1.一種半導(dǎo)體器件，其特征在于，包括：襯底、設(shè)置在所述襯底上的多個(gè)存儲(chǔ)單元，所述存儲(chǔ)單元包括沿平行于所述襯底的第一方向排列的晶體管和電容；
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，所述第一電容電極包括互相連接的主體部分以及夾持部，所述夾持部設(shè)置在所述主體部分靠近所述第一電極的一側(cè)，所述夾持部中設(shè)置有夾持槽，所述夾持槽的開(kāi)口朝向所述第一電極設(shè)置，至少部分所述第一電極設(shè)置在所述夾持槽內(nèi)，所述夾持部與所述第一電極在所述第一方向上具有交疊。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，所述夾持部包括兩個(gè)夾持壁，所述兩個(gè)夾持壁平行于襯底，并設(shè)置在至少部分所述第一電極在垂直于所述襯底方向上的相對(duì)兩側(cè)。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，所述主體部分和所述夾持部為一體成型結(jié)構(gòu)，且包括同一種導(dǎo)電材料。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，所述主體部分和所述夾持部的材料均包括氮化鈦。
6.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，所述主體部分在垂直于所述襯底方向的截面呈u形，所述主體部分包括頂壁、底壁，以及將所述頂壁和所述底壁連接的側(cè)壁，所述頂壁和所述底壁相對(duì)設(shè)置，且均平行于所述襯底，所述側(cè)壁垂直于所述襯底，所述側(cè)壁與所述夾持部連接，并與所述夾持部形成所述夾持槽。
7.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，還包括絕緣層，所述絕緣層位于所述第一電容電極在垂直于所述襯底方向上的至少一側(cè)，所述絕緣層與所述夾持部在所述襯底上的正投影交疊。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，所述絕緣層與至少部分所述主體部分在所述襯底上的正投影交疊。
9.根據(jù)權(quán)利要求1至8任一所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，所述第一電容電極在垂直于所述襯底方向上的截面呈h形。
10.根據(jù)權(quán)利要求1至8任一所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，所述第一電極的第一表面上設(shè)置有隔離層，所述第一表面靠近所述第一電容電極的部分沒(méi)有設(shè)置隔離層，至少部分所述第一電容電極設(shè)置在該部分第一表面上。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，所述隔離層與所述第一電極和所述第一電容電極接觸。
12.根據(jù)權(quán)利要求10所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，所述隔離層與所述第一電容電極的材料不同。
13.根據(jù)權(quán)利要求1至8任一所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，還包括垂直于所述襯底的孔洞，所述第一電極的一部分設(shè)置在所述孔洞中，所述第一電容電極、所述電容介電層和所述第二電容電極依次設(shè)置在所述孔洞中的第一電極的表面上以及所述孔洞的側(cè)壁上。
14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，所述第一電容電極、所述電容介電層和所述第二電容電極均為薄膜，所述電容還包括導(dǎo)電填充層，所述導(dǎo)電填充層填充所述孔洞，所述導(dǎo)電填充層與所述第二電容電極連接。
15.根據(jù)權(quán)利要求1至8任一所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，還包括位線(xiàn)，所述位線(xiàn)平行于所述襯底，所述位線(xiàn)與所述第二電極連接。
16.根據(jù)權(quán)利要求1至8任一所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，還包括字線(xiàn)，所述字線(xiàn)垂直于所述襯底，所述字線(xiàn)與所述柵極連接。
17.一種半導(dǎo)體器件的制造方法，其特征在于，包括：
18.根據(jù)權(quán)利要求17所述的半導(dǎo)體器件的制造方法，其特征在于，在所述絕緣層所在位置的孔洞部分在第一方向上的尺寸，小于在所述第一電極所在位置的孔洞部分在第一方向上的尺寸。
19.根據(jù)權(quán)利要求18所述的半導(dǎo)體器件的制造方法，其特征在于，在暴露的所述第一電極以及所述孔洞的側(cè)壁上依次形成第一電容電極、電容介電層和第二電容電極包括：
20.根據(jù)權(quán)利要求19所述的半導(dǎo)體器件的制造方法，其特征在于，沿平行于襯底的方向，刻蝕去除部分所述絕緣層包括：沿所述第一方向刻蝕去除部分所述絕緣層，所述絕緣層被刻蝕的距離小于所述第一電容電極在第一方向上的長(zhǎng)度。
21.一種電子設(shè)備，其特征在于，包括如權(quán)利要求1至16任一所述的半導(dǎo)體器件。