線性度大于96dB的BiCMOS緩沖器的制造方法
【專(zhuān)利摘要】本發(fā)明公開(kāi)了一種線性度大于96dB的BiCMOS緩沖器，其中包含了一個(gè)尾電流源單元及一個(gè)射極電壓檢測(cè)基極電流反饋放大器。本發(fā)明電路通過(guò)實(shí)現(xiàn)鏡像負(fù)載復(fù)制驅(qū)動(dòng)負(fù)載的電流，保證流過(guò)緩沖器中的緩沖晶體管的電流為一個(gè)恒定電流，減少了包含該增益的傳遞函數(shù)中的非線性因素；引入了一個(gè)射極電壓檢測(cè)基極電流反饋放大器，由于在隔離雙極晶體管射極和基極間引入了一個(gè)負(fù)反饋，形成了理想的虛地點(diǎn)，從而增加了緩沖器的線性度。本發(fā)明電路的線性度可達(dá)到96dB，比傳統(tǒng)緩沖器電路的線性度提高30％。本發(fā)明電路特別適用于在數(shù)模/模數(shù)轉(zhuǎn)換器對(duì)線性度要求極高的領(lǐng)域。
【專(zhuān)利說(shuō)明】線性度大于96dB的BiCMOS緩沖器

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及BiCMOS緩沖器，特別涉及一種線性度大于96dB的BiCMOS緩沖器，它直接應(yīng)用于模數(shù)轉(zhuǎn)換器采樣前端的信號(hào)緩沖器領(lǐng)域。

【背景技術(shù)】
[0002]近年來(lái)，隨著A/D轉(zhuǎn)換器的性能指標(biāo)的進(jìn)一步提升，對(duì)其采樣前端的緩沖器性能要求也越來(lái)越高。但傳統(tǒng)緩沖器的電路結(jié)構(gòu)比較簡(jiǎn)單，在現(xiàn)有工藝條件下具有線性度差的不足，特別在一些高精度領(lǐng)域的應(yīng)用中，傳統(tǒng)緩沖器往往不能勝任其對(duì)線性度的要求。
[0003]典型的緩沖器電路如圖1所示，該電路主要包含一個(gè)Bipolar管仏“電流源Itla，及負(fù)載電路Zla。
[0004]由于尾電流Itla和Bipolar管Btla形成了一個(gè)電流檢測(cè)電壓反饋的負(fù)反饋電路，因此該結(jié)構(gòu)緩沖器的增益可以寫(xiě)為:

【權(quán)利要求】
1.一種線性度大于96dB的BiCMOS緩沖器，其特征在于，它含有: 作為射極跟隨器的雙極晶體管Btl、隔離雙極晶體管B1、尾電流源單元It、射極電壓檢測(cè)基極電流反饋放大器Atl、負(fù)載Z1和鏡像負(fù)載Zin ； 其中，B0的集電極與電源Vdd相接，B0的基極與輸入端Vin相接，B0的發(fā)射極與輸出端Vout相接，B1的集電極與輸出端Vtjut相接，B1的基極與A0的輸出端相接，B1的發(fā)射極通過(guò)It與地相接，Z1的一端與Vtjut相接，Z1的另一端與地相接，Zin的一端與Vin相接，Zin的另一端通過(guò)It與地相接，A0的正輸入端與偏置電壓V。相接，A0的負(fù)輸入端通過(guò)It與地相接。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種線性度大于96dB的BiCMOS緩沖器，其特征在于所述尾電流源單元It包括NMOS管M1' NMOS管M2、NMOS管M3和放大器A1 ； 其中，M1的漏極與基準(zhǔn)電流IMf相接，并與M1的柵極相接，M1的源極與地相接，M2的柵極與M1的柵極相接，M2的源極與地相接，M2的漏極與M3的源極相接，M3的柵極與A1的輸出端相接，A1的正輸入端與偏置電壓Vd相接，A1的負(fù)輸入端與M3的源極相接，M3的漏極與隔離雙極晶體管B1的射極相連。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種線性度大于96dB的BiCMOS緩沖器，其特征在于所述射極電壓檢測(cè)基極電流反饋放大器Atl包括NMOS管M4、M5, PMOS管P1' P2和電流源I1 ； 其中，M4的源極與M5的源極相接，并通過(guò)電流源I1與地相接，M4的柵極與輸入V+端相接，M4的漏極與P1的漏極、P1的柵極連接在一起，M5的柵極與A0輸入V_端相接，M5的漏極與P2的漏極及輸出V。相接，P1的柵極與P1的漏極、P2的柵極連接在一起，P1的源極與電源Vdd相接，P2的源極與電源Vdd相接，P2的漏極與Atl輸出V。相接。
【文檔編號(hào)】H03K19/0948GK104135273SQ201410362550
【公開(kāi)日】2014年11月5日 申請(qǐng)日期:2014年7月28日 優(yōu)先權(quán)日:2014年7月28日
【發(fā)明者】鄧民明, 劉濤, 劉璐 申請(qǐng)人:中國(guó)電子科技集團(tuán)公司第二十四研究所