引線框架125和135上；以及反射框架310，該反射框架310被設(shè)置在主體110上。
[0034]125、135、145以及155中的至少兩個(gè)可以被耦合到主體110，并且至少一個(gè)或者多個(gè)發(fā)光芯片100和101可以被設(shè)置在引線框架125、135、145以及155中的至少兩個(gè)中。為了方便解釋，將會(huì)描述提供至少兩個(gè)引線框架，詳細(xì)地，四個(gè)引線框架的示例。
[0035]主體110可以是由絕緣反射材料形成，并且反射材料可以是由關(guān)于從發(fā)光芯片100和101發(fā)射的波長具有比透射率更高的反射率，例如，至少70%的反射率，的材料形成。當(dāng)反射率至少是70%時(shí)，主體110可以是由非透射材料形成。主體110可以是由樹脂基絕緣材料，例如，諸如聚鄰苯二甲酰胺(PPA)的樹脂材料形成。主體110可以包括:包括硅、環(huán)氧樹脂的熱固性樹脂，諸如塑料材料、高耐熱性材料、或者高耐光性材料的熱固性樹脂。基于硅基材料的主體110包括白基樹脂。另外，主體110可以選擇性地包含酸酐、抗氧化劑、脫模劑、光學(xué)反射體、無機(jī)填充劑、固化催化劑、光穩(wěn)定劑、潤滑劑或二氧化鈦?？梢酝ㄟ^使用選自下述中的至少一種來模制主體110:環(huán)氧樹脂、改性環(huán)氧樹脂、硅樹脂、改性硅樹脂、丙烯酸樹脂和聚氨酯樹脂。例如，通過使用B-階段固態(tài)環(huán)氧樹脂組合物可以形成主體110，B-階段固態(tài)環(huán)氧樹脂組合物可以通過如下獲得:將諸如異氰尿酸三縮水甘油酯或氫化物雙酚A 二縮水甘油醚(hydride bisphenol A diglycidylether)的環(huán)氧樹脂與諸如六氫化鄰苯二甲酸酐、3-甲基六氫化鄰苯二甲酸酐或4-甲基六氫化鄰苯二甲酸酐的酸酐助催化劑進(jìn)行混合，然后在添加作為固化加速劑的DBU(1.8-二氮雜二環(huán)(5，4，0)^碳烯-7)和作為環(huán)氧樹脂的助催化劑的乙二醇、鈦氧化物顏料或玻璃纖維之后部分地固化混合物，但實(shí)施方式不限于此。另外，主體110可以包含熱固樹脂與選自以下中的至少一種的混合物:擴(kuò)散劑、顏料、熒光材料、反射材料、遮光材料、光穩(wěn)定劑和潤滑劑。
[0036]主體110可以包括反射材料，例如，通過將金屬氧化物添加到諸如環(huán)氧或者硅的樹脂材料形成的樹脂材料，并且金屬氧化物可以包括Ti02、Si02、以及Al2O3中的至少一個(gè)。主體110可以有效地反射入射光?？商孢x地，主體110可以是由透射樹脂材料或者具有熒光體以轉(zhuǎn)換入射光的波長的樹脂材料形成。
[0037]如在圖3和圖4中所示，主體110可以包括多個(gè)外表面，例如，至少四個(gè)橫向側(cè)部分
111、112、113以及114。四個(gè)橫向側(cè)部分111、112、113以及114中的至少一個(gè)或者全部可以相對(duì)于主體110的底表面傾斜。關(guān)于主體110的第一至第四橫向側(cè)表面111、112、113、以及114，第一和第二橫向側(cè)部分111和112位于彼此相對(duì)，并且第三和第四橫向側(cè)部分113和114位于彼此相對(duì)。第一和第二橫向側(cè)部分111和112具有第二長度D2，并且第二長度D2可以是第一和第二橫向側(cè)部分111和112的最大長度。第三和第四橫向側(cè)部分113和114具有第一長度Dl，并且第一長度Dl可以是第三和第四橫向側(cè)部分113和114的最大長度。第二長度D2可以不同于第一長度D1。例如，第二長度D2可以比第一長度Dl更長，例如，范圍可以從比第一長度Dl長一倍到三倍。第一和第二橫向側(cè)部分111和112可以是比第三和第四橫向側(cè)部分113和114長的橫向側(cè)，并且第三和第四橫向側(cè)部分113和114可以是比第一和第二橫向側(cè)部分111和112的橫向側(cè)短的橫向側(cè)。
[0038]第一橫向側(cè)部分111或者第二橫向側(cè)部分112的第二長度D2可以是在第三橫向側(cè)部分113和第四橫向側(cè)部分114之間的最大間隔。主體110的縱向方向可以被定義為第一軸(X)方向，并且主體110的橫向方向可以被定義為第二軸(Y)方向，其垂直于第一軸(X)方向。是第一至第四橫向側(cè)部分111、112、113以及114之中的邊界區(qū)域的拐角部分可以被形成角度或者彎曲，但是實(shí)施例不限于此。
[0039]主體110的長度，在第一軸(X)方向中的延伸長度，可以是第一和第二橫向側(cè)部分111和112的第二長度D2。主體110的寬度，在第二軸(Y)方向中的延伸長度，可以是第一長度Dl。主體110的第二長度D2范圍可以是比第一長度Dl長一倍到三倍。詳細(xì)地，第二長度D2范圍可以比第一長度Dl長1.3倍到兩倍。如果第二長度D2超過第一長度Dl三倍，則在引線框架125、135、145以及155之中的邊界區(qū)域的剛度可能減小。另外，如果第二長度D2等于或者小于比第一長度Dl長的一倍，則具有大的區(qū)域的多個(gè)發(fā)光器件不可以被設(shè)置在一個(gè)發(fā)光器件中。在這樣的情況下，發(fā)光芯片110和101中的每一個(gè)可以是具有至少0.6mm，詳細(xì)地，至少Imm的寬度和高度的芯片。具有上述尺寸的芯片可以是大尺寸的芯片。因?yàn)榈谝恢黧w110的第二長度D2等于或者小于第一長度Dl三倍，所以可以防止主體110的中間部分在諸如注入模制工藝的制造工藝中被彎曲或者破壞。
[0040]主體110包括具有敞開的上部分的腔體140。引線框架125、135、145以及155被設(shè)置在腔體140的底部上。引線框架125、135、145以及155的上表面可以被設(shè)置為低于主體110的頂表面115。如在圖8至圖12中所示，腔體140的內(nèi)側(cè)壁Rl可以傾斜或者垂直于主體110的平坦的底表面。內(nèi)側(cè)壁Rl可以進(jìn)一步包括在引線框架125、135、145以及155的傾斜表面和頂表面之間的垂直的表面。
[0041]如在圖1和圖3中所示，第一引線框架125被耦合到與主體110的第三橫向側(cè)部分113相鄰的區(qū)域，并且第二引線框架135可以被耦合到與主體110的第四橫向側(cè)部分114相鄰的區(qū)域。主體110具有低于主體110的頂表面115的腔體140，并且腔體140可以被設(shè)置成從主體110凹進(jìn)的形狀，但是實(shí)施例不限于此。
[0042]引線框架125、135、145以及155可以被設(shè)置在腔體140的底表面上。引線框架125、135、145以及155可以包括被設(shè)置在腔體140的第一區(qū)域處的第一引線框架125、被設(shè)置在腔體140的第二區(qū)域處的第二引線框架135、以及被設(shè)置在腔體140的中心處，S卩，在第一和第二區(qū)域之間的第三區(qū)域處的第三和第四引線框架145和155。
[0043]可以通過腔體140的底表面暴露第一至第四引線框架125、135、145以及155的頂表面的一部分?？梢酝ㄟ^腔體140的第一區(qū)域暴露第一引線框架125，并且可以通過腔體140的第二區(qū)域暴露第二引線框架135?？梢酝ㄟ^腔體140的中心區(qū)域暴露第三和第四引線框架145和155。腔體140的第一區(qū)域可以與主體110的第一、第二以及第三橫向側(cè)部分111、112以及113相鄰。腔體140的第二區(qū)域可以與主體110的第一、第二、以及第四橫向側(cè)部分111、
112、以及114相鄰。
[0044]第一和第二橫向框架125和135中的每一個(gè)可以被排列在主體110的第二軸(Y)方向中。第三和第四引線框架145和155可以在主體110的第二軸(Y)方向中彼此排列成直線。第一和第二引線框架125和135可以彼此平行地排列。第一和第二引線框架125和135可以在主體110的第二軸(Y)方向中具有比延伸長度更長的長度D21。如果第一和第二引線框架125和135被排列在主體110的第一軸(X)方向中，則僅一個(gè)引線部從主體110的第三和第四橫向側(cè)部分113和114突出，并且不可以確保放置第三和第四引線框架145和155的空間。另外，在其上可以排列發(fā)光芯片100和101的第一和第二引線框架125和135的熱輻射區(qū)域不可以被確保，使得可能降低熱輻射效率。
[0045]被設(shè)置在發(fā)光芯片100和101下方的、根據(jù)實(shí)施例的第一和第二引線框架125和135在寬度方向或者第二軸(Y)方向中延伸，并且多個(gè)引線部127、128、137以及138可以從主體110的第一和第二橫向側(cè)部分111和112突出。因此，在其上設(shè)置發(fā)光芯片100和101的第一和第二引線框架125和135被排列在垂直于主體110的第二長度D2的軸方向，具體地，第二軸(Y)方向中，從而確保熱輻射區(qū)域，并且改進(jìn)發(fā)光器件300的熱輻射效率。
[0046]如在圖1至圖4和圖10中所示，第一引線框架125被耦合到主體110，并且被排列在腔體140的第一區(qū)域的下方。第一引線框架125包括彼此相對(duì)的、從主體110的橫向側(cè)部分突出的第一和第二引線部127和128。第一引線部127通過主體110的第一橫向側(cè)部分111突出，并且第二引線部128通過主體110的第二橫向側(cè)部分112突出。因?yàn)榈谝灰€框架125具有在主體110的較短軸方向中突出的第一和第二引線部127和128，所以可以改進(jìn)熱輻射區(qū)域。因?yàn)榫哂械谝缓偷诙€部127和128的第一引線框架125具有比主體110的第二長度Dl更長的長度D21，所以可以改進(jìn)結(jié)合區(qū)域和電氣可靠性。
[0047]如在圖8和圖10中所示，被暴露于腔體140的第一引線框架125的長度LI或者寬度Wl可以是一致的或者變化。例如，長度LI或者寬度Wl可以是1.0mm或者更多，詳細(xì)地，可以范圍從1.0mm至3.5mm。如果長度LI或者寬度Wl可能小于該范圍，則第一發(fā)光芯片100不可以被安裝，并且如果長度LI或者寬度Wl大于該范圍，則可能增加封裝尺寸。
[0048]如在圖1至圖4以及圖11中所示，第二引線框架135可以被設(shè)置在腔體140的第二區(qū)域下方，并且被耦合到主體110。第二引線框架135包括突出到主體110的相對(duì)橫向側(cè)部分的第三和第四引線部137和138。第三引線部137通過主體110的第一橫向側(cè)部分111突出，并且第四引線部138通過主體110的第二橫向側(cè)部分112突出。因?yàn)榈诙€框架135具有在主體110的較短軸方向中突出的第三和第四引線部137和138，所以可以改進(jìn)熱輻射區(qū)域。因?yàn)榫哂械谌偷谒囊€部137和138的第二引線框架135具有比主體110的第二長度Dl更長的長度D21，所以可以改進(jìn)結(jié)合區(qū)域和電氣可靠性。
[0049]如在圖8和圖11中所示，被暴露于腔體140的第二引線框架135的長度L2或者寬度W2可以是一致的或者變化。例如，長度L2或者寬度W2可以是1.0mm或者更多，詳細(xì)地，可以范圍從1.0mm至3.5mm。如果長度L2或者寬度W2可能小于該范圍，則第二發(fā)光芯片101不可以被安裝，并且如果長度L2或者寬度W2大于該范圍，則可能增加該封裝大小。長度L2可以等于或者不同于第一引線框架125的長度LI。例如，L1:L2的比率可以在3:1至1:3的范圍中，但是實(shí)施例不限于此。
