專利名稱：三電平逆變器和供電設(shè)備的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及電力電子技術(shù)領(lǐng)域，尤其是涉及一種三電平逆變器和供電設(shè)備。
背景技術(shù)：
逆變器是指通過控制開關(guān)管的導(dǎo)通和關(guān)斷將直流電壓源的直流電能轉(zhuǎn)換為交流電能的一種變換裝置，是不間斷電源(Uninterruptible PowerSystem)、太陽能技術(shù)和風(fēng)力發(fā)電技術(shù)中的一個重要部件。目前，開關(guān)管通常采用金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(Metal-Oxide-SemiconductorFieId-Effeet Transistor, MOSFET)和絕緣柵雙極型晶體管(Insulated GateBipolar Transistor, IGBT)等功率半導(dǎo)體器件?！つ孀兤饔卸喾N拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)，其中二極管中點箝位型三電平逆變器(以下簡稱三電平逆變器)因其電路拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)簡單、容易控制且成本較低而得到廣泛應(yīng)用。在三電平逆變器中，每個橋臂有四個開關(guān)管、四個續(xù)流二極管和兩個箝位二極管。通常將與直流電壓源相連接的兩個開關(guān)管稱為外管，而將串聯(lián)連接在兩個外管之間的兩個開關(guān)管稱為內(nèi)管。在三電平逆變器中，每相的開關(guān)狀態(tài)有三種N、0和P，對應(yīng)的輸出電壓分別為-Udc/2、0和Udc/2，因此，被稱為三電平逆變器，其中Udc/2為直流電源的電壓。在一種現(xiàn)有技術(shù)方案中，三電平逆變器的四個開關(guān)管均采用相同性能的IGBT。然而，這種三電平逆變器的IGBT總損耗較大，逆變器的轉(zhuǎn)換效率較低。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的實施例提供了一種三電平逆變器和供電設(shè)備，能夠提高逆變器的轉(zhuǎn)換效率。第一方面，提供了一種三電平逆變器，包括第一絕緣柵雙極型晶體管IGBT，第一IGBT的集電極連接到正的直流母線，第一 IGBT的發(fā)射極連接到第一連接點(或節(jié)點)，第一IGBT的集電極和發(fā)射極跨接有第一續(xù)流二極管；第二 IGBT，第二 IGBT的集電極連接到第一連接點，第二 IGBT的發(fā)射極連接到第二連接點，第二 IGBT的集電極和發(fā)射極跨接有第二續(xù)流二極管；第三IGBT，第三IGBT的集電極連接到第二連接點，第三IGBT的發(fā)射極連接到第三連接點，第三IGBT的集電極和發(fā)射極跨接有第三續(xù)流二極管；第四IGBT，第四IGBT的集電極連接到第三連接點，第四IGBT的發(fā)射極連接到負(fù)的直流母線，第四IGBT的集電極和發(fā)射極跨接有第四續(xù)流二極管；第一箝位二極管，分別連接第四連接點與第一連接點；第二箝位二極管，分別連接第四連接點與第三連接點，其中第四連接點為中性電位點，第二連接點為交流輸出連接點，第一 IGBT和第四IGBT的開關(guān)速度高于第二 IGBT和第三IGBT的開關(guān)速度，或者第二 IGBT和第三IGBT的飽和導(dǎo)通壓降低于第一 IGBT和第四IGBT的飽和導(dǎo)通壓降。在第一種可能的實現(xiàn)方式中，第一 IGBT和第四IGBT的關(guān)斷損耗小于第二 IGBT和第三IGBT的關(guān)斷損耗；或者第一 IGBT和第四IGBT的開通損耗小于第二 IGBT和第三IGBT的開通損耗；或者第一 IGBT和第四IGBT的關(guān)斷時間小于第二 IGBT和第三IGBT的關(guān)斷時間；或者第一 IGBT和第四IGBT的開通時間小于第二 IGBT和第三IGBT的開通時間；或者第
二IGBT和第三IGBT的飽和導(dǎo)通壓降低于第一 IGBT和第四IGBT的飽和導(dǎo)通壓降。結(jié)合上述任一種可能的實現(xiàn)方式，在第二種可能的實現(xiàn)方式中，三電平逆變器還包括低通濾波器，連接在第二連接點與負(fù)載之間，用于對所述第二連接點輸出的交流信號進(jìn)行濾波。結(jié)合上述任一種可能的實現(xiàn)方式，在第三種可能的實現(xiàn)方式中，三電平逆變器還包括控制器，其輸出端連接到所述第一 IGBT的柵極、第二 IGBT的柵極、第三IGBT的柵極和第四IGBT的柵極，用于根據(jù)預(yù)設(shè)的脈寬調(diào)制規(guī)則控制第一 IGBT、第二 IGBT、第三IGBT和第四IGBT的開通和關(guān)斷，以便在第二連接點輸出交流信號。結(jié)合上述任一種可能的實現(xiàn)方式，在第四種可能的實現(xiàn)方式中，三電平逆變器還包括第一電容器，連接在該正的直流母線與第四連接點之間；第二電容器，連接在該負(fù)的直流母線與第四連接點之間。 另一方面，提供了一種供電設(shè)備，其特征在于，包括三電平逆變器和直流電壓源，其中該直流電壓源的正極連接到正的直流母線，該直流電壓源的負(fù)極連接到負(fù)的直流母線，其中該三電平逆變器包括第一絕緣柵雙極型晶體管IGBT，第一 IGBT的集電極連接到該正的直流母線，第一 IGBT的發(fā)射極連接到第一連接點，第一 IGBT的集電極和發(fā)射極跨接有第一續(xù)流二極管；第二 IGBT，第二 IGBT的集電極連接到第一連接點，第二 IGBT的發(fā)射極連接到第二連接點，第二 IGBT的集電極和發(fā)射極跨接有第二續(xù)流二極管；第三IGBT，第三IGBT的集電極連接到第二連接點，第三IGBT的發(fā)射極連接到第三連接點，第三IGBT的集電極和發(fā)射極跨接有第三續(xù)流二極管；第四IGBT，第四IGBT的集電極連接到第三連接點，第四IGBT的發(fā)射極連接到負(fù)的直流母線，第四IGBT的集電極和發(fā)射極跨接有第四續(xù)流二極管；第一箝位二極管，分別連接第四連接點與第一連接點；第二箝位二極管，分別連接第四連接點與第三連接點，其中第四連接點為中性電位點，第二連接點為交流輸出連接點，第一IGBT和第四IGBT的開關(guān)速度高于第二 IGBT和第三IGBT的開關(guān)速度，或者第二 IGBT和第三IGBT的飽和導(dǎo)通壓降低于第一 IGBT和第四IGBT的飽和導(dǎo)通壓降。