1.一種產(chǎn)生特定種類的至少一個(gè)被捕獲原子的方法，所述方法包括如下步驟：
將包括特定種類的樣品材料放置在真空中；
通過用第一激光器輻照所述樣品材料，產(chǎn)生特定種類的原子蒸氣；
從被產(chǎn)生的所述原子蒸氣中捕獲一個(gè)或多個(gè)原子。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述捕獲步驟包括通過第二激光器，例如通過使用多普勒冷卻，來冷卻所述一個(gè)或多個(gè)原子。
3.根據(jù)任意一項(xiàng)前述權(quán)利要求所述的方法，其特征在于，所述捕獲步驟采用磁光的、磁的或光學(xué)的陷阱。
4.一種產(chǎn)生特定種類的原子蒸氣的方法，所述方法包括如下步驟：
放置包含特定種類的樣品材料，(優(yōu)選在真空中)；
用第一激光器輻照所述樣品材料，以產(chǎn)生特定種類的原子蒸氣。
5.根據(jù)前述權(quán)利要求所述的方法，其特征在于，所述第一激光器被設(shè)置/安排和/或所述第一激光器的功率輸出被選擇，以使得所述輻照步驟樣品材料生成的熱能少于通過加熱蒸發(fā)或升華樣品材料所需要的熱能。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的方法，其特征在于，所述輻照步驟包括使用透鏡將所述第一激光器發(fā)出的光聚焦在樣品上。
7.根據(jù)權(quán)利要求5或6所述的方法，包括調(diào)整以下一個(gè)或多個(gè)對象的步驟：所述第一激光器的功率；所述第一激光器的功率密度；所述第一激光器、所述透鏡和所述樣品之間的距離；所述透鏡的焦距；所述第一激光器的脈沖持續(xù)時(shí)間；
通過所述調(diào)整所述一個(gè)或多個(gè)對象的步驟，控制原子蒸氣的生成速率和/或控制由所述輻照步驟生成的樣品材料中的熱能(優(yōu)選地使其少于通過加熱蒸發(fā)或升華樣品材料所需要的熱能)。
8.根據(jù)任意一項(xiàng)前述權(quán)利要求所述的方法，其特征在于，所述第一激光器為連續(xù)波激光器。
9.根據(jù)任意一項(xiàng)前述權(quán)利要求所述的方法，其特征在于，所述第一激光器以被選擇用于生成特定種類的原子蒸氣的頻率產(chǎn)生光。
10.根據(jù)任意一項(xiàng)前述權(quán)利要求所述的方法，其特征在于，所述第一激光器為405nm激光器。
11.根據(jù)任意一項(xiàng)前述權(quán)利要求所述的方法，其特征在于，所述特定種類為金屬。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的方法，其特征在于，所述金屬為堿土金屬或堿金屬。
13.根據(jù)權(quán)利要求11所述的方法，其特征在于，所述金屬為鈹，鎂，鈣，鍶，鋇，鐳或鐿。
14.根據(jù)權(quán)利要求12所述的方法，其特征在于，所述金屬為鍶。
15.根據(jù)任意一項(xiàng)前述權(quán)利要求所述的方法，其特征在于，所述樣品材料為氧化鍶。
16.根據(jù)任意一項(xiàng)前述權(quán)利要求所述的方法，其特征在于，包括所述特定種類的材料被處理以形成中間化合物，并且該中間化合物被用作樣品，優(yōu)選的，輻照中間化合物導(dǎo)致該中間化合物分解，以生成所述特定種類的原子蒸氣。
17.根據(jù)任意一項(xiàng)前述權(quán)利要求所述的方法，其特征在于，所述中間化合物或樣品為金屬氧化物。
18.根據(jù)任意一項(xiàng)前述權(quán)利要求所述的方法，其特征在于，所述中間化合物或樣品為堿土金屬(鈹，鎂，鈣，鍶，鋇或鐳)或堿金屬或鐿的氧化物。
19.根據(jù)權(quán)利要求1-17中任意一項(xiàng)的方法，其特征在于，所述中間化合物或樣品為堿土金屬(鈹，鎂，鈣，鍶，鋇或鐳)或堿金屬，或鐿的氫氧化物。
20.根據(jù)權(quán)利要求19的方法，其特征在于，將鍶處理以形成氧化鍶，并且將氧化鍶輻照以生產(chǎn)鍶原子蒸氣。
21.根據(jù)權(quán)利要求1-3或者從屬于權(quán)利要求1的權(quán)利要求4-20中的任意一項(xiàng)的方法，其特征在于，所述特定種類的原子蒸氣被用于冷原子裝置。
22.根據(jù)權(quán)利要求21所述的方法，其特征在于，所述冷原子裝置為光學(xué)時(shí)鐘。
23.根據(jù)權(quán)利要求21所述的方法，其特征在于，所述冷原子裝置為原子干涉儀。
24.根據(jù)權(quán)利要求21所述的方法，其特征在于，所述冷原子裝置用于波色-愛因斯坦凝聚實(shí)驗(yàn)。
25.根據(jù)任意一項(xiàng)前述權(quán)利要求所述的方法，其特征在于，所述樣品材料為粉末。
26.根據(jù)權(quán)利要求25所述的方法，其特征在于，所述粉末被形成薄膜。
27.根據(jù)權(quán)利要求26所述的方法，其特征在于，所述薄膜由分布在5cm2的區(qū)域上的100mg粉末形成。
28.根據(jù)權(quán)利要求25、26或27中任意一項(xiàng)所述的方法，其特征在于，所述粉末包括直徑處于5-150微米的范圍內(nèi)的顆粒。
29.一種制備樣品材料的方法，該方法包括：
將粉末與溶劑混合而形成糊劑；
將糊劑鋪展至表面上；
使溶劑充分蒸發(fā)，從而提供樣品材料。
30.根據(jù)權(quán)利要求29所述的方法，其特征在于，所述溶劑為丙酮。
31.根據(jù)權(quán)利要求29或30所述的方法，其特征在于，粉末與溶劑的體積比約為1:1。
32.根據(jù)權(quán)利要求29至31中任意一項(xiàng)所述的方法，包括研磨所述粉末的步驟。
33.根據(jù)權(quán)利要求25至28中任意一項(xiàng)所述的方法，進(jìn)一步包括在輻照樣品的步驟之前，依據(jù)權(quán)利要求29至32中任意一項(xiàng)所述的方法制備樣品的步驟。
34.一種用于生成特定種類原子蒸氣的裝置，該裝置包括：
真空室；和
第一激光源，其中所述第一激光源被設(shè)置用來輻照被置于所述真空室中的包括特定種類的樣品，使得特定種類的原子蒸氣在所述真空室中被生成。
35.根據(jù)權(quán)利要求34所述的裝置，進(jìn)一步包括一個(gè)或多個(gè)原子阱，該等原子阱被設(shè)置用來從原子蒸氣中捕獲原子。
36.根據(jù)權(quán)利要求34或35所述的裝置，被設(shè)置用來根據(jù)權(quán)利要求1-33中任意一項(xiàng)所述的方法來生成原子蒸氣和/或捕獲原子。
37.一種光學(xué)時(shí)鐘，包括權(quán)利要求35或36所述的裝置。