[0050]如在圖1至圖4以及圖12中所示，第三引線框架145被設(shè)置在第一和第二引線框架125和135之間，并且包括突出到主體110的第一和第二橫向側(cè)部分111和112中的一個(gè)的第五引線部147。例如，第一引線部147通過主體110的第一橫向側(cè)部分111突出，并且被布置在第一和第三引線部127和137之間。如在圖8和圖12中所示，被暴露于腔體140的第三引線框架145的長度L3可以是120μπι或者更長，例如，150μπι或者更長。如果長度L3小于上述值，則第一保護(hù)芯片102的結(jié)合工藝可能是困難的。被暴露于腔體140的第三引線框架145的寬度W3可以大于第三引線框架145的長度L3，可以提供用于要被結(jié)合到第一保護(hù)芯片102的布線的結(jié)合空間。
[0051]因?yàn)榈谖逡€部147以大于第三引線框架145的內(nèi)部的寬度接觸主體110，所以在第五引線部147和主體110之間的接觸面積可以被增加，并且在第五引線部147和主體110之間的耦合強(qiáng)度可以被增強(qiáng)。因此，第三引線框架145的分離可以被防止。第三引線框架145的內(nèi)部可以是腔體140的底表面。
[0052]第四引線框架155被設(shè)置在被布置在第一和第二引線框架125和135之間的區(qū)域處，并且包括突出到主體110的第一和第二橫向側(cè)部分111和112中的另一個(gè)的第六引線部157。例如，第六引線部157通過主體110的第二橫向側(cè)部分112突出，并且被布置在第二和第四引線部128和138之間。被暴露于腔體140的第四引線框架155的長度可以等于第三引線框架145的長度L3。被暴露于腔體140的第四引線框架155的寬度W4可以等于第三引線框架145的寬度W3。因?yàn)榈诹€框架157以大于第四引線框架155的內(nèi)部的寬度的寬度接觸主體110，所以在第六引線部157和主體110之間的接觸面積可以增加，并且在第六引線部157和主體110之間的耦合強(qiáng)度可以增強(qiáng)。因此，第四引線框架155的分離可以被防止。第四引線框架155的內(nèi)部可以是腔體140的底表面。
[0053]如在圖3和圖4中所示，第一、第三、以及第五引線部127、137以及147從第一橫向側(cè)部分111向外突出，并且第二、第四以及第六引線部128、138以及157從第二橫向側(cè)部分112向外突出。第一、第三以及第五引線部127、137、147在與第一、第三、以及第五引線部127、137以及147的方向相對(duì)的方向中突出。突出到主體110的第一橫向側(cè)部分111的引線部127、137以及147和突出到第二橫向側(cè)部分112的引線部128、138以及157可以用作測試端子或者結(jié)合端子。
[0054]在第一和第二引線框架127和137之間，并且在從第一橫向側(cè)部分111突出的第三引線部137和第五引線部147之間的間隔Kl和K2可以彼此相等或者不同，并且可以比第一和第二間隙部分116和117的寬度G3和G4更寬。在第二和第四引線部128和138之間，并且在從第二橫向側(cè)部分116和117突出的第四引線部138和157、第二、第四以及第六引線部128、138和157之間的間隔，可以彼此相等或者不同。如在圖8中所示，在第二和第四引線部128和138之間，并且在第四引線部138和157之間的間隔可以比第一和第二間隙部分116和117的寬度G3和G4更寬。在相鄰的引線部之間的間隔G3和G4可以比引線部127、128、137、138、147以及157的寬度D7、D8、D9更窄。
[0055]第一至第四引線部分127、128、137以及138的寬度D7和D8可以彼此相等，但是實(shí)施例不限于此。第一至第四引線部127、128、137以及138的寬度D7和D8的比率可以處于2:1至1:1的范圍中。上述比率可以防止熱輻射區(qū)域由于第一至第四引線部127、128、137以及138的區(qū)域而被減少，并且可以防止第五和第六引線部156和157發(fā)生故障。
[0056]如在圖1至圖4，和圖8中所示，第一至第四引線框架125、135、145以及155的底表面可以被排列在與第一至第四引線部127、128、137、138、147以及157的相同的平面上。第一至第四引線框架125、135、145以及155的底表面可以被暴露于主體110的底表面。第一至第四引線部127、128、137、138、147以及157可以被排列在與主體110的底表面的相同的平面上。第一至第四引線部127、128、137、138、147以及157的底表面可以從主體110的底表面向外暴露。第一至第四引線框架125、135、145以及155可以與第一至第六引線部127、128、137、138、147以及157—起被結(jié)合到電路。第一至第六引線部127、128、137、138、147以及157可以從主體110的各個(gè)橫向側(cè)部分111和112突出了至少0.10mm，詳細(xì)地，至少0.15mm?？梢詾樽鳛闇y試端子或者引線端子的功能提供第一至第六引線部127、128、137、138、147以及157的突出長度。第一至第四引線框架125、135、145以及155可以包括金屬材料，例如，鈦(Ti)、銅(Cu)、鎳(Ni)、金(Au)、絡(luò)(Cr)、鉭(Ta)、鈾(Pt)、錫(Sn)、銀(Ag)、以及磷(P)。第一至第四引線框架125、135、145以及155可以被形成在單金屬層或者多金屬層上。第一至第四引線框架125、135、145以及155可以具有相等的厚度。第一至第四引線框架125、135、145以及155可以用作提供電力的端子。
[0057]根據(jù)實(shí)施例的發(fā)光器件300可以包括多個(gè)發(fā)光芯片100和101。發(fā)光芯片100和101中的至少一個(gè)可以被設(shè)置在至少一個(gè)引線框架上。發(fā)光芯片100和101可以包括第一和第二發(fā)光芯片100和101。
[0058]第一發(fā)光芯片100被設(shè)置在腔體140中的第一引線框架125上，并且第二發(fā)光芯片101被設(shè)置在腔體140中的第二引線框架135上。第一發(fā)光芯片100可以通過粘合劑，例如，導(dǎo)電粘合劑，被結(jié)合到第一引線框架125，以與第一引線框架125電連接。第一發(fā)光芯片100可以通過第一連接構(gòu)件171連接第三引線框架145，并且第一連接構(gòu)件171包括導(dǎo)線。
[0059]導(dǎo)電粘合劑可以包括諸如焊料的結(jié)合材料。第二發(fā)光芯片101可以通過粘合劑，例如，導(dǎo)電粘合劑，被結(jié)合到第二引線框架135，以電連接到第二引線框架135。第二發(fā)光芯片101可以通過第二連接構(gòu)件172被連接第二引線框架135。第二連接構(gòu)件172包括導(dǎo)線。
[0060]第一和第二發(fā)光芯片100和101可以在可見光帶到紫外線譜帶的范圍中選擇性地發(fā)射光。例如，第一和第二發(fā)光芯片100和101可以包括從紅色LED芯片、藍(lán)色LED芯片、綠色LED芯片、黃綠色LED芯片、以及白色LED芯片之中選擇的一個(gè)。第一和第二發(fā)光芯片100和101包括LED芯片，該LED芯片包括含I1-V族元素的化合物半導(dǎo)體和I1-VI族元素的化合物半導(dǎo)體中的至少一個(gè)。發(fā)光器件300可以包括具有大的面積，例如，至少0.6mm X 0.6mm或者1_X Imm的第一和第二發(fā)光芯片100和101，以便于改進(jìn)光強(qiáng)度?？梢酝ㄟ^發(fā)光二極管實(shí)現(xiàn)發(fā)光芯片100和101，并且發(fā)光二極管可以包括其他半導(dǎo)體器件，例如，齊納二極管、FET或者JFET0
[0061]根據(jù)實(shí)施例的發(fā)光器件300可以包括多個(gè)保護(hù)芯片102和103。在引線框架125、135、145以及155之中，保護(hù)芯片102和103包括被設(shè)置在第三引線框架145上的第一保護(hù)芯片102和被設(shè)置在第四引線框架155上的第二保護(hù)芯片103。
[0062]使用導(dǎo)電粘合劑第一保護(hù)芯片102可以被結(jié)合到第三引線框架145以與第三引線框架145電連接，并且可以通過第三連接構(gòu)件173被連接第一引線框架125。連接構(gòu)件173包括導(dǎo)線。
[0063]使用導(dǎo)電粘合劑第二保護(hù)芯片103可以被結(jié)合到第四引線框架155以與第四引線框架155電連接，并且可以通過第四連接構(gòu)件174連接第二引線框架135。連接構(gòu)件174包括導(dǎo)線。
[0064]可以通過晶閘管、齊納二極管或者TVS(瞬態(tài)電壓抑制)中的至少一個(gè)實(shí)現(xiàn)第一和第二保護(hù)芯片102和103。第一發(fā)光芯片100可以被并聯(lián)地連接第一保護(hù)芯片102，并且第二發(fā)光芯片101可以被并聯(lián)地連接第二保護(hù)芯片103。第一和第二引線框架125和135用作發(fā)光芯片100和101的陰極，并且第三和第四引線框架145和155可以用作發(fā)光芯片100和101的陽極。
[0065]第一和第二保護(hù)芯片102和103可以電氣地保護(hù)第一和第二發(fā)光芯片100和101。第一和第二保護(hù)芯片102和103的表面可以在其上被設(shè)置有反射材料。反射材料可以包括包含金屬氧化物，例如，Ti02、Si02、以及Al2O3中的至少一個(gè)的諸如硅或者環(huán)氧的樹脂材料。反射材料可以防止光被吸收到第一和第二保護(hù)芯片102和103。
[0066]在腔體140中，在第三引線框架145被耦合到的內(nèi)側(cè)壁141與第一橫向側(cè)部分111之間的間隔可以比在第一或者第二引線框架125或者135被耦合到的內(nèi)側(cè)壁與第一橫向側(cè)部分111之間的間隔窄。第三引線框架145經(jīng)過的主體110的頂表面的寬度可以比第一和第二引線框架125和135經(jīng)過的主體110的頂表面的寬度窄。在腔體140中確保第三引線框架145的頂表面的面積，使得可以提供用于第一保護(hù)芯片102的針腳式結(jié)合工藝的空間。
[0067]在第四引線框架155被耦合的內(nèi)側(cè)壁142與第二橫向側(cè)部分112之間的間隔可以比在第一或者第二引線框架125或者135被耦合到的內(nèi)側(cè)壁與第二橫向側(cè)部分112之間的間隔窄。換言之，第四引線框架155經(jīng)過的主體110的頂表面的寬度可以比第一和第二引線框架125和135經(jīng)過的主體110的頂表面的寬度窄。在腔體140中確保第四引線框架155的頂表面的面積，使得可以提供用于第二保護(hù)芯片103的針腳式結(jié)合工藝的空間。
[0068]如在圖2、圖3、圖8和圖9中所示，第一間隙部分116可以被耦合到在第一引線框架125與第三和第四引線框架145和155之間的區(qū)域。第一間隙部分116可以是由于主體110的材料相同或者不同的材料形成。
[0069]第二間隙部分117可以被耦合到在第二引線框架135與第三和第四引線框架145和155之間的區(qū)域。第二間隙部分117是由與主體110的相同的材料形成，或者包括不同于主體110的材料的絕緣材料。第一和第二間隙部分116和117可以被相互連接。
[0070]如在圖3和圖12中所示，突起118可以在第一和第二間隙部分116和117之間的區(qū)域中突出。突起118可以是由與第一和第二間隙部分116和117相同的材料形成，并且可以連接第一和第二間隙部分116和117。突起118可以與主體10—體化。突起118被設(shè)置在第三和第四引線框架145和155之間的區(qū)域處。突起118可以從第三和第四引線框架145和155的頂表面的部分延伸，并且可以具有傾斜的圓周表面。突起118可以被耦合到第三和第四引線框架145和155，并且可以在垂直方向中被重疊第三和第四引線框架145和155的頂表面的部分。突起118可以具有圓形、多邊形、橢圓形、以及多邊形的邊緣被成圓形的形狀中的至少一個(gè)，但是實(shí)施例不限于此。突起118可以以具有朝著突起118的頂表面變窄的寬度的棱柱的形狀突出。另外，當(dāng)突起118的橫向側(cè)被彎曲時(shí)，在不同的方向中可以反射入射光。突起118的橫向側(cè)可以被設(shè)置成彎曲的形狀替代用于光反射的成角度的表面。