在第一種可能的實現(xiàn)方式中，第一 IGBT和第四IGBT的關(guān)斷損耗小于第二 IGBT和第三IGBT的關(guān)斷損耗；或者第一 IGBT和第四IGBT的開通損耗小于第二 IGBT和第三IGBT的開通損耗；或者第一 IGBT和第四IGBT的關(guān)斷時間小于第二 IGBT和第三IGBT的關(guān)斷時間；或者第一 IGBT和第四IGBT的開通時間小于第二 IGBT和第三IGBT的開通時間。結(jié)合上述任一種可能的實現(xiàn)方式，在第二種可能的實現(xiàn)方式中，該三電平逆變器還包括低通濾波器，連接在第二連接點與負(fù)載之間，用于對第二連接點輸出的交流信號進(jìn)行濾波。結(jié)合上述任一種可能的實現(xiàn)方式，在第三種可能的實現(xiàn)方式中，該三電平逆變器還包括控制器，該控制器的輸出端連接到第一 IGBT的柵極、第二 IGBT的柵極、第三IGBT的柵極和第四IGBT的柵極，用于根據(jù)預(yù)設(shè)的脈寬調(diào)制規(guī)則控制第一 IGBT、第二 IGBT、第三IGBT和第四IGBT的開通和關(guān)斷，以便在第二連接點輸出交流信號。結(jié)合上述任一種可能的實現(xiàn)方式，在第四種可能的實現(xiàn)方式中，該三電平逆變器還包括第一電容器，連接在該正的直流母線與第四連接點之間；第二電容器，連接在該負(fù)的直流母線與第四連接點之間。
在本技術(shù)方案中，第一 IGBT和第四IGBT采用高速IGBT，由于高速IGBT具有極短的拖尾電流和低關(guān)斷損耗的特點，可顯著降低第一 IGBT和第四IGBT的關(guān)斷損耗，從而降低了 IGBT的總損耗，提高了逆變器的轉(zhuǎn)換效率。或者，第二 IGBT和第三IGBT的飽和導(dǎo)通壓降低于第一 IGBT和第四IGBT的飽和導(dǎo)通壓降，可降低第二 IGBT和第三IGBT的導(dǎo)通損耗，從而降低了 IGBT的總損耗，提高了逆變器的轉(zhuǎn)換效率。


為了更清楚地說明本發(fā)明實施例的技術(shù)方案，下面將對本發(fā)明實施例中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面所描述的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實施例，對于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。圖I是根據(jù)本發(fā)明的一個實施例的不間斷電源的示意性電路結(jié)構(gòu)圖。圖2是根據(jù)本發(fā)明的一個實施例的三電平逆變器的示意性電路結(jié)構(gòu)圖。 圖3是根據(jù)本發(fā)明的另一實施例的三電平逆變器的示意性電路結(jié)構(gòu)圖。圖4是根據(jù)本發(fā)明的又一實施例的三電平逆變器的示意性電路結(jié)構(gòu)圖。圖5是根據(jù)本發(fā)明的一個實施例的三電平逆變器的控制信號的時序圖。圖6是根據(jù)本發(fā)明的一個實施例的供電設(shè)備600的示意性結(jié)構(gòu)圖。
具體實施例方式下面將結(jié)合本發(fā)明實施例中的附圖，對本發(fā)明實施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實施例是本發(fā)明一部分實施例，而不是全部的實施例?；诒景l(fā)明中的實施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有作出創(chuàng)造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例，都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。功率半導(dǎo)體器件的開關(guān)速度對逆變器的電氣性能主要有以下兩方面的影響一方面，開關(guān)速度越快，開關(guān)損耗越低，逆變器的轉(zhuǎn)換效率越高；另一方面，開關(guān)速度越快，開關(guān)管關(guān)斷時的電壓應(yīng)力越大，開關(guān)管越不可靠。因此，提高開關(guān)速度對于降低開關(guān)管的開關(guān)損耗和降低其電壓應(yīng)力是矛盾的，在實際應(yīng)用中往往需要對開關(guān)速度進(jìn)行合理的權(quán)衡。為了提高逆變器的轉(zhuǎn)換效率并且降低開關(guān)管的電壓應(yīng)力，外管可以采用Mosfet，而內(nèi)管可以采用IGBT。然而，Mosfet的體二極管反向恢復(fù)特性很差，當(dāng)需要Mosfet的體二極管續(xù)流時，體二極管反向恢復(fù)產(chǎn)生的電壓尖峰一方面增加了 Mosfet本身的電壓應(yīng)力，另一方面也增加了損耗，因此，需要對逆變器的開關(guān)管的開通和關(guān)斷進(jìn)行復(fù)雜的控制，例如，需要檢測電流的方向，以避免電流通過Mosfet體二極管進(jìn)行續(xù)流。根據(jù)本發(fā)明的實施例提供一種控制簡單的三電平逆變器，能夠提高逆變器的轉(zhuǎn)換效率，并且降低開關(guān)管的電壓應(yīng)力，以使三電平逆變器的四個開關(guān)管的開關(guān)速度達(dá)到合理的權(quán)衡。