技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明公開了一種適用于集成電路中的防漏電MOS開關(guān)結(jié)構(gòu)，包括1個PMOS管MP1、2個NMOS管MN4、MN5和1個單端輸出的運(yùn)算放大器AMP1；即在串聯(lián)NMOS開關(guān)的基礎(chǔ)上，增加了運(yùn)算放大器AMP1實(shí)現(xiàn)對NMOS開關(guān)的源漏電壓跟隨控制。運(yùn)算放大器AMP1在NMOS開關(guān)關(guān)斷時接入電路，保證NMOS開關(guān)管在關(guān)斷狀態(tài)時仍能維持源漏電壓相等，防止NMOS開關(guān)產(chǎn)生漏電電流；運(yùn)算放大器在NMOS開關(guān)導(dǎo)通時從電路中斷開，不會對開關(guān)性能產(chǎn)生影響。使用的運(yùn)算放大器采用簡單五管運(yùn)放結(jié)構(gòu)實(shí)現(xiàn)，結(jié)構(gòu)簡單，占用面積和功耗很小。通過本發(fā)明提出的開關(guān)結(jié)構(gòu)，能夠顯著減小由于MOS開關(guān)漏電電流導(dǎo)致的節(jié)點(diǎn)電壓變化，實(shí)現(xiàn)對關(guān)鍵節(jié)點(diǎn)的有效保護(hù)。

技術(shù)研發(fā)人員：趙毅強(qiáng);趙公元;葉茂;辛睿山;胡凱
受保護(hù)的技術(shù)使用者：天津大學(xué)
文檔號碼：201610825179
技術(shù)研發(fā)日：2016.09.16
技術(shù)公布日：2017.02.15