[0071]凹進(jìn)部分119被設(shè)置成與突起118相對(duì)。凹進(jìn)部分119可以是孔，用于在注入模制工藝中要被耦合的注澆口。當(dāng)在側(cè)橫截面視圖中看時(shí)凹進(jìn)部119可以具有多邊形或者半球形，但是實(shí)施例不限于此。凹進(jìn)部分119的深度可以低于第三和第四引線框架145和155的頂表面的深度。當(dāng)凹進(jìn)區(qū)域215的深度被形成到第三和第四引線框架145和155的頂表面的那些時(shí)，第一和第二間隙部分116和117的剛度可以減小。
[0072]突起118以預(yù)先確定的厚度Tl突出，并且厚度Tl可以等于或者高于第一和第二保護(hù)芯片102和103的頂表面的高度。突起118的頂表面可以被設(shè)置為低于第三和第四引線框架145和155的頂表面，并且可以低于主體110的頂表面115。突起118的頂表面可以被設(shè)置為高于第一間隙116和第二間隙部分(117)的頂表面。如果突起118沒有突出，則在第三和第四引線框架145和155之間的耦合強(qiáng)度可能降低或者被去除。另外，如果突起118比厚度Tl厚，則保護(hù)芯片102和103不可以被安裝。如在圖7中所示，突起118的寬度W5可以比被暴露于腔體140的底表面的第三和第四引線框架145和155的寬度W3和W4窄。在突起118中，長度與寬度的比率可以處于3:1至1:3的范圍中，但是實(shí)施例不限于此。突起118和第一和第二間隙部分116和117可以被耦合到第三和第四引線框架145和155，以支撐第三和第四引線框架145和155。突起118可以位于第一和第二引線框架125和135的中心處，并且在第三和第四引線框架145和155之間的中心處。
[0073]如在圖3、圖4以及圖8中所示，第一引線框架125可以在外圍處具有一個(gè)和第二臺(tái)階結(jié)構(gòu)211和212。第一和第二臺(tái)階結(jié)構(gòu)211和212被耦合到主體110的一部分。在第一引線框架125的兩個(gè)外部處，詳細(xì)地，延沿著第一引線框架125的兩個(gè)邊緣，可以設(shè)置第一和第二臺(tái)階結(jié)構(gòu)211和212。第一臺(tái)階結(jié)構(gòu)211可以在主體110的寬度方向中被耦合到第三橫向側(cè)部分113的內(nèi)部。第一臺(tái)階結(jié)構(gòu)211可以在主體110的第一和第二橫向側(cè)部分111和112中延伸。第二臺(tái)階結(jié)構(gòu)212可以沿著第一間隙部分116被耦合到第一間隙部分116。第一臺(tái)階結(jié)構(gòu)212可以在主體110的第一和第二橫向側(cè)部分111和112延伸。第一和第二臺(tái)階結(jié)構(gòu)211和212的深度可以從第一引線框架125的邊緣以0.0lmm或者更多，詳細(xì)地，0.02_或者更多，形成。如果深度小于該數(shù)值，則耦合強(qiáng)度可能降低。第一和第二臺(tái)階結(jié)構(gòu)211和212的凹進(jìn)深度可以處于第一引線框架125的厚度的1/3至1/2的范圍內(nèi)。當(dāng)?shù)谝缓偷诙_(tái)階結(jié)構(gòu)211和212的凹進(jìn)深度超出范圍時(shí)，耦合強(qiáng)度可能降低，或者臺(tái)階部分可能被破壞。
[0074]第一和第二臺(tái)階結(jié)構(gòu)211和212包括臺(tái)階結(jié)構(gòu)?？商孢x地，第一和第二臺(tái)階結(jié)構(gòu)211和212可以包括被形成為傾斜形狀或者彎曲形狀的傾斜表面，但是實(shí)施例不限于此。第一和第二臺(tái)階結(jié)構(gòu)211和212的長度D13可以大于圖3的腔體140的寬度Dll。在這樣的情況下，腔體140的寬度Dll可以是與粘合層250相鄰的上區(qū)域的寬度。因此，第一和第二臺(tái)階結(jié)構(gòu)211和212可以增加與主體110的接觸面積。第一和第二臺(tái)階結(jié)構(gòu)211和212的長度D13可以比主體110的第二長度Dl短。第一和第二臺(tái)階結(jié)構(gòu)211和212的主體110可以與主體110的第一和第二橫向側(cè)部分111和112的表面分開。
[0075]第一引線框架125的底寬度D3可以比第一引線框架125的頂寬度窄。第一引線框架125的頂寬度可以比第一引線框架125的底寬度寬。被設(shè)置在腔體140中的第一引線框架125的底寬度D3可以比第三和第四引線部127和128的寬度D7寬。在第一引線框架125中的底寬度D3和寬度D7之間的差可能至少是0.05mm，例如，處于0.05mm至0.2mm的范圍內(nèi)。如果差小于該范圍，則在第一引線框架125和主體110之間的耦合強(qiáng)度可能降低。如果差大于該范圍，則第一和第二引線框架127和128可能發(fā)生故障。第一和第二引線框架127和128以比被設(shè)置在主體110下方的第一引線框架125的低寬度D3窄的寬度D7突出，從而防止主體110的第一和第二橫向側(cè)部分111和112的剛度降低。
[0076]第二引線框架135可以在外圍處具有第三和第四臺(tái)階結(jié)構(gòu)215和216，并且第三和第四臺(tái)階結(jié)構(gòu)215和216可以被耦合到主體110的一部分?？梢栽诘诙€框架135的兩個(gè)外部處，詳細(xì)地，沿著第二引線框架135的兩個(gè)邊緣，設(shè)置第三和第四臺(tái)階結(jié)構(gòu)215和216。沿著第四橫向側(cè)部分114第三臺(tái)階結(jié)構(gòu)215可以被耦合到第四橫向側(cè)部分114的內(nèi)部。第三臺(tái)階結(jié)構(gòu)215可以在主體110的第一和第二橫向側(cè)部分111和112延伸。沿著第二間隙部分117第四臺(tái)階結(jié)構(gòu)216可以被耦合到第二間隙部分117的內(nèi)部。第四臺(tái)階結(jié)構(gòu)216可以在主體110的第一和第二橫向側(cè)部分111和112中延伸。第三和第四臺(tái)階結(jié)構(gòu)215和216的深度可以從第二引線框架135的邊緣以0.0lmm或者更大，詳細(xì)地，0.02_或者更大，被形成。如果深度小于數(shù)值，則耦合強(qiáng)度可能被降低。第三和第四臺(tái)階結(jié)構(gòu)215和216的凹進(jìn)高度可以處于第二引線框架135的厚度的1/3至1/2的范圍中。當(dāng)?shù)谌偷谒呐_(tái)階結(jié)構(gòu)215和216的凹進(jìn)高度超出范圍時(shí)，耦合強(qiáng)度可能被降低，或者臺(tái)階部分可能被破壞。
[0077]第三和第四臺(tái)階結(jié)構(gòu)215和216包括臺(tái)階結(jié)構(gòu)?？商孢x地，第三和第四臺(tái)階結(jié)構(gòu)215和216可以包括被形成為傾斜形狀或者彎曲形狀的傾斜表面，但是實(shí)施例不限于此。第三和第四臺(tái)階結(jié)構(gòu)215和216的長度D13可以比圖3的腔體140的寬度Dll長，并且比主體110的第一長度Dl短。因此，第三和第四臺(tái)階結(jié)構(gòu)215和216可能由于長度D13增加與主體110的接觸面積。第三和第四臺(tái)階結(jié)構(gòu)215和216可以與主體110的第一和第二橫向側(cè)部分111和112的表面分開。
[0078]第二引線框架135的底寬度D4可以比第二引線框架135的頂寬度窄。第二引線框架135的頂寬度可以比第二引線框架135的底寬度寬。被設(shè)置在腔體140中的第二引線框架135的底寬度D4可以比第三和第四引線部137和138的寬度D8寬。第一和第二引線框架125和135可以在主體110的寬度方向中以比主體110的第一長度Dl長的長度延伸。因此，第一和第二引線框架125和135中的每一個(gè)通過相互不同的橫向側(cè)突出引線部127、128、137以及138，使得可以改進(jìn)熱輻射效率。
[0079]參考圖3、圖4以及圖12，第三引線框架145在其外圍處包括第五臺(tái)階結(jié)構(gòu)213。一個(gè)第五臺(tái)階結(jié)構(gòu)213或者多個(gè)第五臺(tái)階結(jié)構(gòu)213被設(shè)置在第三引線框架145的外圍處，并且被耦合到主體110的一部分。第五臺(tái)階結(jié)構(gòu)213可以被耦合到第一和第二間隙部分116和117以及突起118。由于第五臺(tái)階結(jié)構(gòu)213，第三引線框架145可以具有比底表面面積寬的頂表面面積。第五臺(tái)階結(jié)構(gòu)213可以與主體110的第一橫向側(cè)部分111的表面分開。第五臺(tái)階結(jié)構(gòu)213的深度可以從第三引線框架145的邊緣以0.0lmm或者更多，詳細(xì)地，0.02mm或者更多，形成。如果深度低于該數(shù)值，則耦合強(qiáng)度可能降低。第五臺(tái)階結(jié)構(gòu)213的凹進(jìn)高度可以處于第三引線框架145的厚度的1/3至1/2的范圍中。當(dāng)凹進(jìn)高度超出范圍時(shí)，耦合強(qiáng)度可能降低，或者臺(tái)階部分可能被破壞。第五臺(tái)階結(jié)構(gòu)213包括臺(tái)階結(jié)構(gòu)。可替選地，第五臺(tái)階結(jié)構(gòu)213可以包括被形成為傾斜形狀或者彎曲形狀的傾斜表面，但是實(shí)施例不限于此。
[0080]第四引線框架155在其外圍處包括第六臺(tái)階結(jié)構(gòu)214。一個(gè)第六臺(tái)階結(jié)構(gòu)214或者多個(gè)第六臺(tái)階結(jié)構(gòu)214被設(shè)置在第四引線框架155的外圍處，并且被耦合到主體110的一部分。第六臺(tái)階結(jié)構(gòu)214可以被耦合到第一和第二間隙部分116和117以及突起118。由于第六臺(tái)階結(jié)構(gòu)214，第四引線框架155可以具有比底表面面積寬的頂表面面積。第六臺(tái)階結(jié)構(gòu)214的深度可以從第四引線框架155的邊緣以0.0lmm或者更多，詳細(xì)地，0.02_或者更多，形成。如果深度低于該數(shù)值，則耦合強(qiáng)度可能降低。第六臺(tái)階結(jié)構(gòu)214的凹進(jìn)高度可以處于第四引線框架155的厚度的1/3至1/2的范圍中。當(dāng)凹進(jìn)高度超出范圍時(shí)，耦合強(qiáng)度可能降低，或者臺(tái)階部分可能被破壞。第六臺(tái)階結(jié)構(gòu)214包括臺(tái)階結(jié)構(gòu)?？商孢x地，第六臺(tái)階結(jié)構(gòu)214可以包括被形成為傾斜形狀或者彎曲形狀的傾斜表面，但是實(shí)施例不限于此。
[0081]第一至第四引線框架125、135、145以及155的臺(tái)階結(jié)構(gòu)211、212、213、214、215以及216可以改進(jìn)與主體110的耦合強(qiáng)度以防止?jié)駳鉂B透到發(fā)光器件中。