本發(fā)明的實施例的三電平逆變器可以用于各種供電設(shè)備中，例如，不間斷電源、變頻器、風(fēng)力發(fā)電設(shè)備和太陽能發(fā)電設(shè)備。下面以不間斷電源為例說明三電平逆變器的應(yīng)用場景。圖I是根據(jù)本發(fā)明的一個實施例的不間斷電源100的示意性電路結(jié)構(gòu)圖。不間斷電源100包括充電器110、電池120、三電平逆變器130、切換開關(guān)140和控制器150。充電器110接收第一交流電，并且利用第一交流電為電池120充電；三電平逆變器130從該電池120接收直流電，并且將該直流電轉(zhuǎn)換為第二交流電。切換開關(guān)140接收第一交流電和第二交流電，并且根據(jù)控制信號向負(fù)載輸出第一交流電或第二交流電?？刂破?50檢測第一交流電，并且根據(jù)檢測結(jié)果輸出該控制信號。例如，充電器110接收從交流電AC (例如，220V的交流電)輸入的交流電，并且對電池120進(jìn)行充電。三電平逆變器130接收電池120輸入的直流電，用于在控制器150的控制下將從電池120輸入的直流電變換為交流電。切換開關(guān)140接收交流電AC和三電平逆變器130輸入的交流電，并且根據(jù)控制器150的控制，從交流電AC和三電平逆變器130輸入的交流電中選擇一個交流電輸出給負(fù)載?？刂破?50檢測交流電AC的電壓，并且根據(jù)對交流電AC的檢測結(jié)果控制切換開關(guān)140的切換操作，例如，在交流電AC缺失或不穩(wěn)定的情況下將從三電平逆變器130輸入的交流電輸出給負(fù)載，而在交流電AC正常的情況下將從交流電AC輸入的交流電輸出給負(fù)載，從而不間斷地為負(fù)載提供穩(wěn)定、可靠的交流電?！?br> 應(yīng)理解，上述不間斷電源的電路結(jié)構(gòu)只是為了說明三電平逆變器與不間斷電源的連接關(guān)系，根據(jù)本發(fā)明的實施例并不限于具有上述電路結(jié)構(gòu)的不間斷電源。例如，控制器150中用于控制三電平逆變器130的部分也可以集成在三電平逆變器130中。下面詳細(xì)介紹根據(jù)本發(fā)明的實施例的三電平逆變器。圖2是根據(jù)本發(fā)明的一個實施例的三電平逆變器200的示意性電路結(jié)構(gòu)圖。三電平逆變器200是圖I的三電平逆變器130的例子。三電平逆變器200包括第一 IGBT231、第二 IGBT232、第三IGBT233、第四IGBT234、第一箝位二極管D215和第二箝位二極管D216。第一 IGBT231的集電極連接到正的直流母線+BUS，例如，直流電壓源的正極V+，第
一IGBT231的發(fā)射極連接到第一連接點N221。第一 IGBT231的集電極和發(fā)射極跨接有第一續(xù)流二極管D211。例如，第一續(xù)流二極管D211的陽極連接到第一 IGBT231的發(fā)射極，第一續(xù)流二極管D211的陰極連接到第一 IGBT231的集電極。第二 IGBT232的集電極連接到第一連接點N221，第二 IGBT232的發(fā)射極連接到第二連接點N222。第二 IGBT232的集電極和發(fā)射極跨接有第二續(xù)流二極管D212。例如，第二續(xù)流二極管D212的陽極連接到第二 IGBT232的發(fā)射極，第二續(xù)流二極管D212的陰極連接到第二 IGBT232的集電極。第三IGBT233的集電極連接到第二連接點N222，第三IGBT233的發(fā)射極連接到第三連接點N223，第三IGBT233的集電極和發(fā)射極跨接有第三續(xù)流二極管D213。例如，第三續(xù)流二極管D213的陽極連接到第三IGBT233的發(fā)射極，第三續(xù)流二極管D213的陰極連接到第三IGBT233的集電極。第四IGBT234的集電極連接到第三連接點N223，第四IGBT234的發(fā)射極連接到負(fù)的直流母線-BUS，例如，直流電壓源的負(fù)極V-。第四IGBT234的集電極和發(fā)射極跨接有第四續(xù)流二極管D214。例如，第四續(xù)流二極管D214的陽極連接到第四IGBT234的發(fā)射極，第四續(xù)流二極管D214的陰極連接到第四IGBT234的集電極。第一箝位二極管D215分別連接第四連接點N224與第一連接點N221，例如第一箝位二極管D215的陽極連接到第四連接點N224，第一箝位二極管D215的陰極連接到第一連接點N221。第二箝位二極管D216分別連接第四連接點N224與第三連接點N223，例如，第二箝位二極管D216的陰極連接到第四連接點N224，第二箝位二極管D216的陽極連接到第三連接點N224。第四連接點N224為中性電位點，第二連接點N222為交流輸出連接點，第
一IGBT231和第四IGBT234的開關(guān)速度高于第二 IGBT232和第三IGBT233的開關(guān)速度，或者第二 IGBT232和第三IGBT233的飽和導(dǎo)通壓降低于第一 IGBT231和第四IGBT234的飽和導(dǎo)通壓降。根據(jù)本發(fā)明的實施例，第一 IGBT和第四IGBT采用高速IGBT，由于高速IGBT具有極短的拖尾電流和低關(guān)斷損耗的特點，可顯著降低第一 IGBT和第四IGBT的關(guān)斷損耗，而第
