本公開(kāi)的一些實(shí)施例的方面涉及一種顯示裝置和制造顯示裝置的方法。

背景技術(shù)：

1、近年來(lái)，隨著對(duì)信息顯示的興趣增加，顯示裝置的研究和開(kāi)發(fā)已經(jīng)在不斷進(jìn)行。

2、顯示裝置可以包括子像素，每個(gè)子像素包括有機(jī)發(fā)光二極管（oled）。oled是有源發(fā)光顯示元件，可以具有相對(duì)寬的視角且可以具有相對(duì)好的對(duì)比度，可以能夠以相對(duì)低的電壓驅(qū)動(dòng)，可以相對(duì)輕且薄，并且可以具有相對(duì)高的響應(yīng)速度。

3、oled可以包括空穴傳輸部、電子傳輸部和在空穴傳輸部與電子傳輸部之間的發(fā)光層。從空穴傳輸部提供的空穴和從電子傳輸部提供的電子可以在發(fā)光層中復(fù)合從而產(chǎn)生激子。當(dāng)所產(chǎn)生的激子從激發(fā)態(tài)變?yōu)榛鶓B(tài)時(shí)，會(huì)產(chǎn)生光。

4、為了發(fā)射光，oled可以包括被構(gòu)造為提供電子的陰極電極。陰極電極可以被構(gòu)造為不同子像素中的每個(gè)的共電極。為了使陰極電極供應(yīng)適于每個(gè)oled的陰極信號(hào)，必須在形成子像素的整個(gè)區(qū)域中使陰極電極適當(dāng)?shù)貓D案化。

5、該背景技術(shù)部分中公開(kāi)的上述信息僅用于增強(qiáng)對(duì)背景技術(shù)的理解，因此該背景技術(shù)部分中討論的信息不必構(gòu)成現(xiàn)有技術(shù)。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、一些實(shí)施例的方面包括一種可以提供詳細(xì)的陰極電極結(jié)構(gòu)從而降低諸如電壓降的風(fēng)險(xiǎn)的顯示裝置和制造顯示裝置的方法。

2、一些實(shí)施例的方面還包括一種可以改善工藝便利性的顯示裝置和制造顯示裝置的方法。

3、一些實(shí)施例的方面還包括一種可以降低由泄漏電流等導(dǎo)致的風(fēng)險(xiǎn)從而相對(duì)改善顯示質(zhì)量的顯示裝置和制造顯示裝置的方法。

4、根據(jù)本公開(kāi)的一些實(shí)施例，一種顯示裝置包括：像素電路層，在基底上包括像素電路；以及發(fā)光元件層，在像素電路層上，其中，發(fā)光元件層包括：陽(yáng)極電極；像素限定層，覆蓋陽(yáng)極電極的至少一部分，像素限定層形成暴露陽(yáng)極電極的至少一部分的像素限定開(kāi)口；發(fā)光結(jié)構(gòu)，電連接到陽(yáng)極電極；以及陰極電極，電連接到發(fā)光結(jié)構(gòu)，其中，像素限定層包括具有倒圓拐角的倒圓上表面，倒圓上表面包括面向像素限定開(kāi)口的傾斜側(cè)表面，并且其中，傾斜側(cè)表面與陽(yáng)極電極的頂表面之間的角度在15度至45度的范圍內(nèi)。

5、根據(jù)一些實(shí)施例，顯示裝置還可以包括在像素電路層上的平坦化層。根據(jù)一些實(shí)施例，像素限定層可以連續(xù)地在平坦化層和陽(yáng)極電極上。根據(jù)一些實(shí)施例，倒圓上表面可以被限定在像素限定層的覆蓋陽(yáng)極電極的部分處。

6、根據(jù)一些實(shí)施例，倒圓上表面可以在平面圖中與陽(yáng)極電極的邊緣疊置，并且可以接觸發(fā)光結(jié)構(gòu)。

7、根據(jù)一些實(shí)施例，像素限定層可以包括底切結(jié)構(gòu)。

8、根據(jù)一些實(shí)施例，顯示裝置還可以包括：下覆蓋層，在陽(yáng)極電極與像素限定層之間；以及腔室，與下覆蓋層相鄰，腔室被像素限定層、發(fā)光結(jié)構(gòu)和陽(yáng)極電極圍繞。

9、根據(jù)一些實(shí)施例，下覆蓋層可以包括金屬材料。根據(jù)一些實(shí)施例，腔室可以與發(fā)光結(jié)構(gòu)直接相鄰。

10、根據(jù)一些實(shí)施例，基底可以包括硅晶圓基底。根據(jù)一些實(shí)施例，發(fā)光結(jié)構(gòu)可以包括與陽(yáng)極電極相鄰的空穴傳輸部、在空穴傳輸部上的發(fā)光層、以及在發(fā)光層上并與陰極電極相鄰的電子傳輸部。

11、根據(jù)一些實(shí)施例，陽(yáng)極電極可以包括包含鈦的第一陽(yáng)極電極層、包含鋁的第二陽(yáng)極電極層和包含氮化鈦的第三陽(yáng)極電極層。

12、根據(jù)本公開(kāi)的一些實(shí)施例，在一種制造顯示裝置的方法中，所述方法包括：在基底上形成像素電路層；在像素電路層上使陽(yáng)極電極圖案化；在陽(yáng)極電極之上形成基體像素限定層；在基體像素限定層上形成犧牲層；通過(guò)去除犧牲層的至少一部分來(lái)形成犧牲層開(kāi)口；通過(guò)去除犧牲層的至少一部分來(lái)制造預(yù)蝕刻犧牲層；通過(guò)去除基體像素限定層的至少一部分來(lái)形成像素限定凹槽；以及通過(guò)去除基體像素限定層的包括像素限定凹槽的部分來(lái)使像素限定層圖案化，像素限定層包括暴露陽(yáng)極電極的像素限定開(kāi)口。