[0082]第三和第四引線框架145和155的底寬度D5可能比第五和第六引線部147和147的寬度D9窄。在第三和第四引線框架145和155中的底寬度D5和寬度D9之間的差可能是0.5mm或者更多，例如，可以處于0.05mm至0.2mm的范圍內(nèi)。如果差小于上述范圍，貝Ij與主體110的耦合強(qiáng)度可能降低。如果差大于上述范圍，則第五和第六引線部147和157可能發(fā)生故障。
[0083]在第三和第四引線框架145和155的底表面中，用作內(nèi)寬度的低寬度D5，可以具有至少0.03mm，例如，范圍從0.03mm至1.0mm，或者范圍從0.4mm至0.6mm，并且用作外寬度的寬度D9可以具有至少0.08mm，例如，范圍從0.08mm至1.2mm。如果底寬度D5小于該范圍，則保護(hù)芯片102和103的安裝工藝或者引線結(jié)合工藝是困難的。如果底寬度D5大于該范圍，則第一和第二間隙部分116和117或者第一和第二引線框架125和135可能在尺寸上被影響。
[0084]第三和第四引線框架145和155的底寬度D5可以比第一和第二引線框架125和135的寬度D3和D4窄至少三倍。如果第一和第四引線框架145和155的底寬度D5比第一和第二引線框架125和135的底寬度D3和D4寬，則第一和第二引線框架125和135的寬度可以減小或者主體110的長度可能增加。
[0085]第一和第二引線框架125和135的底寬度D3和D4可以比第五和第六引線框架145和155的底寬度D5寬，并且可以比第一至第四引線部127、128、137以及138的寬度D7、D8以及D9寬。可替選地，第三和第四引線框架145和155的底寬度D5可以比第一和第二引線框架125和135的底寬度D3和D4窄，并且可以比第五和第六引線部145和157窄。
[0086]如在圖3、圖4以及圖10中所示，第一引線框架125被耦合到主體110并且包括多個(gè)孔，例如，與第一和第二橫向側(cè)部分111和112相鄰的第一和第二孔Hl和H2。在第一和第二孔Hl和H2之間的間隔D21比腔體140的寬度D11寬。第一孔Hl可以被設(shè)置為與第一橫向側(cè)部分111相鄰，并且第二孔H2可以被設(shè)置為與第二橫向側(cè)部分112相鄰。第一引線框架125的第一和第二孔Hl和H2可以包含第七和第八臺(tái)階結(jié)構(gòu)217和218，并且第七和第八臺(tái)階結(jié)構(gòu)217和218可以具有比底寬度窄的頂寬度。以第一和第二孔Hl和H2被垂直地重疊主體110以增強(qiáng)與主體110的耦合強(qiáng)度的方式設(shè)置第一和第二孔Hl和H2。當(dāng)從底部看時(shí)第一和第二孔Hl和H2可以具有多邊形、圓形、橢圓形、以及多邊形的邊緣變圓的形狀中的至少一個(gè)。第一孔Hl可以被設(shè)置在第一臺(tái)階結(jié)構(gòu)211和第二臺(tái)階結(jié)構(gòu)212之間的圓形區(qū)域M2中，并且第二孔H2可以被設(shè)置在第一臺(tái)階結(jié)構(gòu)211和第二臺(tái)階結(jié)構(gòu)212之間的圓形區(qū)域M3中。第一引線框架125可以通過第一和第二孔Hl和H2和圓形區(qū)域M2和M3增強(qiáng)與主體110的耦合強(qiáng)度。第一和第二孔Hl和H2與發(fā)光芯片100和101的橫向側(cè)分開，并且可以具有比發(fā)光芯片100和101的一側(cè)的長度寬的間隔。
[0087]第七和第八臺(tái)階結(jié)構(gòu)217和218包括臺(tái)階結(jié)構(gòu)?？商孢x地，第七和第八臺(tái)階結(jié)構(gòu)217和218可以包括被形成為傾斜形狀或者彎曲形狀的傾斜表面，但是實(shí)施例不限于此。主體110的第一和第二耦合結(jié)構(gòu)225和226被耦合到第一引線框架125的第一和第二孔Hl和H2。第一和第二耦合結(jié)構(gòu)225和226可以以第一和第二耦合結(jié)構(gòu)225和226的底寬度比頂寬度寬的方式被耦合到第一和第二孔Hl和H2。
[0088]第七和第八臺(tái)階結(jié)構(gòu)217和218與第一引線框架125的底表面具有預(yù)先確定的高度。例如，高度可以被形成在第一引線框架125的厚度的1/3至1/2的范圍中。如果高度超出該范圍，則與主體110的耦合強(qiáng)度可能降低，或者臺(tái)階部分可能被破壞。
[0089]如在圖4和圖12中所示，關(guān)于在第三和第四引線框架145和155之間的間隔，在第三和第四引線框架145和155的頂表面之間的間隔G5可以是0.8mm±0.1mm，并且在第三和第四弓丨線框架145和155的底表面之間的間隔可以是0.6mm±0.05mm。在第三和第四引線框架145和155之間的間隔可以去除電氣干擾并且防止在第三和第四引線框架145和155與突起118之間的耦合強(qiáng)度降低。
[0090]如在圖3中所示，關(guān)于第一和第二引線框架125和135，超出腔體140的區(qū)域M2和M3可以以圓形形狀延伸到引線部127、128、137以及138。在第三引線框架145中，超出腔體140的區(qū)域M5可以以圓形形狀延伸到第五引線部147。在第四引線框架155中，超出腔體140的區(qū)±或16可以以圓形形狀延伸到第六引線部157。因此，在第三引線框架145和主體110之間的耦合強(qiáng)度可以由于圓形區(qū)域M2、M3、M5以及M6而增加。在這樣的情況下，第三引線框架145的圓形區(qū)域M5可以被設(shè)置為比第一和第二引線框架125和135的圓形區(qū)域M2更向外，并且第四引線框架155的圓形區(qū)域M6可以被設(shè)置為比第一和第二引線框架125和135的圓形區(qū)域M更向夕卜。在這樣的情況下，超出腔體140的第一和第二引線框架125和135的區(qū)域M2和M3之間的區(qū)域可以是非圓形的區(qū)域Ml。
[0091]如在圖4和圖11中所示，第二引線框架135被耦合到主體110，包括多個(gè)孔，例如，與第一和第二橫向側(cè)部分111和112相鄰的第三和第四孔H3和H4。在第三和第四孔H3和H4之間的間隔可以比在圖3中所示的腔體140的寬度Dll寬。第三和第四孔H3和H4可以以第三和第四孔H3和H4被垂直地重疊主體110的方式被設(shè)置，從而增強(qiáng)在第二引線框架135和主體110之間的耦合強(qiáng)度。第三和第四孔H3和H4可以是多邊形、圓形、橢圓形和多邊形的邊緣變圓的形狀中的至少一個(gè)。第三孔H3可以被設(shè)置在第三和第四臺(tái)階結(jié)構(gòu)215和216的圓形區(qū)域M2之間，并且第四孔H4可以被設(shè)置在第三和第四臺(tái)階結(jié)構(gòu)215和216的圓形區(qū)域M3之間。通過第三和第四孔H3和H4和圓形區(qū)域M2和M4可以增強(qiáng)在第二引線框架135和主體110之間的耦合強(qiáng)度。第三和第四孔H3和H4與第二發(fā)光芯片101的兩個(gè)橫向側(cè)分開了大于第二發(fā)光芯片101的一側(cè)的長度的間隔Dl 2。
[0092]在第二引線框架中的第三和第四孔H3和H4包含第九和第十臺(tái)階結(jié)構(gòu)219和220，并且第九和第十臺(tái)階結(jié)構(gòu)210和220包括臺(tái)階結(jié)構(gòu)?？商孢x地，第九和第十臺(tái)階結(jié)構(gòu)210和220可以具有被形成為傾斜形狀或者彎曲形狀的傾斜表面，但是實(shí)施例不限于此。第九和第十臺(tái)階結(jié)構(gòu)219和220可以允許第三和第四孔H3和H4具有比上寬度寬的底寬度。第三和第四耦合部235和236被耦合到第二引線框架135中的第三和第四孔H3和H4，并且以第三和第四耦合部235和236的底寬度比其頂寬度寬的方式被耦合到第三和第四孔H3和H4。
[0093]第九和第十臺(tái)階結(jié)構(gòu)219和220可以具有與第二引線框架135的底表面的預(yù)先確定的高度。第九和第十臺(tái)階結(jié)構(gòu)219和220的凹進(jìn)高度可以處于第二引線框架135的厚度的1/3至1/2的范圍中。當(dāng)凹進(jìn)高度超出該范圍時(shí)，在第九和第十臺(tái)階結(jié)構(gòu)219和220和主體110之間的耦合強(qiáng)度可能降低，或者臺(tái)階部分可能被破壞。
[0094]如在圖1、圖2和圖7中所不，反射框架310可以被設(shè)置在主體110上。反射框架310可以被重疊主體110的頂表面的整個(gè)部分。反射框架310可以被設(shè)置在第一至第四引線框架125、135、145以及155上。反射框架310與第一至第四引線框架125、135、145以及155中的至少一個(gè)或者全部電絕緣。
[0095]參考圖6，在反射框架310中，在第一軸(X)方向中的長度D22可以比第二軸(Y)方向中的長度D23長至少一倍，例如，1.3倍到兩倍。當(dāng)反射框架310小于該范圍時(shí)，輸出光的開口341和343的大小可能減小。當(dāng)反射框架310大于該范圍時(shí)，材料可能被浪費(fèi)。
[0096]在第一軸(X)方向中的反射框架310的長度D22可以與主體110的第二長度D2相同或者比主體110的第二長度D2短。在第二軸(Y)方向中的反射框架310的長度D23可以等于主體110的第一長度Dl或者比主體110的第一長度Dl短。在第一軸(X)方向中的反射框架310的長度D22可以范圍是比第二軸(Y)方向中的長度D23長一倍到三倍。反射框架310可以防止在主體110的中心處剛度變?nèi)酢?br>[0097]粘合層250可以被布置在反射框架310和主體110之間。粘合層250可以將反射框架310附接到主體110的頂表面115。粘合層250可以包括諸如硅或者環(huán)氧的粘合劑。粘合層250可以包括與主體110的相同的材料。反射框架310的一部分可以直接地接觸主體110。
[0098]反射框架310可以是由金屬材料形成。反射框架310可以包括Ag、N1、Al、Rh、Pd、Ir、Ru、Mg、Zn、Pt、Cu、Au、以及Hf，或者選擇性地包括上述材料的合金中的至少一個(gè)。反射框架310的光反射率可以高于主體110的光反射率。反射框架310的厚度可以是2_或者更少，例如，Imm或者更少，并且可以比引線框架125、135、145以及155的厚度厚。由金屬材料形成的反射框架310不可以被扭曲，并且可以具有足以被結(jié)合在主體110上的厚度。
[0099]如在圖1中所示，反射框架310包括多個(gè)開口 341和343，例如，第一和第二開口 341和343。第一和第二開口 341和343可以通過分離部345被相互分離。
[0100]開口 341和343可以被垂直地重疊發(fā)光芯片100和101中的至少一個(gè)。開口 341和343可以是在發(fā)光芯片100和101的方向中穿過反射框架310的孔。當(dāng)從頂部看時(shí)第一開口 341可以具有圓形或者多邊形。當(dāng)從頂部看時(shí)第二開口 343可以具有圓形或者多邊形。
[0101]第一開口341被設(shè)置在第一發(fā)光芯片100外部以敞開第一發(fā)光芯片100的上部分。第二開口 343可以被設(shè)置在第二發(fā)光芯片101夕卜部以敞開第二發(fā)光芯片101的上部分。第一開口 341可以是其中從第一發(fā)光芯片100發(fā)射的光被反射和輸出的區(qū)域。第二開口 343可以是其中從發(fā)光芯片101發(fā)射的光被反射和輸出的區(qū)域。