二IGBT和第三IGBT采用低速IGBT，由于低速IGBT飽和導(dǎo)通壓降較低和關(guān)斷速度較慢的特點，可降低第二 IGBT和第三IGBT的導(dǎo)通損耗，從而降低了 IGBT的總損耗，提高了逆變器的轉(zhuǎn)換效率?；蛘撸龅诙?IGBT和所述第三IGBT的飽和導(dǎo)通壓降低于所述第一 IGBT和第四IGBT的飽和導(dǎo)通壓降，可降低第二 IGBT和第三IGBT的導(dǎo)通損耗，從而降低了 IGBT的總損耗，提高了逆變器的轉(zhuǎn)換效率。 同時，由于跨接在第一 IGBT和第四IGBT的續(xù)流二極管比Mosfet的體二極管的反向恢復(fù)特性好，因此，無需像外管采用Mosfet的方案那樣對開關(guān)管進(jìn)行復(fù)雜的控制，從而能夠采用簡單的控制方式實現(xiàn)對開關(guān)管的控制。另外，由于IGBT的價格比Mosfet低，與采用Mosfet的方案相比,本發(fā)明的實施例的三電平逆變器的成本較低。根據(jù)本發(fā)明的實施例，第一 IGBT和第四IGBT為高速IGBT，第二 IGBT和第三IGBT為低速IGBT。IGBT的開關(guān)速度的高低可以在相同測試條件下，例如，柵極驅(qū)動電路、測試電路和器件結(jié)溫等條件下，通過比較IGBT的開關(guān)特性參數(shù)(例如，開關(guān)時間和開關(guān)損耗等)來區(qū)分。例如，高速IGBT的關(guān)斷損耗小于低速IGBT的關(guān)斷損耗，或者高速IGBT的開通損耗小于低速IGBT的開通損耗，或者高速IGBT的關(guān)斷時間小于低速IGBT的關(guān)斷時間，或者高速IGBT的開通時間小于低速IGBT的開通時間。這里，開通損耗、關(guān)斷損耗、關(guān)斷時間、開通時間以及飽和導(dǎo)通壓降指IGBT的開關(guān)特性參數(shù)，即IGBT廠商將IGBT分別接入相同的測試電路進(jìn)行測試得到的參數(shù)，而非IGBT用于本發(fā)明的實施例的三電平逆變器之后實測的參數(shù)。這些開關(guān)特性參數(shù)通?？梢詮腎GBT廠商的器件規(guī)格書上獲得。應(yīng)理解，在比較IGBT的開關(guān)特性參數(shù)時，如果兩個IGBT開關(guān)的規(guī)格書上的測試條件不同，則可以在實驗室搭建相同的測試電路，以便在同等測試條件下，對IGBT的開關(guān)特性參數(shù)進(jìn)行比較。根據(jù)本發(fā)明的實施例，第一 IGBT和第四IGBT的關(guān)斷損耗小于第二 IGBT和第三IGBT的關(guān)斷損耗?？蛇x地，作為另一實施例，第一 IGBT和第四IGBT的開通損耗小于第二 IGBT和第三IGBT的開通損耗。例如，開關(guān)損耗可以包括開通損耗和關(guān)斷損耗。可選地，作為另一實施例，第一 IGBT和第四IGBT的關(guān)斷時間小于第二 IGBT和第三IGBT的關(guān)斷時間?？蛇x地，作為另一實施例，第一 IGBT和第四IGBT的開通時間小于第二 IGBT和第三IGBT的開通時間。例如，開關(guān)時間可以包括開通時間Tm和關(guān)斷時間Irfftl開通時間Tm包括上升時間 tr (Rise time)和開通延遲時間 Td(m) (Turn-on delay time),即 Tm = tr+Td(on)。關(guān)斷時間Ttxff包括下降時間tf (Fall time)和關(guān)斷延遲時間Tdfaff) (Turn-off delay time),即
Td(off) 一 tf+Td(off)。應(yīng)理解，根據(jù)本發(fā)明的實施例對采用上述哪個開關(guān)特性參數(shù)來限定高速IGBT和低速IGBT不作限定，可以采用開通損耗、關(guān)斷損耗、關(guān)斷時間和開通時間中的任何一個或多個的結(jié)合來限定高速IGBT和低速IGBT，例如，本發(fā)明的實施例可以將關(guān)斷損耗較小且開通損耗較小的IGBT作為高速IGBT，而將關(guān)斷損耗較大且開通損耗較大的IGBT作為低速IGBT,當(dāng)然，也可以將將關(guān)斷損耗較小且開通損耗較大的IGBT作為高速IGBT，而將關(guān)斷損耗較大且開通損耗較小的IGBT作為低速IGBT?？蛇x地，作為另一實施例，第二 IGBT和第三IGBT的飽和導(dǎo)通壓降低于第一 IGBT和第四IGBT的飽和導(dǎo)通壓降。
例如，IGBT的飽和導(dǎo)通壓降對應(yīng)于導(dǎo)通損耗，即飽和導(dǎo)通壓降越小，導(dǎo)通損耗越小?？蛇x地，作為另一實施例，三電平逆變器200還包括控制器(未示出)，控制器的輸出端連接到第一 IGBT的柵極、第二 IGBT的柵極、第三IGBT的柵極和第四IGBT的柵極，用于根據(jù)預(yù)設(shè)的脈寬調(diào)制規(guī)則控制第一 IGBT231、第二 IGBT232、第三IGBT233和第四IGBT234的開通和關(guān)斷，以便在第二連接點N222輸出交流信號。例如，可以將脈寬調(diào)制器輸出的脈寬調(diào)制脈沖輸出到第一 IGBT231、第二IGBT232、第三IGBT233和第四IGBT234的柵極，以驅(qū)動這些IGBT?？蛇x地，作為另一實施例，三電平逆變器200還可以包括低通濾波器，連接在第二連接點與負(fù)載之間，用于對第二連接點輸出的交流信號進(jìn)行濾波。例如，該低通濾波器可以包括由電容器和/或電感構(gòu)成的電路。圖3是根據(jù)本發(fā)明的另一實施例的三電平逆變器300的示意性電路結(jié)構(gòu)圖。三電平逆變器300包括第一 IGBT331、第二 IGBT332、第三IGBT333、第四IGBT334、第一箝位二極管D315和第二箝位二極管316。圖3的三電平逆變器300是圖2的三電平逆變器200的例子，在此適當(dāng)省略詳細(xì)的描述。第一 IGBT331的集電極連接到直流電壓源的正極，即連接到直流電壓源的正母線+BUS，第一 IGBT331的發(fā)射極連接到第一連接點N321。第一 IGBT331的集電極和發(fā)射極跨接有第一續(xù)流二極管D311。例如，第一續(xù)流二極管D311的陽極連接到第一 IGBT331的發(fā)射極，第一續(xù)流二極管D311的陰極連接到第一 IGBT331的集電極。第二 IGBT332的集電極連接到第一連接點N321，第二 IGBT332的發(fā)射極連接到第二連接點N322。第二 IGBT332的集電極和發(fā)射極跨接有第二續(xù)流二極管D312。例如，第二續(xù)流二極管D312的陽極連接到第二 IGBT332的發(fā)射極，第二續(xù)流二極管D312的陰極連接到第二 IGBT332的集電極。第三IGBT333的集電極連接到第二連接點N322，第三IGBT333的發(fā)射極連接到第三連接點N323。第三IGBT333的集電極和發(fā)射極跨接有第三續(xù)流二極管D313。