本發(fā)明涉及半導(dǎo)體相關(guān)，特別涉及一種發(fā)光二極管及發(fā)光裝置。

背景技術(shù)：

1、發(fā)光二極管由于具有發(fā)光效率高、壽命長、環(huán)保等優(yōu)點(diǎn)，已經(jīng)廣泛應(yīng)用在固態(tài)照明、顯示、移動(dòng)照明等領(lǐng)域。

2、倒裝發(fā)光二極管由于其免打線、無電極遮光、優(yōu)良的散熱等優(yōu)點(diǎn)，是進(jìn)一步提高發(fā)光二極管發(fā)光效率的有效技術(shù)手段，在紅光的發(fā)光二極管中，通常將生長后的外延轉(zhuǎn)移到透明襯底上，并在襯底與外延中加入鍵合層，為了進(jìn)一步的實(shí)現(xiàn)更好的出光，越來越多的產(chǎn)品選擇將襯底圖案化（pss），以進(jìn)一步的使光從背面襯底出射。

3、由于紅光的發(fā)光二極管通常設(shè)置較厚的p型層來提升esd通過性，所以從電極背面方向（通常為襯底側(cè)）觀測電極時(shí)，由于較厚的p型層，有時(shí)會(huì)難以分辨正負(fù)電極，為了更好的出光，紅光發(fā)光二極管有時(shí)將襯底設(shè)置為pss圖案化襯底。雖然圖案化的襯底以及鍵合層有利于光從襯底出射，但從背面觀測時(shí)，由于圖案化的襯底透光性差，區(qū)分發(fā)光二極管正負(fù)極的難度將更大，在固晶的過程中會(huì)增加難度，或需要額外的步驟來識(shí)別正負(fù)電極的位置，增加工藝成本。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、本發(fā)明提供一種發(fā)光二極管及發(fā)光裝置，以解決上述的至少一個(gè)問題。

2、一方面，本發(fā)明提供一種發(fā)光二極管，包括：

3、外延結(jié)構(gòu)，外延結(jié)構(gòu)包括第一半導(dǎo)體層，第二半導(dǎo)體層，有源層，有源層位于第一半導(dǎo)體層與第二半導(dǎo)體層中間，第一半導(dǎo)體層遠(yuǎn)離有源層一側(cè)的表面為第一臺(tái)面，第二半導(dǎo)體層的上表面被有源層部分覆蓋，其上表面未被有源層覆蓋的部分為第二臺(tái)面。

4、第一電極，設(shè)置于第一臺(tái)面，第二電極，設(shè)置于第二臺(tái)面；

5、其中，第二臺(tái)面靠近第一電極處的短邊邊緣為第一邊緣，第二臺(tái)面靠近第二電極處的短邊邊緣為第二邊緣，第二邊緣處設(shè)置若干移除區(qū)，移除區(qū)由第二邊緣處向第一臺(tái)面的方向延伸，移除區(qū)的深度h1不小于0.5μm，深度方向?yàn)榈谝话雽?dǎo)體層指向第二半導(dǎo)體層的方向。

6、另一方面，本發(fā)明提供一種發(fā)光裝置，包括上述的發(fā)光二極管。

7、本發(fā)明提供的發(fā)光二極管具有靠近第一電極的第一邊緣和靠近第二電極的第二邊緣，通過在第二邊緣處設(shè)置若干移除區(qū)的方式，可以使第二邊緣具有易于識(shí)別的形貌，因此，從背面觀測時(shí)，可以通過特殊形貌有效的區(qū)分第二電極，從而方便固晶過程。

8、本發(fā)明提供的發(fā)光裝置具有上述的發(fā)光二極管，因此也具有上述優(yōu)點(diǎn)。

技術(shù)特征：

1.一種發(fā)光二極管，其特征在于：

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種發(fā)光二極管，其特征在于,所述第二半導(dǎo)體層具有一厚度h2，移除區(qū)的深度h1與該厚度h2的比值h1/h2?≥?1/3。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種發(fā)光二極管，其特征在于,沿著第二邊緣的方向?yàn)閤方向，所述移除區(qū)在第二邊緣處具有一x方向上的寬度d，d≥2μm，且小于第二邊緣的寬度。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種發(fā)光二極管，其特征在于,垂直于第二邊緣的方向?yàn)閥方向，所述移除區(qū)具有一y方向上的最大長度l，l≥2μm。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的一種發(fā)光二極管，其特征在于,所述第一臺(tái)面與所述移除區(qū)具有一最短垂線距離d，2μm≤d≤15μm。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種發(fā)光二極管，其特征在于,所述第二邊緣處具有多個(gè)相同形貌的移除區(qū)。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的一種發(fā)光二極管，其特征在于，所述多個(gè)相同形貌的移除區(qū)按照相同的間隔w排列。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的一種發(fā)光二極管，其特征在于，所述相同形貌的移除區(qū)按照相同的間隔w排列，w的范圍為0—30μm。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種發(fā)光二極管，其特征在于，所述發(fā)光二極管還包括襯底，所述襯底為圖案化的藍(lán)寶石襯底。

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的一種發(fā)光二極管，其特征在于，所述發(fā)光二極管還包括鍵合層，鍵合層設(shè)置于襯底上，所述鍵合層為氧化物鍵合層。

11.一種發(fā)光裝置，其特征在于，包括上述1-10項(xiàng)任一項(xiàng)所述的發(fā)光二極管。

技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明提供一種發(fā)光二極管及發(fā)光裝置，發(fā)光二極管包括：外延結(jié)構(gòu)，外延結(jié)構(gòu)包括第一半導(dǎo)體層，第二半導(dǎo)體層，有源層，第一半導(dǎo)體層遠(yuǎn)離有源層一側(cè)的表面為第一臺(tái)面，第二半導(dǎo)體層的上表面被有源層部分覆蓋，其上表面未被有源層覆蓋的部分為第二臺(tái)面。第一電極，設(shè)置于第一臺(tái)面，第二電極，設(shè)置于第二臺(tái)面；其中，第二臺(tái)面靠近第一電極處的短邊邊緣為第一邊緣，第二臺(tái)面靠近第二電極處的短邊邊緣為第二邊緣，第二邊緣處設(shè)置若干移除區(qū)，移除區(qū)的深度H1不小于0.5μm。本發(fā)明通過在第二邊緣處設(shè)置若干移除區(qū)的方式，可以使第二邊緣具有易于識(shí)別的形貌，因此，從背面觀測時(shí)，可以通過特殊形貌有效的區(qū)分第二電極，從而方便固晶過程。

技術(shù)研發(fā)人員：胡鵬杰,柯韋帆,劉勝男,劉佳玉,徐長江,侯文英,洪正道,管禹童
受保護(hù)的技術(shù)使用者：泉州三安半導(dǎo)體科技有限公司
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2025/5/15