13、根據(jù)一些實(shí)施例，所述方法還可以包括在犧牲層上形成光致抗蝕劑層，光致抗蝕劑層形成暴露犧牲層的至少一部分的光致抗蝕劑開(kāi)口。根據(jù)一些實(shí)施例，光致抗蝕劑開(kāi)口的位置可以與犧牲層開(kāi)口的位置對(duì)應(yīng)。

14、根據(jù)一些實(shí)施例，形成預(yù)蝕刻犧牲層的步驟可以包括對(duì)犧牲層執(zhí)行回蝕工藝。根據(jù)一些實(shí)施例，預(yù)蝕刻犧牲層可以具有比犧牲層的厚度薄的厚度。

15、根據(jù)一些實(shí)施例，犧牲層和基體像素限定層可以包括不同的材料。

16、根據(jù)一些實(shí)施例，犧牲層可以包括氧化硅（siox）。根據(jù)一些實(shí)施例，基體像素限定層可以包括包含氮化硅（sinx）的層。

17、根據(jù)一些實(shí)施例，在形成像素限定凹槽的步驟中，可以減小預(yù)蝕刻犧牲層的厚度。

18、根據(jù)一些實(shí)施例，像素限定凹槽的位置可以與像素限定開(kāi)口的位置對(duì)應(yīng)。

19、根據(jù)一些實(shí)施例，所述方法還可以包括在形成像素限定凹槽的步驟之后去除預(yù)蝕刻犧牲層。

20、根據(jù)一些實(shí)施例，像素限定層可以包括倒圓上表面。根據(jù)一些實(shí)施例，在使像素限定層圖案化的步驟中，可以制造像素限定層的倒圓上表面。

21、根據(jù)一些實(shí)施例，所述方法還可以包括在陽(yáng)極電極上形成包括金屬材料的犧牲保護(hù)層。根據(jù)一些實(shí)施例，形成基體像素限定層的步驟可以包括通過(guò)基體像素限定層整個(gè)地覆蓋犧牲保護(hù)層的頂表面。

22、根據(jù)一些實(shí)施例，使像素限定層圖案化的步驟可以包括：去除犧牲保護(hù)層的至少一部分；以及暴露陽(yáng)極電極的至少一部分。

23、根據(jù)一些實(shí)施例，使像素限定層圖案化的步驟可以包括通過(guò)像素限定層形成底切結(jié)構(gòu)。

技術(shù)特征：

1.一種顯示裝置，所述顯示裝置包括：

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示裝置，所述顯示裝置還包括在所述像素電路層上的平坦化層，

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示裝置，其中，所述倒圓上表面在平面圖中與所述陽(yáng)極電極的邊緣疊置，并且接觸所述發(fā)光結(jié)構(gòu)。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示裝置，其中，所述像素限定層包括底切結(jié)構(gòu)，

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示裝置，其中，所述基底包括硅晶圓基底，并且

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示裝置，其中，所述陽(yáng)極電極包括包含鈦的第一陽(yáng)極電極層、包含鋁的第二陽(yáng)極電極層和包含氮化鈦的第三陽(yáng)極電極層。

7.一種制造顯示裝置的方法，所述方法包括：

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法，所述方法還包括在所述犧牲層上形成光致抗蝕劑層，所述光致抗蝕劑層形成暴露所述犧牲層的至少一部分的光致抗蝕劑開(kāi)口，

9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法，其中，形成所述預(yù)蝕刻犧牲層的步驟包括對(duì)所述犧牲層執(zhí)行回蝕工藝，并且

10.根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法，其中，所述犧牲層和所述基體像素限定層包括不同的材料，

11.根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法，其中，在形成所述像素限定凹槽的步驟中，減小所述預(yù)蝕刻犧牲層的厚度，并且

12.根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法，所述方法還包括在形成所述像素限定凹槽的步驟之后去除所述預(yù)蝕刻犧牲層。

13.根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法，其中，所述像素限定層包括倒圓上表面，并且

14.根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法，所述方法還包括在所述陽(yáng)極電極上形成包括金屬材料的犧牲保護(hù)層，

15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的方法，其中，使所述像素限定層圖案化的步驟包括通過(guò)所述像素限定層形成底切結(jié)構(gòu)。

技術(shù)總結(jié)
提供了一種顯示裝置和制造顯示裝置的方法。所述顯示裝置包括：像素電路層，在基底上包括像素電路；以及發(fā)光元件層，在像素電路層上，其中，發(fā)光元件層包括：陽(yáng)極電極；像素限定層，覆蓋陽(yáng)極電極的至少一部分，像素限定層形成暴露陽(yáng)極電極的至少一部分的像素限定開(kāi)口；發(fā)光結(jié)構(gòu)，電連接到陽(yáng)極電極；以及陰極電極，電連接到發(fā)光結(jié)構(gòu)，其中，像素限定層包括具有倒圓拐角的倒圓上表面，倒圓上表面包括面向像素限定開(kāi)口的傾斜側(cè)表面，并且其中，傾斜側(cè)表面與陽(yáng)極電極的頂表面之間的角度在15度至45度的范圍內(nèi)。

技術(shù)研發(fā)人員：李在彬,崔禮煥,尹柱元
受保護(hù)的技術(shù)使用者：三星顯示有限公司
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2025/5/19