[0102]如在圖6、圖8和圖10中所示，第一開口 341的橫向側(cè)342可以面向第一發(fā)光芯片100的橫向側(cè)同時(shí)包圍第一發(fā)光芯片100的上部分。隨著下端301更加靠近第一引線框架125，第一開口 341的下端301可以更加靠近第一發(fā)光芯片1001的橫向側(cè)。第一開口 341的下寬度Gl和G2可能比第一發(fā)光芯片100的頂表面的寬，并且可以比暴露于腔體140的第一引線框架125的寬度Wl窄。第一開口 341的橫向側(cè)342可以具有傾斜到或者垂直于主體110的平坦的底表面的表面。在這樣的情況下，第一開口 341可以向上變寬。第一開口 341的下寬度Gl和G2可以是在第一軸(X)方向和第二軸(Y)方向中的長度，并且可以彼此相同或者彼此不同，并且可以取決于發(fā)光芯片的尺寸而變化。第一開口 341的較低區(qū)域可以比第一發(fā)光芯片100的頂表面的區(qū)域?qū)?，并且可以比被暴露于腔體140的第一引線框架125的頂表面的區(qū)域窄。
[0103]如在圖6、圖8和圖11中所示，第二開口 343的橫向側(cè)344可以面向第二發(fā)光芯片101的橫向側(cè)同時(shí)包圍第二發(fā)光芯片101的上部分。隨著下端302更加靠近第二引線框架135，第二開口 343的下端302可以更加靠近第二發(fā)光芯片101的橫向側(cè)。第二開口 343的下寬度可以比第二發(fā)光芯片101的頂表面寬，并且可以比暴露于腔體140的第二引線框架135的寬度窄。第二開口 343的橫向側(cè)344可以具有傾斜到或者垂直于主體110的平坦的底表面的表面。第二開口 343的下寬度可以等于第一開口 341的寬度。第一開口 341的下寬度可以比第二發(fā)光芯片101的頂表面的區(qū)域?qū)?，并且可以比被暴露于腔體140的第二引線框架的頂表面的區(qū)域窄。
[0104]如在圖8中所示，第一和第二開口 341和343可以具有比下寬度Gl和G2寬的上寬度Xl和yl，并且由于在寬度之間的差而能夠改進(jìn)光反射效率。
[0105]參考圖1和圖5至圖7，分離部345可以包括容納被連接第一發(fā)光芯片100的第一連接構(gòu)件171的第一凹進(jìn)371、和容納被連接第二發(fā)光芯片101的第二連接構(gòu)件172的第二凹進(jìn)372。如在圖6和圖8中所不，在第一軸(X)方向中的分離部345的長度x2可以大于第一和第二間隙部分116和117的寬度G3和G4的總和。因?yàn)榉蛛x部345覆蓋第一和第二保護(hù)芯片102和103的上部分和周圍，所以可能減少光損耗。
[0106]第一凹進(jìn)371可以容納被連接第一保護(hù)芯片102的第三連接構(gòu)件173，并且第二凹進(jìn)372可以容納被連接第二保護(hù)芯片103的第四連接構(gòu)件174。
[0107]如在圖7中所示，第一凹進(jìn)371的寬度El，其例如是其中第一開口341被敞開的入口的寬度，可以是提供用于第一和第三連接構(gòu)件171和173通過的空間的寬度。第二凹進(jìn)372的寬度E2，其例如是其中第二開口343被敞開的入口的寬度，可以是提供用于第二和第四連接構(gòu)件172和174通過的空間的寬度。
[0108]第一凹進(jìn)371可以從第一開口 341的橫向側(cè)342的一部分到第四引線框架155的上部分敞開。第一凹進(jìn)371是低于分離部345的頂表面的敞開區(qū)域，并且連接第一開口 341和第四引線框架155。
[0109]第二凹進(jìn)372可以從第二開口 343的橫向側(cè)344的一部分到第五引線框架155的上部分敞開。第二凹進(jìn)372是低于分離部345的頂表面的敞開的區(qū)域并且連接第二開口 343和第五引線框架155。
[0110]第一和第二凹進(jìn)371和372可以通過低于分離部345的頂表面的區(qū)域連接第一和第二開口 341和343以及第三和第四引線框架145和155。第一和第二凹進(jìn)371和372可以通過如在圖7中所示的分離部345中的凹進(jìn)區(qū)域450被相互連接。凹進(jìn)區(qū)域340可以被設(shè)置在第一和第二間隙部分116和117上。
[0111]如在圖1和圖5至圖8中所示，第一和第二凹進(jìn)371和372可以具有第一和第二凹進(jìn)371和372沒有接觸的高度。被設(shè)置在反射框架310的分離部345下方的凹進(jìn)區(qū)域340的高度Cl可以是230μπι或者更多，例如，在從第三和第四引線框架145和155的頂表面開始的250μπι至300μπι的范圍中。當(dāng)高度Cl極其低時(shí)，被設(shè)置在凹進(jìn)區(qū)域140中的連接構(gòu)件171、172、173以及174可以接觸引線框架。當(dāng)高度C極其高時(shí)，分離部345的剛度可能被減弱。
[0112]反射框架310的頂表面315可以是平坦的表面，但是實(shí)施例不限于此。反射框架310的外表面311、312、313以及314可以被設(shè)置在與主體110的橫向側(cè)部分111、112、113以及114相同的平面上，或者被設(shè)置有相對(duì)于橫向側(cè)部分111、112、113以及114的臺(tái)階結(jié)構(gòu)。反射框架310的外表面311、312、313以及314可以以與主體110的橫向側(cè)部分111、112、113以及114的相同的角度傾斜，或者被設(shè)置為垂直于主體110的橫向側(cè)部分111、112、113以及114。
[0113]如在圖8中所示，主體110的頂表面115可以被設(shè)置在與發(fā)光芯片100和101的頂表面相同的水平面上，或者可以低于發(fā)光芯片100和101的頂表面?？商孢x地，主體110的頂表面115可以高于發(fā)光芯片100和101的頂表面，并且可以低于圖3的第一和第二連接構(gòu)件171和172的最高點(diǎn)。
[0114]如在圖1至圖3中所示，關(guān)于在主體110和反射框架310之間的耦合結(jié)構(gòu)，具有相互嚙合的結(jié)構(gòu)的主體110和反射構(gòu)件310可以包括突起結(jié)構(gòu)和凹槽結(jié)構(gòu)。主體110包括多個(gè)第一耦合部181、182以及183，并且反射框架310包括多個(gè)第二耦合部381、382、以及383。第一耦合部181、182以及183和第二耦合部381、382以及383中的一個(gè)可以是突起結(jié)構(gòu)，并且另一個(gè)可以是凹槽結(jié)構(gòu)。為了方便解釋，第一耦合部181、182以及183是突起結(jié)構(gòu)，并且第二耦合部381、382以及383是凹槽結(jié)構(gòu)。
[0115]第一耦合部181、182以及183中的至少兩個(gè)或者三個(gè)可以被設(shè)置在主體110中。第一耦合部181、182以及183可以被設(shè)置在主體110的相互不同的拐角區(qū)域處。例如，第一耦合部181、182以及183可以不被形成在邊緣區(qū)域中的一個(gè)處。其中第一耦合部181、182以及183沒有被形成的區(qū)域可以是識(shí)別反射框架310上的區(qū)域390的電極。電極識(shí)別區(qū)域390可以被設(shè)置以識(shí)別發(fā)光器件300的電極的極性。
[0116]第一耦合部181、182以及183可以在第二耦合部381、382以及383或者反射框架310的方向中突出。第一耦合部181、182以及183可以具有被設(shè)置在拐角區(qū)域處同時(shí)朝著相互不同的橫向側(cè)部分以預(yù)先確定的長度延伸的形狀。例如，第一耦合部181、182以及183可以具有被設(shè)置在拐角區(qū)域處同時(shí)朝著相互不同的橫向側(cè)部分延伸的成角的形狀或者線性形狀，但是實(shí)施例不限于此。如在圖3中所示，朝著相鄰的兩個(gè)橫向側(cè)部分延伸的第一耦合部181、182以及183的長度可以彼此相等或者彼此不同。例如，在第一軸(X)方向中的延伸長度可以比在第二軸(Y)方向中的延伸長度長。
[0117]第二耦合部381、382以及383可以被形成在與第一耦合部181、182以及183的突起相對(duì)應(yīng)的凹槽中。如在圖7中所示，第二耦合部381、382以及383可以具有從反射框架310的底表面316向上凹進(jìn)的凹槽形狀。第二耦合部381、382以及383可以被相互分開。第二耦合部381、382以及383可以在相鄰的兩個(gè)橫向側(cè)部分的方向中延伸，并且具有彼此相等或者彼此不同的延伸長度Fl和F2。例如，在第一軸(X)方向中的延伸長度Fl可以比在第二軸(Y)方向中的延伸長度F2長。在被設(shè)置在反射框架310的第二外表面313上的兩個(gè)相鄰的耦合部381和383之間的間隔F3可以比在被設(shè)置在第四外表面314上的兩個(gè)相鄰的耦合部382和383之間的間隔F4寬。
[0118]第二耦合部381、382以及383中的每一個(gè)可以具有以臺(tái)階結(jié)構(gòu)延伸的外區(qū)域R4和R5，具有傾斜的表面，或者彎曲的表面。外區(qū)域R4和R5可以具有兩階的結(jié)構(gòu)、傾斜的形狀、或者具有凸起的表面的形狀。
[0119]因?yàn)榈诙詈喜?81、382以及383的外區(qū)域R4和R5面向主體110的第一耦合部181、182以及183的外區(qū)域R2和R3，所以與主體110的頂表面的間隙可以減小。第二耦合部381、382以及383的外區(qū)域R4和R5可以緊密接觸第一耦合部181、182以及183的外區(qū)域R2和R3，或者可以通過粘合層(圖9的250)被結(jié)合到第一耦合部181、182以及183的外區(qū)域R2和R3。第二耦合部381、382以及383的外區(qū)域1?4和1?5與第一耦合部181、182以及183的外區(qū)域1?2和1?4可以相互緊密接觸。在反射框架310和主體110之間的間隙可以被最小化，從而防止反射框架310被移動(dòng)。
[0120]參考圖3、圖8以及圖9，反射框架310的第一和第二開口 341和343的橫向側(cè)342和344被設(shè)置在發(fā)光芯片100和101周圍。第一開口341的下端301可以低于第一發(fā)光芯片100的頂表面，例如，第一發(fā)光芯片100的有源層LI的位置。
[0121]第二開口343的下端302可以被設(shè)置為低于第二發(fā)光芯片101的頂表面，例如，第二發(fā)光芯片101的有源層的位置。
[0122]第一和第二開口 341和343的橫向側(cè)的下端301和302可以與第一和第二引線框架125和135的頂表面分開了預(yù)先確定的距離。例如，如在圖9中所不，在第一開口 341的橫向側(cè)的下端301和302與第一引線框架125之間的距離可以是50μπι或者更多，例如，處于80μπι至ΙΙΟμπι的范圍中。當(dāng)?shù)谝缓偷诙_口341和343的橫向側(cè)的下端301和302位于低于該范圍中的值時(shí)，與第一和第二引線框架125和135的電氣干擾可能發(fā)生。當(dāng)下端301和302位于高于該范圍中的值時(shí)，可能發(fā)生光損耗。
[0123]第一和第二開口 341和343的橫向側(cè)的下端301和302可以與第一和第二發(fā)光芯片分開了預(yù)先確定的距離。例如，如在圖9中所示，在第一開口 341的橫向側(cè)的下端301和302與第一發(fā)光芯片100的橫向側(cè)之間的間隔Β2可以是80μπι或者更多，例如，處于90μπι至120μπι的范圍中。當(dāng)在第一和第二開口 341和343的橫向側(cè)的下端301和302與第一和第二發(fā)光芯片100和101之間的間隔BI比該范圍中的值窄時(shí)，當(dāng)發(fā)光芯片100和101被安裝時(shí)可能不確保工藝誤差。當(dāng)間隔BI比該范圍中的值寬時(shí)，開口 341和343的大小被增加，使得可以稍微地呈現(xiàn)光提取效率的改進(jìn)。