例如，第三續(xù)流二極管D313的陽極連接到第三IGBT333的發(fā)射極，第三續(xù)流二極管D313的陰極連接到第三IGBT333的集電極。第四IGBT234的集電極連接到第三連接點N323，第四IGBT334的發(fā)射極連接到直流電壓源的負(fù)極，即連接到直流電壓源的負(fù)母線-BUS。第四IGBT334的集電極和發(fā)射極跨接有第四續(xù)流二極管D314。例如，第四續(xù)流二極管D314的陽極連接到第四IGBT334的發(fā)射極，第四續(xù)流二極管D314的陰極連接到第四IGBT334的集電極。第一箝位二極管D315分別連接第四連接點N324與第一連接點N321，例如第一箝位二極管D315的陽極連接到第四連接點N324，第一箝位二極管D315的陰極連接到第一連接點N321。第二箝位二極管D316分別連接第四連接點N324與第三連接點N323，例如，第二箝位二極管D316的陰極連接到第四連接點N324，第二箝位二極管D316的陽極連接到第三連接點N323，其中第四連接點N324為中性電位點，第二連接點N322為交流輸出連接點，第一 IGBT331和第四IGBT334的開關(guān)速度高于第二 IGBT332和第三IGBT333的開關(guān)速度，或者第二 IGBT332和第三IGBT333的飽和導(dǎo)通壓降低于第一 IGBT331和第四IGBT334的飽和導(dǎo)通壓降?？蛇x地，作為另一實施例，三電平逆變器300還可以包括低通濾波器350，連接在第二連接點N322與負(fù)載340之間。低通濾波器可以包括電容器和/或電感器，例如，低通 濾波器350可以包括電感器L351和電容器C352，其中電感器L351與負(fù)載340串聯(lián)，電容器352與負(fù)載340并聯(lián)，電容器352和負(fù)載340的一端與電感器351相連接，另一端與中性點相連接。可選地，作為另一實施例，三電平逆變器300還可以包括第一電容器361和第二電容器362。第一電容器361連接在直流電壓源的正母線+BUS與第四連接點N324之間。第二電容器362連接在直流電壓源的負(fù)母線-BUS與第四連接點N324之間，其中第四連接點N324與中性點相連接。圖4是根據(jù)本發(fā)明的又一實施例的三電平逆變器400的示意性電路結(jié)構(gòu)圖。三電平逆變器400包括第一 IGBT431、第二 IGBT432、第三IGBT433、第四IGBT434、第一箝位二極管D415和第二箝位二極管D416。圖4的三電平逆變器400是圖2的三電平逆變器200的例子，在此適當(dāng)省略詳細(xì)的描述。第一 IGBT431的集電極連接到直流電壓源V461的正極，即正的直流母線+BUS，第一 IGBT431的發(fā)射極連接到第一連接點N421，第一 IGBT431的集電極和發(fā)射極跨接有第一續(xù)流二極管D411。例如，第一續(xù)流二極管D411的陽極連接到第一 IGBT431的發(fā)射極，第一續(xù)流二極管D411的陰極連接到第一 IGBT431的集電極。第二 IGBT432的集電極連接到第一連接點N421，第二 IGBT432的發(fā)射極連接到第二連接點N422，第二 IGBT432的集電極和發(fā)射極跨接有第二續(xù)流二極管D412。例如，第二續(xù)流二極管D412的陽極連接到第二 IGBT432的發(fā)射極，第二續(xù)流二極管D412的陰極連接到第二 IGBT432的集電極。第三IGBT433的集電極連接到第二連接點N422，第三IGBT233的發(fā)射極連接到第三連接點N223，第三IGBT233的集電極和發(fā)射極跨接有第三續(xù)流二極管D413。例如，第三續(xù)流二極管D413的陽極連接到第三IGBT433的發(fā)射極，第三續(xù)流二極管D413的陰極連接到第三IGBT433的集電極。第四IGBT434的集電極連接到第三連接點N423，第四IGBT434的發(fā)射極連接到直流電壓源V462的負(fù)極，即負(fù)的直流母線-BUS，第四IGBT434的集電極和發(fā)射極跨接有第四續(xù)流二極管D414。例如，第四續(xù)流二極管D414的陽極連接到第四IGBT434的發(fā)射極，第四續(xù)流二極管D414的陰極連接到第四IGBT434的集電極。第一箝位二極管D415分別連接第四連接點N424與第一連接點N421，例如第一箝位二極管D415的陽極連接到第四連接點N424，第一箝位二極管D415的陰極連接到第一連接點N421。第二箝位二極管D416分別連接第四連接點N424與第三連接點N423，例如，第二箝位二極管D416的陰極連接到第四連接點N424，第二箝位二極管D416的陽極連接到第三連接點N423，其中第四連接點N424為中性電位點，第二連接點N422為交流輸出連接點，第一 IGBT431和第四IGBT434的開關(guān)速度高于第二 IGBT432和第三IGBT433的開關(guān)速度，或者第二 IGBT432和第三IGBT433的飽和導(dǎo)通壓降低于第一 IGBT431和第四IGBT434的飽和導(dǎo)通壓降?？蛇x地，作為另一實施例，三電平逆變器400還可以包括低通濾波器450，連接在第二連接點N422與負(fù)載440之間。低通濾波器可以包括電容器和/或電感器，例如，低通濾波器450可以包括電感器L451和電容器C452，其中電感器L451與負(fù)載440串聯(lián)，電容器452與負(fù)載440并聯(lián)，電容器和負(fù)載440的一端與電感器451相連接,另一端與中性點連 接。根據(jù)本發(fā)明的實施例，直流電壓源V461的負(fù)極與第四連接點N424相連接，直流電壓源V462的正極與第四連接點N424相連接。圖5是根據(jù)本發(fā)明的一個實施例的三電平逆變器的控制信號的時序圖。下面結(jié)合圖2和圖5的實施例來說明三電平逆變器的控制原理。本實施例以控制器產(chǎn)生的脈寬調(diào)制(Pulse width modulation, PWM)為例進(jìn)行說明。