本發(fā)明構(gòu)思涉及半導(dǎo)體器件以及制造該半導(dǎo)體器件的方法，更具體地，涉及包括溝道結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體器件以及制造該半導(dǎo)體器件的方法。

背景技術(shù)：

1、由于電子技術(shù)的發(fā)展，半導(dǎo)體器件的按比例縮小正快速發(fā)生，因此，已經(jīng)提出具有使用氧化物半導(dǎo)體材料的溝道層的晶體管，以減少通過溝道區(qū)域的泄漏電流。

2、由于在形成垂直溝道晶體管（vct）結(jié)構(gòu)的工藝中對柵極絕緣層的損壞，在接觸層、柵極絕緣層和字線之間的時間相關(guān)電介質(zhì)擊穿（tddb）可靠性減弱。

技術(shù)實現(xiàn)思路

1、本發(fā)明構(gòu)思的一方面提供了一種半導(dǎo)體器件，其包括布置為在水平方向上與接觸層和柵極絕緣層重疊的輔助絕緣圖案。

2、根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的一方面，提供一種半導(dǎo)體器件，該半導(dǎo)體器件包括：基板；位線，在基板上在第一水平方向上延伸；在位線上的第一模層，其中第一模層包括暴露位線的上表面的一部分的模開口部分并在與第一水平方向交叉的第二水平方向上延伸；布置在位線上的溝道層；字線，布置在模開口部分內(nèi)并在第二水平方向上延伸；柵極絕緣層，布置在字線和溝道層之間；在第一模層上的電容器結(jié)構(gòu)；接觸層，在溝道層和電容器結(jié)構(gòu)之間；以及輔助絕緣圖案，布置為在第一水平方向上與接觸層和柵極絕緣層重疊并在第二水平方向上在字線上延伸。

3、根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的另一方面，提供一種半導(dǎo)體器件，該半導(dǎo)體器件包括：基板；位線，在基板上在第一水平方向上延伸；在位線上的第一模層，其中第一模層包括暴露位線的上表面的一部分的模開口部分并在與第一水平方向交叉的第二水平方向上延伸；布置在位線上的溝道層；字線，布置在模開口部分內(nèi)并在第二水平方向上延伸；柵極絕緣層，布置在字線和溝道層之間；在第一模層上的電容器結(jié)構(gòu)；接觸層，在溝道層和電容器結(jié)構(gòu)之間；以及輔助絕緣圖案，布置在字線和柵極絕緣層之間以在第二水平方向上延伸并在第一水平方向上與接觸層和柵極絕緣層重疊，其中字線包括布置在柵極絕緣層的側(cè)壁上的第一字線以及布置在第一字線上并在垂直方向上比第一字線長的第二字線。

4、根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的另一方面，提供一種半導(dǎo)體器件，該半導(dǎo)體器件包括：基板；位線，在基板上在第一水平方向上延伸；在位線上的第一模層，其中第一模層包括暴露位線的上表面的一部分的模開口部分并在與第一水平方向交叉的第二水平方向上延伸；布置在位線上的溝道層；字線，布置在模開口部分內(nèi)并在第二水平方向上延伸，其中字線包括布置在溝道層上的第一字線和布置在第一字線上并在垂直方向上比第一字線長的第二字線；柵極絕緣層，布置在字線和溝道層之間；在第一模層上的電容器結(jié)構(gòu)；接觸層，在溝道層和電容器結(jié)構(gòu)之間；以及輔助絕緣圖案，在字線和柵極絕緣層之間以在第二水平方向上延伸，其中輔助絕緣圖案布置為在第一水平方向上與接觸層和柵極絕緣層重疊并且接觸第一字線的上表面和第二字線的側(cè)壁的一部分。

技術(shù)特征：

1.一種半導(dǎo)體器件，包括：

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其中所述字線包括：

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體器件，其中所述第一字線的上表面的垂直水平與所述溝道層的上表面的垂直水平相同，以及

4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體器件，其中所述第一字線和所述第二字線包括相同的材料。

5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體器件，其中所述輔助絕緣圖案布置為在垂直方向上與所述第一字線重疊。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體器件，其中所述輔助絕緣圖案的下表面的垂直水平至少處于所述溝道層的上表面的垂直水平處。

7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體器件，其中所述輔助絕緣圖案的上表面的垂直水平等于或高于所述柵極絕緣層的上表面的垂直水平。

8.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體器件，其中所述輔助絕緣圖案的下表面在所述第一水平方向上的寬度等于所述第一字線的上表面在所述第一水平方向上的寬度。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體器件，其中所述輔助絕緣圖案在所述第一水平方向上的寬度在垂直方向上在從所述第一字線后退的方向上減小。

10.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體器件，其中所述輔助絕緣圖案包括與所述第二字線的側(cè)壁接觸的第一側(cè)表面，其中所述第一側(cè)表面包括彎曲表面。

11.一種半導(dǎo)體器件，包括：

12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的半導(dǎo)體器件，其中所述輔助絕緣圖案布置為接觸所述第一字線的上表面和所述第二字線的側(cè)壁的一部分。

13.根據(jù)權(quán)利要求11所述的半導(dǎo)體器件，其中所述輔助絕緣圖案包括硅氮化物或高k電介質(zhì)材料。

14.根據(jù)權(quán)利要求11所述的半導(dǎo)體器件，其中所述第一字線和所述第二字線包括相同的材料。

15.根據(jù)權(quán)利要求11所述的半導(dǎo)體器件，其中所述第一字線的上表面的垂直水平等于所述溝道層的上表面的垂直水平。

16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的半導(dǎo)體器件，其中所述第二字線的上表面的垂直水平不高于所述柵極絕緣層的上表面的垂直水平，并且至少處于所述溝道層的所述上表面的所述垂直水平處。

17.根據(jù)權(quán)利要求11所述的半導(dǎo)體器件，其中所述溝道層包括一個或更多個氧化物半導(dǎo)體材料層。

18.一種半導(dǎo)體器件，包括：

19.根據(jù)權(quán)利要求18所述的半導(dǎo)體器件，其中所述輔助絕緣圖案的下表面在所述第一水平方向上的寬度等于所述第一字線的上表面在所述第一水平方向上的寬度。

20.根據(jù)權(quán)利要求18所述的半導(dǎo)體器件，其中所述輔助絕緣圖案的下表面的垂直水平至少處于所述溝道層的上表面的垂直水平處，以及

技術(shù)總結(jié)
一種半導(dǎo)體器件包括：基板；位線，在基板上在第一水平方向上延伸；在位線上的第一模層，其中第一模層包括暴露位線的上表面的一部分的模開口部分并在第二水平方向上延伸；布置在位線上的溝道層；字線，布置在模開口部分內(nèi)并在第二水平方向上延伸；柵極絕緣層，布置在字線和溝道層之間；在第一模層上的電容器結(jié)構(gòu)；接觸層，在溝道層和電容器結(jié)構(gòu)之間；以及輔助絕緣圖案，布置為在第一水平方向上與接觸層和柵極絕緣層重疊并在第二水平方向上在字線上延伸。

技術(shù)研發(fā)人員：樸晟浚,寺井真之
受保護(hù)的技術(shù)使用者：三星電子株式會社
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2025/5/19