[0124]反射框架310的分離部345中的凹進(jìn)區(qū)域340可以與突起118的頂表面分開?？商孢x地，反射框架310的分離部345的一部分可以接觸突起118，并且可以支撐分離部345的中心。
[0125]模制構(gòu)件150可以被設(shè)置在腔體140中。模制構(gòu)件150可以包括透射材料，諸如硅或者環(huán)氧，并且可以被形成在單層或者多層處。模制構(gòu)件150可以被設(shè)置在第一和第二開口341和343中，但是實(shí)施例不限于此。被設(shè)置在第一和第二開口 341和343中的模制構(gòu)件150可以被設(shè)置在反射框架310的凹進(jìn)中，但是實(shí)施例不限于此。當(dāng)模制構(gòu)件150被設(shè)置時(shí)，模制構(gòu)件150可以支撐反射框架310。
[0126]模制構(gòu)件150可以包括轉(zhuǎn)換從發(fā)光芯片100和101發(fā)射的光的波長的熒光體，并且熒光體可以包括從YAG、TAG、硅酸鹽、氮化物、氮氧化物基材料中選擇的一個(gè)。熒光體可以包括紅色熒光體、黃色熒光體、藍(lán)色熒光體、以及綠色熒光體中的至少一個(gè)，但是實(shí)施例不限于此。熒光體可以包括被設(shè)置在第一和第二發(fā)光芯片100和101上以發(fā)射具有相同不同的顏色的光的熒光體，但是實(shí)施例不限于此。
[0127]模制構(gòu)件150的表面可以被設(shè)置成平坦的形狀、凹進(jìn)的形狀、以及凸起的形狀中的至少一個(gè)，但是實(shí)施例不限于此。模制構(gòu)件150的表面可以是光輸出表面。光學(xué)透鏡可以被設(shè)置在模制構(gòu)件150的上部分處。光學(xué)透鏡可以包括凸透鏡、凹透鏡、以及在其相對(duì)于發(fā)光芯片100和101的中心處具有總反射表面的凸透鏡，但是實(shí)施例不限于此。
[0128]圖13是示出圖8的另一示例的截面圖。在參考圖13的下面的描述中，將會(huì)參考與被公開的實(shí)施例相同的部分的描述。
[0129]參考圖13和圖3，發(fā)光器件的第一和第二間隙部分116和117可以包括突出高于第一和第二引線框架125和135的頂表面的第一和第二反射部分116Α和117Α。第一反射部分116Α在第一引線框架125與第三和第四引線框架145和155之間的區(qū)域中突出以反射從第一發(fā)光芯片100發(fā)射的光。第二反射部分117Α在第二引線框架135與第三和第四引線框架145和155之間的區(qū)域中突出以反射從第二發(fā)光芯片101發(fā)射的光。
[0130]第一和第二反射部分116Α和117b的厚度Τ2可以等于或者高于第一和第二保護(hù)芯片102和103的頂表面的高度，從而減少到第一和第二保護(hù)芯片102和103的光吸收。另外，根據(jù)實(shí)施例，反射材料被涂覆在第一和第二保護(hù)芯片102和103的表面上以防止光吸收。反射材料可以包括包含金屬氧化物，例如，Ti02、Si02以及Al2O3中的至少一個(gè)的諸如硅或者環(huán)氧的樹脂材料。發(fā)射材料可以防止光被吸收到第一和第二保護(hù)芯片102和103。
[0131]腔體140在其下部分的第一區(qū)域140A處被設(shè)置有反射結(jié)構(gòu)以圍繞第一發(fā)光芯片100，并且被設(shè)置在第二區(qū)域140B處以圍繞第二發(fā)光芯片101。可以通過腔體140和第一和第二反射部分116A和117A的側(cè)壁形成反射結(jié)構(gòu)。
[0132]第一發(fā)光芯片100可以在其上被設(shè)置有第一熒光體膜400并且第二發(fā)光芯片101可以在其上被設(shè)置有第二熒光體膜401。第一熒光體膜400和第二熒光體膜401可以包括相同的熒光體或者相互不同的熒光體。例如，當(dāng)?shù)谝缓偷诙l(fā)光芯片100和101發(fā)射藍(lán)光時(shí)，第一熒光體膜400可以具有黃熒光體，并且第二熒光體膜401可以具有紅熒光體。
[0133]可替選地，當(dāng)?shù)谝缓偷诙l(fā)光芯片100和101發(fā)射藍(lán)光時(shí)，第一熒光體膜400可以具有綠熒光體，并且第二熒光體膜401可以具有紅熒光體。
[0134]根據(jù)另一示例，當(dāng)?shù)谝缓偷诙l(fā)光芯片100和101發(fā)射藍(lán)光時(shí)，第一熒光體膜400可以具有紅熒光體和綠熒光體，并且第二熒光體膜401可以具有紅熒光體和綠熒光體。
[0135]根據(jù)另一示例，當(dāng)?shù)谝缓偷诙l(fā)光芯片100和101發(fā)射紫外光時(shí)，第一熒光體膜400可以具有藍(lán)熒光體和紅熒光體，并且第二熒光體膜401可以具有綠熒光體。被包含在熒光體膜400和401中的熒光體的類型可以取決于第一和第二發(fā)光芯片100和101而變化，并且熒光體可以被包含在模制構(gòu)件150中，但是實(shí)施例不限于此。
[0136]反射框架310可以通過粘合層250被結(jié)合到主體110，并且在第一和第二開口341和343之間的分離部345可以被設(shè)置在第一和第二間隙部分116和117上。在分離部345中的凹進(jìn)區(qū)域340可以與第一和第二間隙部分116和117分開。
[0137]圖14是示出圖8的另一示例的截面圖。在參考圖14的下面的描述中，將會(huì)參考與被公開的實(shí)施例的相同部分的描述。
[0138]參考圖3和圖14，在發(fā)光器件中，第一凹進(jìn)部分126被設(shè)置在第一引線框架125上，并且第一發(fā)光芯片100被設(shè)置在第一凹進(jìn)部分126上。第二凹進(jìn)部分136可以被設(shè)置在第二引線框架135上，并且第二發(fā)光芯片101可以被設(shè)置在凹進(jìn)部分136上。
[0139]第一凹進(jìn)部分126的底表面被設(shè)置為低于第一引線框架125的頂表面，并且第二凹進(jìn)部分136的底表面可以被設(shè)置為低于第二引線框架135的頂表面。第一和第二凹進(jìn)部分126和136可以具有杯狀或者臺(tái)階的形狀。
[OMO]反射框架310的第一開口341的下端301可以被設(shè)置為低于第一發(fā)光芯片的頂表面并且與第一凹進(jìn)部分126相鄰。例如，反射框架310的第一開口 341的下端301可以被設(shè)置在第一引線框架125的頂表面下方，但是實(shí)施例不限于此。因此，可以通過第一開口 341的橫向側(cè)342反射從第一發(fā)光芯片100發(fā)射的光。
[0141]反射框架310的第二開口342的下端302可以被設(shè)置為低于第二發(fā)光芯片101的頂表面并且與第二凹進(jìn)部分136相鄰。例如，反射框架310的第二開口 343的下端302可以被設(shè)置為低于第二引線框架135的頂表面，但是實(shí)施例不限于此。因此，可以通過第二開口 343的橫向側(cè)344反射從第二發(fā)光芯片101發(fā)射的光。
[0142]圖15是示出具有圖8的發(fā)光器件的燈單元的截面圖。在圖15的下面的描述中，將會(huì)參考被公開的實(shí)施例。
[0143]參考圖15和圖3，在燈單元中，根據(jù)實(shí)施例的發(fā)光器件300可以被設(shè)置在模塊基板500上，并且一個(gè)發(fā)光器件或者多個(gè)發(fā)光器件可以被設(shè)置在模塊基板500上。模塊基板400可以通過結(jié)合構(gòu)件401被結(jié)合到第一至第四引線框架125、135、145以及155。結(jié)合構(gòu)件501可以包括諸如焊料的粘合材料。在模塊基板400中，焊盤512、514以及516可以被設(shè)置在與第一至第四引線框架125、135、145以及155的底表面相對(duì)應(yīng)的位置處。
[0144]模塊基板500可以是印制電路板(PCB)。例如，模塊基板500可以包括含樹脂材料的PCB、具有金屬熱輻射層的金屬核PCB(MCPCB)、以及柔性PCB(FPCB)，但是實(shí)施例不限于此。
[0145]圖16是示出圖1的發(fā)光芯片的截面圖。
[0146]參考圖16，發(fā)光芯片100和101可以包括具有多個(gè)半導(dǎo)體層11、12以及13的發(fā)光結(jié)構(gòu)、在第一發(fā)光結(jié)構(gòu)10下方的第一電極層20、在第一電極層20下方的第二電極層50、在第一和第二電極層20和50之間的絕緣層41、以及焊盤25。
[0147]發(fā)光結(jié)構(gòu)10可以包括第一半導(dǎo)體層11、有源層12、以及第二半導(dǎo)體層13。有源層12可以被布置在第一和第二半導(dǎo)體層11和13之間。有源層12可以被設(shè)置在第一半導(dǎo)體層11下方，并且第二半導(dǎo)體層13可以被設(shè)置在有源層12下方。
[0148]例如，第一半導(dǎo)體層11可以包括被摻雜有例如η型摻雜物的第一導(dǎo)電摻雜物的η型半導(dǎo)體層，并且第二半導(dǎo)體層13可以包括被摻雜有例如P型摻雜物的第二導(dǎo)電摻雜物的P型半導(dǎo)體層。另外，第一半導(dǎo)體層11可以包括P型半導(dǎo)體，并且第二半導(dǎo)體層13可以包括η型半導(dǎo)體層。
[0149]例如，第一半導(dǎo)體層11可以包括η型半導(dǎo)體層。第一半導(dǎo)體層11可以以化合物半導(dǎo)體實(shí)現(xiàn)。第一半導(dǎo)體層11可以以I1-VI族化合物半導(dǎo)體和II1-V族化合物半導(dǎo)體中的至少一個(gè)實(shí)現(xiàn)。
[0150]例如，第一半導(dǎo)體層11可以以可以從例如GaN、AlN、AlGaN、InGaN、InN、InAlGaN、AlInN、AlGaAs、GaP、GaAs、GaAsP 以及 AlGaInP 中選擇，并且被摻雜有諸如 S1、Ge、Sn、Se、以及Te的η型摻雜物的具有InxAlyGa1-X—yN(0 < x < 1,0 < y < 1,0 < x+y < I)的化合物式的半導(dǎo)體材料被實(shí)現(xiàn)。
[0151]隨著通過第一半導(dǎo)體層11注入到有源層12的電子(或者空穴)匯合通過第二半導(dǎo)體層13被注入到有源層12的空穴(或者電子)，有源層12由于在組成有源層12的材料之間的能帶隙的差而發(fā)射光。有源層12可以以單阱結(jié)構(gòu)、多阱結(jié)構(gòu)、量子點(diǎn)結(jié)構(gòu)、以及量子線結(jié)構(gòu)中的一個(gè)被形成，但是實(shí)施例不限于此。
[0152]有源層12可以以化合物半導(dǎo)體被實(shí)現(xiàn)。有源層12可以以I1-VI和II1-V族化合物半導(dǎo)體中的至少一個(gè)被實(shí)現(xiàn)。有源層12可以以具有InxAlyGa1-X—yN(0 < x < 1,0 < y < 1,0 < x+ySI)的化學(xué)式的半導(dǎo)體材料被實(shí)現(xiàn)。當(dāng)有源層12以多阱結(jié)構(gòu)被實(shí)現(xiàn)時(shí)，有源層12可以以多個(gè)講層和多個(gè)阻擋層被實(shí)現(xiàn)。例如，有源層12可以以I nGaN講/GaN阻擋層、I nGaN講/ AI GaN阻擋層、InAlGaN阱/InAlGaN阻擋層、或者GaN阱/AlGaN阻擋層的循環(huán)被實(shí)現(xiàn)。