參見圖5，ΡΜΓΡΜ4為開關(guān)管IGBT231、IGBT232、IGBT233、IGBT234的驅(qū)動信號。在正半周時，IGBT232常通、IGBT234常閉，IGBT231和IGBT233按正弦脈寬調(diào)制(SinusoidalPWM, SPWM)互補導(dǎo)通并保證其死區(qū)。在負(fù)半周時，IGBT233常通、IGBT231常閉，IGBT234和IGBT232按SPWM互補導(dǎo)通并保證其死區(qū)。為了描述方便，首先定義電感電流的方向當(dāng)電感電流從連接點N222流向負(fù)載端時，定義電感電流為正；當(dāng)電感電流從負(fù)載端流向連接點N222時，定義電感電流為負(fù)。當(dāng)電壓為正半周、電感電流為正，或者電壓為負(fù)半周、電感電流為負(fù)時，外管IGBT231和IGBT234的損耗包括開關(guān)損耗和導(dǎo)通損耗兩部分，內(nèi)管IGBT232和IGBT233的損耗只有導(dǎo)通損耗。以電壓為正半周、電感電流為正為例，此時IGBT232常開，IGBT231和IGBT233互補導(dǎo)通。當(dāng)IGBT231開通時，電感電流Il流經(jīng)IGBT231和IGBT232 ;當(dāng)IGBT231關(guān)斷時，電感電流L換流到D215和IGBT232，因此，外管IGBT231的損耗包括開關(guān)損耗和導(dǎo)通損耗，內(nèi)管IGBT232只有導(dǎo)通損耗，而IGBT233沒有電流，不存在開關(guān)損耗和導(dǎo)通損耗。在連接阻性負(fù)載時，由于外管的關(guān)斷損耗所占比重較大，因此，使用開關(guān)速度較高的IGBT231和IGBT234可以降低開關(guān)損耗；由于內(nèi)管的開關(guān)損耗所占比重極小而導(dǎo)通損耗所占比重較大，因此，內(nèi)管使用開關(guān)速度較低、飽和導(dǎo)通壓降較小的IGBT232和IGBT233可以降低導(dǎo)通損耗。因此，當(dāng)外管采用高速IGBT，而內(nèi)管采用低速IGBT時，可以降低外管的開關(guān)損耗和內(nèi)管的導(dǎo)通損耗，從整體上降低了內(nèi)管和外管的總的損耗，從而提高了逆變器的轉(zhuǎn)換效率。另外，在外管IGBT231和IGBT234關(guān)斷時，電感電流的換流路徑較短，因此，外管關(guān)斷時的電壓應(yīng)力相對較??；在內(nèi)管IGBT232和IGBT233關(guān)斷時，電感電流的換流路徑較長，因此，內(nèi)管關(guān)斷時的電壓應(yīng)力較大。具體而言，外管以IGBT231為例，電感電流L流經(jīng)IGBT231和IGBT232，并且當(dāng)IGBT231關(guān)斷時，電感電流L換流到D215和IGBT232 ;在換流過程中，原先流過IGBT231的電流在減小，而流過D215的電流在增大，線路上寄生電感產(chǎn)生的感應(yīng)電壓疊加到IGBT231兩端，導(dǎo)致IGBT231產(chǎn)生電壓尖峰。內(nèi)管以IGBT232為例，電感電流IL流經(jīng)D215和IGBT232,并且當(dāng)IGBT232關(guān)斷時，電感電流IL換流到D213和D214。在換流過程中，原先流過IGBT232的電 流在減小，而流過D213和D214的電流在增大，線路上寄生電感產(chǎn)生的感應(yīng)電壓疊加到IGBT232兩端，導(dǎo)致IGBT232產(chǎn)生電壓尖峰。由以上分析可知，外管IGBT231和IGBT234的換流路徑比內(nèi)管IGBT232和IGBT233的換流路徑短，電壓應(yīng)力較小。通過以上分析可知，外管的開關(guān)速度可以高于內(nèi)管的開關(guān)速度。因此，根據(jù)本發(fā)明的實施例通過使三電平逆變器的外管的開關(guān)速度高于內(nèi)管的開關(guān)速度，或者使內(nèi)管的飽和導(dǎo)通壓降低于外管的飽和導(dǎo)通壓降，能夠在提高三電平逆變器的轉(zhuǎn)換效率和降低開關(guān)管的電壓應(yīng)力上得到合適的權(quán)衡，即在提高三電平逆變器的轉(zhuǎn)換效率的同時，降低了開關(guān)管的電壓應(yīng)力。圖6是根據(jù)本發(fā)明的一個實施例的供電設(shè)備600的示意性結(jié)構(gòu)圖。供電設(shè)備600包括三電平逆變器610和直流電壓源620。三電平逆變器610可以由圖2至圖4的實施例中的三電平逆變器200、三電平逆變器300和三電平逆變器400中的任一個來實現(xiàn)。直流電壓源620的正極連接到正的直流母線+BUS，直流電壓源610的負(fù)極連接到負(fù)的直流母線-BUS。根據(jù)本發(fā)明的實施例，三電平逆變器610包括第一絕緣柵雙極型晶體管IGBT，第一 IGBT的集電極連接到該正的直流母線，第一 IGBT的發(fā)射極連接到第一連接點，第一 IGBT的集電極和發(fā)射極跨接有第一續(xù)流二極管；第二 IGBT，第二 IGBT的集電極連接到第一連接點，第二 IGBT的發(fā)射極連接到第二連接點，第二 IGBT的集電極和發(fā)射極跨接有第二續(xù)流二極管；第三IGBT，第三IGBT的集電極連接到第二連接點，第三IGBT的發(fā)射極連接到第三連接點，第三IGBT的集電極和發(fā)射極跨接有第三續(xù)流二極管；第四IGBT，第四IGBT的集電極連接到第三連接點，第四IGBT的發(fā)射極連接到負(fù)的直流母線，第四IGBT的集電極和發(fā)射極跨接有第四續(xù)流二極管；第一箝位二極管，分別連接第四連接點與第一連接點；第二箝位二極管，分別連接第四連接點與第三連接點，其中第四連接點為中性電位點，第二連接點為交流輸出連接點，第一 IGBT和第四IGBT的開關(guān)速度高于第二 IGBT和第三IGBT的開關(guān)速度，或者第二 IGBT和第三IGBT的飽和導(dǎo)通壓降低于第一 IGBT和第四IGBT的飽和導(dǎo)通壓降。根據(jù)本發(fā)明的實施例，第一 IGBT和第四IGBT的關(guān)斷損耗小于第二 IGBT和第三IGBT的關(guān)斷損耗；或者第一 IGBT和第四IGBT的開通損耗小于第二 IGBT和第三IGBT的開通損耗；或者第一 IGBT和第四IGBT的關(guān)斷時間小于第二 IGBT和第三IGBT的關(guān)斷時間；或者第一 IGBT和第四IGBT的開通時間小于第二 IGBT和第三IGBT的開通時間?？蛇x地，作為另一實施例，上述三電平逆變器還包括低通濾波器，連接在第二連接點與負(fù)載之間，用于對第二連接點輸出的交流信號進(jìn)行濾波?？蛇x地，作為另一實施例，上述三電平逆變器還包括控制器，該控制器的輸出端連接到第一 IGBT的柵極、第二 IGBT的柵極、第三IGBT的柵極和第四IGBT的柵極，用于根據(jù)預(yù)設(shè)的脈寬調(diào)制規(guī)則控制第一 IGBT、第二 IGBT、第三IGBT和第四IGBT的開通和關(guān)斷，以
便在第二連接點輸出交流信號。
可選地，作為另一實施例，上述三電平逆變器還包括第一電容器，連接在該正的直流母線與第四連接點之間；第二電容器，連接在該負(fù)的直流母線與第四連接點之間。本領(lǐng)域普通技術(shù)人員可以意識到，結(jié)合本文中所公開的實施例描述的各示例的單元及算法步驟，能夠以電子硬件、或者計算機(jī)軟件和電子硬件的結(jié)合來實現(xiàn)。這些功能究竟以硬件還是軟件方式來執(zhí)行，取決于技術(shù)方案的特定應(yīng)用和設(shè)計約束條件。專業(yè)技術(shù)人員可以對每個特定的應(yīng)用來使用不同方法來實現(xiàn)所描述的功能，但是這種實現(xiàn)不應(yīng)認(rèn)為超出本發(fā)明的范圍。所屬領(lǐng)域的技術(shù)人員可以清楚地了解到，為描述的方便和簡潔，上述描述的系統(tǒng)、裝置和單元的具體工作過程，可以參考前述方法實施例中的對應(yīng)過程，在此不再贅述。在本申請所提供的幾個實施例中，應(yīng)該理解到，所揭露的系統(tǒng)、裝置和方法，可以通過其它的方式實現(xiàn)。例如，以上所描述的裝置實施例僅僅是示意性的，例如，所述單元的劃分，僅僅為一種邏輯功能劃分，實際實現(xiàn)時可以有另外的劃分方式，例如多個單元或組件·可以結(jié)合或者可以集成到另一個系統(tǒng)，或一些特征可以忽略，或不執(zhí)行。另一點，所顯示或討論的相互之間的耦合或直接耦合或通信連接可以是通過一些接口，裝置或單元的間接耦合或通信連接，可以是電性，機(jī)械或其它的形式。所述作為分離部件說明的單元可以是或者也可以不是物理上分開的，作為單元顯示的部件可以是或者也可以不是物理單元，即可以位于一個地方，或者也可以分布到多個網(wǎng)絡(luò)單元上?？梢愿鶕?jù)實際的需要選擇其中的部分或者全部單元來實現(xiàn)本實施例方案的目的。另外，在本發(fā)明各個實施例中的各功能單元可以集成在一個處理單元中，也可以是各個單元單獨物理存在，也可以兩個或兩個以上單元集成在一個單元中。所述功能如果以軟件功能單元的形式實現(xiàn)并作為獨立的產(chǎn)品銷售或使用時，可以存儲在一個計算機(jī)可讀取存儲介質(zhì)中?；谶@樣的理解，本發(fā)明的技術(shù)方案本質(zhì)上或者說對現(xiàn)有技術(shù)做出貢獻(xiàn)的部分或者該技術(shù)方案的部分可以以軟件產(chǎn)品的形式體現(xiàn)出來，該計算機(jī)軟件產(chǎn)品存儲在一個存儲介質(zhì)中，包括若干指令用以使得一臺計算機(jī)設(shè)備(可以是個人計算機(jī)，服務(wù)器，或者網(wǎng)絡(luò)設(shè)備等)執(zhí)行本發(fā)明各個實施例所述方法的全部或部分步驟。而前述的存儲介質(zhì)包括U盤、移動硬盤、只讀存儲器(ROM，Read-Only Memory)、隨機(jī)存取存儲器(RAM, Random Access Memory)、磁碟或者光盤等各種可以存儲程序代碼的介質(zhì)。以上所述，僅為本發(fā)明的具體實施方式
，但本發(fā)明的保護(hù)范圍并不局限于此，任何熟悉本技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人員在本發(fā)明揭露的技術(shù)范圍內(nèi)，可輕易想到變化或替換，都應(yīng)涵蓋在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。因此，本發(fā)明的保護(hù)范圍應(yīng)以權(quán)利要求的保護(hù)范圍為準(zhǔn)。
權(quán)利要求
1.一種三電平逆變器，其特征在于，包括 第一絕緣柵雙極型晶體管IGBT，所述第一 IGBT的集電極連接到正的直流母線，所述第一IGBT的發(fā)射極連接到第一連接點，所述第一 IGBT的集電極和發(fā)射極跨接有第一續(xù)流二極管； 第二 IGBT，所述第二 IGBT的集電極連接到第一連接點，所述第二 IGBT的發(fā)射極連接到第二連接點，所述第二 IGBT的集電極和發(fā)射極跨接有第二續(xù)流二極管； 第三IGBT，所述第三IGBT的集電極連接到第二連接點，所述第三IGBT的發(fā)射極連接到第三連接點，所述第三IGBT的集電極和發(fā)射極跨接有第三續(xù)流二極管； 第四IGBT，所述第四IGBT的集電極連接到第三連接點，所述第四IGBT的發(fā)射極連接到負(fù)的直流母線，所述第四IGBT的集電極和發(fā)射極跨接有第四續(xù)流二極管； 第一箝位二極管，分別連接到第四連接點與所述第一連接點； 第二箝位二極管，分別連接所述第四連接點與所述第三連接點，其中所述第四連接點為中性電位點，所述第二連接點為交流輸出連接點，所述第一 IGBT和所述第四IGBT的開關(guān)速度高于所述第二 IGBT和所述第三IGBT的開關(guān)速度，或者所述第二 IGBT和所述第三IGBT的飽和導(dǎo)通壓降低于所述第一 IGBT和所述第四IGBT的飽和導(dǎo)通壓降。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的三電平逆變器，其特征在于， 所述第一 IGBT和所述第四IGBT的關(guān)斷損耗小于所述第二 IGBT和所述第三IGBT的關(guān)斷損耗；或者 所述第一 IGBT和所述第四IGBT的開通損耗小于所述第二 IGBT和所述第三IGBT的開通損耗；或者 所述第一 IGBT和所述第四IGBT的關(guān)斷時間小于所述第二 IGBT和所述第三IGBT的關(guān)斷時間；或者 所述第一 IGBT和所述第四IGBT的開通時間小于所述第二 IGBT和所述第三IGBT的開通時間。