[0153]例如，第二半導(dǎo)體層13可以以P型半導(dǎo)體層被實(shí)現(xiàn)。第二半導(dǎo)體層13可以以化合物半導(dǎo)體被實(shí)現(xiàn)。第二半導(dǎo)體層13可以以I1-V族化合物半導(dǎo)體和II1-V族化合物半導(dǎo)體中的至少一個(gè)被實(shí)現(xiàn)。
[0154]例如，第二半導(dǎo)體層13可以以具有InxAlyGa1-x—yN(0<x< l，0<y< l，0<x+y< I)的化學(xué)式的半導(dǎo)體材料被實(shí)現(xiàn)。例如，第二半導(dǎo)體層13可以包括從由GaN、AIN、AlGaN、InGaN、InN、InAlGaN、AlInN、AlGaAs、GaP、GaAs、GaAsP、以及AlGaInP組成的組中選擇的一個(gè)，并且可以被摻雜有諸如Mg、Zn、Ca、Sr、以及Ba的p型摻雜物。
[0155]同時(shí)，第一半導(dǎo)體層11可以包括P型半導(dǎo)體層，并且第二半導(dǎo)體層13可以包括η型半導(dǎo)體層。另外，具有不同于第二半導(dǎo)體層13的導(dǎo)電類型的包括η型半導(dǎo)體或者p型半導(dǎo)體層的半導(dǎo)體層可以進(jìn)一步被形成在第二半導(dǎo)體層13的下方。因此，發(fā)光結(jié)構(gòu)10可以具有ηρ、ρη、ηρη、以及ρηρ結(jié)結(jié)構(gòu)中的至少一個(gè)。另外，第一和第二半導(dǎo)體層11和13可以具有均勾的摻雜濃度或者不規(guī)則的摻雜濃度。換言之，發(fā)光結(jié)構(gòu)10可以具有各種結(jié)構(gòu)，但是實(shí)施例不限于此。
[0156]其中相互不同的半導(dǎo)體層被交替地設(shè)置的InGaN/GaN超晶格結(jié)構(gòu)或者I nGaN/InGaN超晶格結(jié)構(gòu)可以被布置在第一半導(dǎo)體層11和有源層12之間，或者在第二半導(dǎo)體層13和有源層12之間。被摻雜有第二導(dǎo)電摻雜物的AlGaN層可以被形成在第二半導(dǎo)體層13和有源層12之間。
[0157]粗糙的不平坦部分IlA可以被形成在第一半導(dǎo)體層11的頂表面上。不平坦部分IlA可以改進(jìn)光提取效率。不平坦部分IlA的側(cè)截面圖可以具有多邊形、或者半球形的形狀。
[0158]第一電極層20被布置在發(fā)光結(jié)構(gòu)10和第二電極層50之間，與發(fā)光結(jié)構(gòu)10的第二半導(dǎo)體層13電連接，并且與第二電極層50電絕緣。第一電極層20包括第一接觸層15、反射層17、以及包覆層19。第一接觸層15被布置在反射層17和第二半導(dǎo)體層13之間，并且反射層被布置在第一接觸層15和包覆層19之間。第一接觸層15、反射層17、以及包覆層19可以是由相互導(dǎo)電的材料形成，但是實(shí)施例不限于此。
[0159]第一接觸層15可以接觸第二半導(dǎo)體層13，例如，歐姆接觸第二半導(dǎo)體層13。第一接觸層15可以是由例如導(dǎo)電氧化物層、導(dǎo)電氮化物、或者金屬形成。例如，第一接觸層15可以包括ITO(氧化銦錫)、ΙΤ0Ν(ΙΤ0氮化物)、IZO(氧化銦鋅)、ΙΖ0Ν(ΙΖ0氮化物)、ΑΖ0(氧化鋁鋅)、AGZ0(氧化鋁鎵鋅)、ΙΖΤ0(氧化銦鋅錫)、ΙΑΖ0(氧化銦鋁鋅)、IGZ0(氧化銦鎵鋅)、IGT0(氧化銦鎵錫)、41'0(氧化銻錫)、620(氧化鎵鋅)、12(^(120氮化物)、2110、&(^、1?11(^、祖0、Pt、Ag、以及Ti中的至少一個(gè)。
[0160]反射層17可以與第一半導(dǎo)體層15和包覆層19電連接。反射層17反射從發(fā)光結(jié)構(gòu)10入射的光以增加要被提取到外部的光量。
[0161]反射層17可以是由具有至少70%的光反射率的金屬形成。例如，反射層17可以是由包括Ag、N1、Al、Rh、Pd、Ir、Ru、Mg、Zn、Pt、Cu、Au、以及Hf或者其合金中的至少一個(gè)的金屬形成。另外，可以使用金屬或者其合金和ITO(氧化銦錫)、ΙΖ0(氧化銦鋅)、ΙΖ0Ν(ΙΖ0氮化物)、ΙΑΖ0(氧化銦鋁鋅)、IGZ0(氧化銦鎵鋅)、IGT0(氧化銦鎵錫)、ΑΖ0(氧化鋁鋅)、或者ATO(氧化銻錫)的透射材料可以形成反射層17。例如，根據(jù)實(shí)施例，反射層17可以包括Ag、Al、Ag-Pd-Cu合金或者Ag-Cu合金中的至少一個(gè)。例如，反射層17可以通過交替地排列Ag層和N i層被形成，并且可以包括Ni/Ag/N1、Ti層或者Pt層。根據(jù)另一示例，第一接觸鞒15可以被形成在反射層17下方，并且第一接觸層15的至少一部分經(jīng)過第一反射層17以接觸第二半導(dǎo)體層13。根據(jù)另一示例，反射層17可以被設(shè)置在第一接觸層15下方，并且反射層17的一部分可以通過第一粘合層15接觸第二半導(dǎo)體層13。
[0162]根據(jù)實(shí)施例的發(fā)光器件可以包括被設(shè)置在反射層17下方的包覆層19。包覆層19接觸反射層17的底表面，并且接觸部分34被耦合到焊盤25以用作傳遞來自于焊盤25的電力的布線層。包覆層19可以是由金屬形成。例如，包覆層19可以包括(:11、附、11、11-1、0、1、？1￥、Fe、以及Mo中的至少一個(gè)。
[0163]包覆層19的接觸部分34被設(shè)置在沒有垂直地重疊發(fā)光結(jié)構(gòu)10的區(qū)域處，并且縱向地重疊焊盤25。包覆層19的接觸部分34被設(shè)置在沒有垂直地重疊第一接觸層15和反射層17的區(qū)域處。包覆層19的接觸部分34可以被設(shè)置為低于發(fā)光結(jié)構(gòu)10，并且可以接觸焊盤25。
[0164]焊盤25可以被形成在單層或者多層處。在單層的情況下，焊盤25可以包括Au。在多層的情況下，焊盤25可以包括T1、Ag、Cu、以及Au中的至少兩個(gè)。在多層的此情況下，焊盤25可以Ti/Ag/Cu/Au或者Ti/Cu/Au的堆疊結(jié)構(gòu)。反射層17和第一接觸層15中的至少一個(gè)可以直接地接觸焊盤25，但是實(shí)施例不限于此。
[0165]焊盤25可以被設(shè)置在第一電極層20的外側(cè)壁和發(fā)光結(jié)構(gòu)10之間的區(qū)域Al處。保護(hù)層30和透射層45可以接觸焊盤25的外圍部分。
[0166]保護(hù)層30可以被設(shè)置在發(fā)光結(jié)構(gòu)10的底表面上，并且可以接觸第二半導(dǎo)體層13和第一接觸層15的底表面，并且可以接觸反射層17。
[0167]垂直地重疊發(fā)光結(jié)構(gòu)10的保護(hù)層30的內(nèi)部可以被垂直地重疊用于突起16的區(qū)域。保護(hù)層30的外部延伸到包覆層19的接觸部分34，并且被垂直地重疊接觸部分34。保護(hù)層30的外部可以接觸焊盤25，例如，可以被設(shè)置在焊盤25的周圍表面處。
[0168]保護(hù)層30的內(nèi)部可以被布置在發(fā)光結(jié)構(gòu)10和第一電極層20之間，并且保護(hù)層30的外部可以被布置在透射層45和包覆層19之間。保護(hù)層30的外部從發(fā)光結(jié)構(gòu)10的側(cè)壁延伸到外區(qū)域Al以防止?jié)駳鉂B透到發(fā)光器件。
[0169]保護(hù)層30可以被定義為溝道層、低反射率材料、或者絕緣層。保護(hù)層30可以以絕緣材料，例如，氧化物或者氮化物實(shí)現(xiàn)。例如，保護(hù)層30可以包括從由S12、SixOy、Si3N4、SixNy、Si0xNy、Al203、Ti02以及AlN組成的組中選擇的至少一個(gè)。保護(hù)層可以是由透明材料形成。
[0170]根據(jù)實(shí)施例的發(fā)光器件可以包括與第一電極層20和第二電極層50電絕緣的絕緣層41。絕緣層41可以被布置在第一電極層20和第二電極層50之間。保護(hù)層30可以接觸絕緣層41的上部分。絕緣層41可以以例如氧化物或者氮化物形成。例如，絕緣層41可以是由從由Si02、Six0y、Si3N4、SixNy、Si0xNy、Al203、Ti02以及AlN組成的組中選擇的至少一個(gè)形成。
[0171]絕緣層41可以具有10nm至200nm的范圍中的厚度。如果絕緣層41被形成有小于10nm的厚度，則在絕緣性能中可能出現(xiàn)問題。如果絕緣層41被形成有超過2000nm的厚度，則絕緣層41可能在后續(xù)工藝中被破壞。絕緣層41可以接觸第一電極層20的頂表面和第二電極層50的頂表面，并且可以被形成有比保護(hù)層30、包覆層19、接觸層15、以及反射層17中的每一個(gè)厚的厚度。
[0172]第二電極層50可以包括:防擴(kuò)展層52，該防擴(kuò)展層52被設(shè)置在絕緣層41下方;結(jié)合層54，該結(jié)合層54被設(shè)置在防擴(kuò)展層52下方；以及導(dǎo)電支撐構(gòu)件56，該導(dǎo)電支撐構(gòu)件56被設(shè)置在結(jié)合層54下方，并且可以與第一半導(dǎo)體層11電連接。另外，第二電極層50包括從防擴(kuò)展層52、結(jié)合層54、以及導(dǎo)電支撐構(gòu)件56之中選擇的一個(gè)或者兩個(gè)，并且防擴(kuò)展層52和結(jié)合層54中的至少一個(gè)可以不被形成。
[0173]防擴(kuò)展層52可以包括01、祖、11、1^-1、0、1^￥小6、以及10中的至少一個(gè)。防擴(kuò)展層52可以用作在絕緣層41和結(jié)合層54之間的擴(kuò)散阻擋層。防擴(kuò)展層52可以與結(jié)合層54和導(dǎo)電支撐構(gòu)件56電連接，并且與第一半導(dǎo)體層11電連接。
[0174]在提供結(jié)合層54的工藝中，防擴(kuò)展層52可以防止結(jié)合層54中的材料容器朝著反射層17擴(kuò)展。防擴(kuò)展層52可以防止結(jié)合層54中包含的錫(Sn)影響反射層17。
[0175]結(jié)合層56可以包括阻擋金屬或者結(jié)合金屬。例如，結(jié)合層56可以包括T1、Au、Sn、N1、Cr、Ga、In、B1、Cu、Ag、Nb、Pd以及Ta中的至少一個(gè)。導(dǎo)電支撐構(gòu)件56可以支撐根據(jù)實(shí)施例的發(fā)光結(jié)構(gòu)10以用作熱輻射功能。結(jié)合層54可以包括晶種層。
[0176]導(dǎo)電支撐構(gòu)件56可以是由金屬基板、或者載流子基板中的至少一個(gè)形成。導(dǎo)電支撐構(gòu)件56可以包括被摻雜有11、0、祖^1^411、￥、01、10、01-￥的半導(dǎo)體基板和雜質(zhì)(31、Ge、GaN、GaAs、ZnO、SiC、或者SiGe)中的至少一個(gè)。導(dǎo)電支撐構(gòu)件56是支撐發(fā)光器件100的層，并且可以具有與第二電極層50的厚度的80%相對(duì)應(yīng)的厚度，S卩，至少30μπι的厚度。
[0177]同時(shí)，第二接觸層33被設(shè)置在第一半導(dǎo)體層11中，并且接觸第一半導(dǎo)體層11。第二接觸層33的頂表面可以被設(shè)置在第一半導(dǎo)體層11的底表面上方，與第一半導(dǎo)體層11電連接，以及與有源層12和第二電極層13絕緣。
[0178]第二接觸層33可以與第二電極層50電連接。第二接觸層33可以通過第一電極層20、有源層12以及第二半導(dǎo)體層13被提供。第二接觸層33被設(shè)置在發(fā)光結(jié)構(gòu)10中的凹進(jìn)2中，并且通過保護(hù)層30被絕緣于有源層12和第二導(dǎo)電層13。多個(gè)第二接觸層33可以被相互分開。
[0179]第二接觸層33可以被連接第二電極層50的突起51，并且突起51可以從防擴(kuò)展層52突出。突起51可以經(jīng)過被形成在保護(hù)層30中的41Α和絕緣層41，并且可以與第一電極層20絕緣。