3.根據(jù)權(quán)利要求I或2所述的三電平逆變器，還包括 低通濾波器，連接在所述第二連接點與負(fù)載之間，用于對所述第二連接點輸出的交流信號進(jìn)行濾波。
4.根據(jù)權(quán)利要求I至3中的任一項所述的三電平逆變器，其特征在于還包括 控制器，所述控制器的輸出端連接到所述第一 IGBT的柵極、所述第二 IGBT的柵極、所述第三IGBT的柵極和所述第四IGBT的柵極，用于根據(jù)預(yù)設(shè)的脈寬調(diào)制規(guī)則控制所述第一IGBT、所述第二 IGBT、所述第三IGBT和所述第四IGBT的開通和關(guān)斷，以便在所述第二連接點輸出交流信號。
5.根據(jù)權(quán)利要求I至4中的任一項所述的三電平逆變器，還包括 第一電容器，連接在所述正的直流母線與所述第四連接點之間； 第二電容器，連接在所述負(fù)的直流母線與所述第四連接點之間。
6.一種供電設(shè)備，其特征在于，包括三電平逆變器和直流電壓源，其中所述直流電壓源的正極連接到正的直流母線，所述直流電壓源的負(fù)極連接到負(fù)的直流母線， 其中所述三電平逆變器包括第一絕緣柵雙極型晶體管IGBT，所述第一 IGBT的集電極連接到所述正的直流母線，所述第一 IGBT的發(fā)射極連接到第一連接點，所述第一 IGBT的集電極和發(fā)射極跨接有第一續(xù)流二極管； 第二 IGBT，所述第二 IGBT的集電極連接到第一連接點，所述第二 IGBT的發(fā)射極連接到第二連接點，所述第二 IGBT的集電極和發(fā)射極跨接有第二續(xù)流二極管； 第三IGBT，所述第三IGBT的集電極連接到第二連接點，所述第三IGBT的發(fā)射極連接到第三連接點，所述第三IGBT的集電極和發(fā)射極跨接有第三續(xù)流二極管； 第四IGBT，所述第四IGBT的集電極連接到第三連接點，所述第四IGBT的發(fā)射極連接到負(fù)的直流母線，所述第四IGBT的集電極和發(fā)射極跨接有第四續(xù)流二極管； 第一箝位二極管，分別連接到第四連接點與所述第一連接點； 第二箝位二極管，分別連接所述第四連接點與所述第三連接點，其中所述第四連接點為中性電位點，所述第二連接點為交流輸出連接點，所述第一 IGBT和所述第四IGBT的開關(guān)速度高于所述第二 IGBT和所述第三IGBT的開關(guān)速度，或者所述第二 IGBT和所述第三IGBT的飽和導(dǎo)通壓降低于所述第一 IGBT和所述第四IGBT的飽和導(dǎo)通壓降。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的供電設(shè)備，其特征在于， 所述第一 IGBT和所述第四IGBT的關(guān)斷損耗小于所述第二 IGBT和所述第三IGBT的關(guān)斷損耗；或者 所述第一 IGBT和所述第四IGBT的開通損耗小于所述第二 IGBT和所述第三IGBT的開通損耗；或者 所述第一 IGBT和所述第四IGBT的關(guān)斷時間小于所述第二 IGBT和所述第三IGBT的關(guān)斷時間；或者 所述第一 IGBT和所述第四IGBT的開通時間小于所述第二 IGBT和所述第三IGBT的開通時間。
8.根據(jù)權(quán)利要求6或7所述的供電設(shè)備，所述三電平逆變器還包括 低通濾波器，連接在所述第二連接點與負(fù)載之間，用于對所述第二連接點輸出的交流信號進(jìn)行濾波。
9.根據(jù)權(quán)利要求6至8中的任一項所述的供電設(shè)備，其特征在于，所述三電平逆變器還包括 控制器，所述控制器的輸出端連接到所述第一 IGBT的柵極、所述第二 IGBT的柵極、所述第三IGBT的柵極和所述第四IGBT的柵極，用于根據(jù)預(yù)設(shè)的脈寬調(diào)制規(guī)則控制所述第一IGBT、所述第二 IGBT、所述第三IGBT和所述第四IGBT的開通和關(guān)斷，以便在所述第二連接點輸出交流信號。
10.根據(jù)權(quán)利要求6至9中的任一項所述的供電設(shè)備，所述三電平逆變器還包括 第一電容器，連接在所述正的直流母線與所述第四連接點之間； 第二電容器，連接在所述負(fù)的直流母線與所述第四連接點之間。
全文摘要
本發(fā)明提供了一種三電平逆變器和供電設(shè)備，包括第一IGBT，其集電極連接到正的直流母線，其發(fā)射極連接到第一連接點，其集電極和發(fā)射極跨接有第一續(xù)流二極管；第二IGBT，其集電極連接到第一連接點，其發(fā)射極連接到第二連接點，其集電極和發(fā)射極跨接有第二續(xù)流二極管；第三IGBT，其集電極連接到第二連接點，其發(fā)射極連接到第三連接點，其集電極和發(fā)射極跨接有第三續(xù)流二極管；第四IGBT，其集電極連接到第三連接點，其發(fā)射極連接到負(fù)的直流母線，其集電極和發(fā)射極跨接有第四續(xù)流二極管；第一箝位二極管；和第二箝位二極管，第一IGBT和第四IGBT的開關(guān)速度高于第二IGBT和第三IGBT的開關(guān)速度，提高了逆變器的轉(zhuǎn)換效率。
文檔編號H02M7/48GK102946205SQ20121041955
公開日2013年2月27日 申請日期2012年10月29日 優(yōu)先權(quán)日2012年10月29日
發(fā)明者陳構(gòu)宜, 崔兆雪, 章陶 申請人:華為技術(shù)有限公司