[0180]第二接觸層33可以包括例如0、￥、￥、1^、211、祖、01^1^11、以及10中的至少一個(gè)。根據(jù)另一示例，突起51可以包括組成防擴(kuò)展層52和結(jié)合層54的至少一個(gè)材料，但是實(shí)施例不限于此。例如，突起51可以包括T1、Au、Sn、N1、Cr、Ga、In、B1、Cu、Ag、Nb、Pd以及Ta中的至少一個(gè)。
[0181]焊盤25可以與第一電極層20電連接，并且被暴露于發(fā)光結(jié)構(gòu)10的側(cè)壁外部的區(qū)域八1。一個(gè)或者多個(gè)焊盤25可以被提供。焊盤25可以包括(:11、附、11、11-1、0、1、？1￥、？6、以及Mo中的至少一個(gè)。
[0182]透射層45可以保護(hù)發(fā)光結(jié)構(gòu)10的表面并且使焊盤25與發(fā)光結(jié)構(gòu)10絕緣。透射層45可以接觸保護(hù)層30的外圍部分。透射層45可以具有低于組成發(fā)光結(jié)構(gòu)10的半導(dǎo)體層材料的反射率以改進(jìn)光提取效率。透射層45可以以氧化物或者氮化物被實(shí)現(xiàn)。例如，透射層45可以是由從由Si02、Six0y、Si3N4、SixNy、Si0xNy、Al203、Ti02以及AlN組成的組中選擇的至少一個(gè)形成。同時(shí)，取決于設(shè)計(jì)可以省略透射層45。根據(jù)實(shí)施例，發(fā)光結(jié)構(gòu)10可以通過第一電極層20和第二電極層50被驅(qū)動(dòng)。
[0183]另外，根據(jù)實(shí)施例的發(fā)光器件可以包括在一個(gè)器件中可以單獨(dú)驅(qū)動(dòng)的多個(gè)發(fā)光結(jié)構(gòu)。雖然已經(jīng)描述了在一個(gè)發(fā)光器件中設(shè)置兩個(gè)發(fā)光結(jié)構(gòu)的實(shí)施例，但是至少三個(gè)或者四個(gè)發(fā)光結(jié)構(gòu)可以被設(shè)置在一個(gè)發(fā)光器件中，并且可以被實(shí)現(xiàn)為被單獨(dú)地驅(qū)動(dòng)。具有這樣的結(jié)構(gòu)的發(fā)光器件能夠被有用地應(yīng)用于車燈裝置，例如，前大燈或者尾燈。
[0184]另外，根據(jù)根據(jù)實(shí)施例的發(fā)光器件，熒光體膜(未示出)可以被設(shè)置在發(fā)光結(jié)構(gòu)10上。
[0185]根據(jù)實(shí)施例的發(fā)光器件，金屬反射框架被設(shè)置在主體上的多個(gè)發(fā)光芯片周圍以改進(jìn)反射效率。因此，在具有較長的長度的發(fā)光器件的中心處的剛度能夠被增強(qiáng)。根據(jù)實(shí)施例，能夠在發(fā)光結(jié)構(gòu)的結(jié)構(gòu)中改進(jìn)可靠性。根據(jù)實(shí)施例，發(fā)光器件的熱輻射效率能夠被改進(jìn)。根據(jù)實(shí)施例，發(fā)光器件和具有發(fā)光器件的燈單元的可靠性能夠被改進(jìn)。
[0186]對(duì)于本領(lǐng)域的技術(shù)人員來說能夠顯然地理解，上述公開不限于上述實(shí)施例和附圖，但是在沒有脫離本公開的技術(shù)范圍的情況下各種替代和修改以及變化是可能的。因此，本公開的技術(shù)范圍不限于本說明書的詳細(xì)描述，但是在下文中通過權(quán)利要求定義。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種發(fā)光器件，包括: 主體； 第一和第二引線框架，所述第一和第二引線框架被耦合到所述主體； 第一發(fā)光芯片，所述第一發(fā)光芯片在所述第一引線框架上； 第二發(fā)光芯片，所述第二發(fā)光芯片在所述第二引線框架上；以及 反射框架，所述反射框架在所述主體以及所述第一和第二引線框架上， 其中，所述反射框架包括彼此分開的多個(gè)開口，并且所述開口包括其中被設(shè)置有所述第一發(fā)光芯片的第一開口和其中被設(shè)置有所述第二發(fā)光芯片的第二開口。2.—種發(fā)光器件，包括: 主體，所述主體具有腔體； 第一和第二引線框架，所述第一和第二引線框架被耦合到所述主體并且被設(shè)置在所述腔體中的相互不同區(qū)域中； 第三和第四引線框架，所述第三和第四引線框架被耦合到所述主體并且被布置在所述第一和第二引線框架之間； 第一發(fā)光芯片，所述第一發(fā)光芯片在所述第一引線框架上； 第二發(fā)光芯片，所述第二發(fā)光芯片在所述第二引線框架上；以及反射框架，所述反射框架被設(shè)置在所述主體上，并且具有敞開所述第一發(fā)光芯片的上部分的第一開口、敞開所述第二發(fā)光芯片的上部分的第二開口、以及在所述第一和第二開口之間的分離部， 其中，所述主體包括彼此相對(duì)的第一和第二橫向側(cè)部分、以及彼此相對(duì)的第三和第四橫向側(cè)部分，以及所述第一和第二橫向側(cè)部分具有比所述第三和第四橫向側(cè)部分的長度長的長度， 所述第一引線框架包括突出到所述主體的第一橫向側(cè)部分的第一引線部、以及突出到所述主體的第二橫向側(cè)部分的第二引線部， 所述第二引線框架包括突出到所述主體的第一橫向側(cè)部分的第三引線部、以及突出到所述主體的第二橫向側(cè)部分的第四引線部， 所述第三引線框架包括第五引線部，所述第五引線部被耦合到所述第一發(fā)光芯片并且突出到所述主體的第一橫向側(cè)部分，以及 所述第四引線框架包括第六引線部，所述第六引線部被耦合到所述第二發(fā)光芯片并且突出到所述主體的第二橫向側(cè)。3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的發(fā)光器件，其中，所述反射框架是由金屬材料形成。4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的發(fā)光器件，其中，所述反射框架與所述第一和第二引線框架分開，并且與所述第一和第二引線框架電絕緣。5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的發(fā)光器件，其中，所述第一和第二開口包括相對(duì)于所述主體的底表面的傾斜側(cè)面，以及 其中，所述第一和第二開口的傾斜側(cè)面的下端低于所述發(fā)光芯片的頂表面。6.根據(jù)權(quán)利要求3所述的發(fā)光器件，進(jìn)一步包括與所述第一發(fā)光芯片相連接的第一連接構(gòu)件和與所述第二發(fā)光芯片相連接的第二連接構(gòu)件，其中所述反射框架包括在所述第一和第二開口之間的分離部，以及所述分離部包括與所述第一開口相連接的第一凹進(jìn)和與所述第二開口相連接的第二凹進(jìn)，所述第一連接構(gòu)件的一部分被設(shè)置在所述第一凹進(jìn)中，所述第二連接構(gòu)件的一部分被設(shè)置在所述第二凹進(jìn)中， 其中，所述第一和第二凹進(jìn)被設(shè)置在所述分離部的頂表面下方，以及其中，所述分離部包括凹進(jìn)區(qū)域，所述凹進(jìn)區(qū)域被設(shè)置在其下部分處以彼此連接所述第一和第二凹進(jìn)。7.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的發(fā)光器件，進(jìn)一步包括:多個(gè)第一耦合部，所述多個(gè)第一耦合部被設(shè)置在所述主體外部；以及多個(gè)第二耦合部，所述多個(gè)第二耦合部被設(shè)置在所述反射框架外部并且被耦合到所述第一耦合部;粘合層，所述粘合層將所述主體的頂表面結(jié)合到所述反射框架， 其中，所述第一和第二耦合部中的一個(gè)具有突起結(jié)構(gòu)，以及所述第一和第二耦合部中剩余的一個(gè)具有凹槽結(jié)構(gòu)。8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光器件，包括:第三引線框架，所述第三引線框架被連接到所述第一發(fā)光芯片；以及第四引線框架，所述第四引線框架被連接到所述第二發(fā)光芯片， 其中，所述主體包括彼此相對(duì)的第一和第二橫向側(cè)部分、以及彼此相對(duì)的第三和第四橫向側(cè)部分， 其中，所述第三和第四引線框架被布置在所述反射框架的分離部下方， 其中，所述第三引線框架包括突出到所述主體的第一橫向側(cè)部分的第五引線部， 其中，所述第四引線框架包括突出到所述主體的第二橫向側(cè)的第六引線部， 其中，所述第五引線部具有比所述第三引線框架的底寬度更寬的寬度，以及 其中，所述第六引線部具有比所述第四引線框架的底寬度更寬的寬度。9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的發(fā)光器件，其中，所述第一和第二橫向側(cè)部分具有比所述第三和第四橫向側(cè)部分的長度更長的長度， 所述第一引線框架包括:突出到所述主體的第一橫向側(cè)的第一引線部、以及突出到所述主體的第二橫向側(cè)部分的第二引線部，以及 所述第二引線框架包括:突出到所述主體的第一橫向側(cè)部分的第三引線部、以及突出到所述主體的第二橫向側(cè)部分的第四引線部。10.根據(jù)權(quán)利要求2或8所述的發(fā)光器件，其中，所述第五引線部被布置在所述第一和第三引線部之間，以及 所述第六引線部被布置在所述第二和第四引線部之間。11.根據(jù)權(quán)利要求2或8所述的發(fā)光器件，進(jìn)一步包括: 第一連接構(gòu)件，所述第一連接構(gòu)件與所述第一發(fā)光芯片和所述第三引線框架相連接； 第二連接構(gòu)件，所述第二連接構(gòu)件與所述第二發(fā)光芯片和所述第四引線框架相連接； 第一保護(hù)芯片，所述第一保護(hù)芯片在所述第三引線框架上；以及 第三連接構(gòu)件，所述第三連接構(gòu)件與所述第一保護(hù)芯片和所述第一引線框架相連接， 其中，所述第一至第三連接構(gòu)件的一部分被設(shè)置在所述分離部下方。12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的發(fā)光器件，進(jìn)一步包括:第二保護(hù)芯片，所述第二保護(hù)芯片在所述第四引線框架上；以及第四連接構(gòu)件，所述第四連接構(gòu)件與所述第二保護(hù)芯片和所述第二引線框架相連接。13.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的發(fā)光器件，進(jìn)一步包括:第一熒光體膜，所述第一熒光體膜被設(shè)置在所述第一發(fā)光芯片上；以及第二熒光體膜，所述第二熒光體膜被設(shè)置在所述第二發(fā)光芯片上。14.根據(jù)權(quán)利要求2或8所述的發(fā)光器件，包括:突起，所述突起在所述主體的頂表面上突出并且被設(shè)置在所述第一和第三引線框架之間的區(qū)域上， 其中，所述突起是由所述主體的材料形成， 其中，所述突起在所述第三和第四引線框架的頂表面上延伸，以及 其中，所述突起與所述反射框架被分開。15.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的發(fā)光器件，包括:模制構(gòu)件，所述模制構(gòu)件被設(shè)置在所述反射框架的第一和第二開口中。
【文檔編號(hào)】H01L33/62GK105977246SQ201610140704
【公開日】2016年9月28日
【申請(qǐng)日】2016年3月11日
【發(fā)明人】李太星, 柳永敏, 鄭在桓, 崔鐘范
【申請(qǐng)人】Lg伊諾特有限公司