本技術(shù)涉及電磁屏蔽，尤其涉及一種屏蔽架拐角折彎結(jié)構(gòu)。

背景技術(shù)：

1、電子設(shè)備中，電路板上的一些電子元器件在工作時(shí)會(huì)發(fā)出高頻電磁波，該高頻電磁波會(huì)對(duì)電路板的其他電子元器件的正常工作造成一定干擾，為了避免或降低高頻電磁波對(duì)電子元器件的干擾及輻射，現(xiàn)有技術(shù)中通常采用電磁屏蔽架將電路板上的待屏蔽器件罩設(shè)于其內(nèi)，以實(shí)現(xiàn)電磁屏蔽的目的。

2、現(xiàn)有的屏蔽架通常為矩形框體結(jié)構(gòu)，在加工過(guò)程中，初始狀態(tài)為一板狀結(jié)構(gòu)，需要通過(guò)模具將其加工為四周具有折邊的框形結(jié)構(gòu)，而現(xiàn)有的加工方式通常直接對(duì)板狀結(jié)構(gòu)進(jìn)行拉伸和模具加工，特別在其拐角處，由于結(jié)構(gòu)復(fù)雜，支架拉伸成型對(duì)模具的要求較高，會(huì)導(dǎo)致成增加。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、本實(shí)用新型的主要目的在于提供一種屏蔽架拐角折彎結(jié)構(gòu)，旨在解決現(xiàn)有的屏蔽架結(jié)構(gòu)制造要求高，成本高的問(wèn)題。

2、為實(shí)現(xiàn)上述目的，本實(shí)用新型提出一種屏蔽架拐角折彎結(jié)構(gòu)，包括屏蔽架本體，所述屏蔽架本體呈矩形板狀結(jié)構(gòu)設(shè)置，所述屏蔽架本體的各邊分別設(shè)有向外延伸的折彎部，所述屏蔽架本體的各端角分別設(shè)有向外延伸的拐角部；所述拐角部包括包圍所述屏蔽架本體端角的第一拼接部和第二拼接部，所述第一拼接部和第二拼接部形成一l形結(jié)構(gòu)，所述第一拼接部和第二拼接部的端部分別與其相對(duì)的折彎部的端部拼接。

3、可選地，所述折彎部的端部設(shè)有至少一個(gè)凸起，所述第一拼接部和第二拼接部的端部分別設(shè)有與所述凸起適配拼接的凹槽。

4、可選地，所述凸起和凹槽呈葫蘆狀設(shè)置。

5、可選地，所述屏蔽架本體、折彎部及拐角部設(shè)置為一體成型結(jié)構(gòu)。

6、可選地，所述屏蔽架本體、折彎部及拐角部的厚度相等，且設(shè)置為0.1mm～0.3mm。

7、可選地，所述折彎部、第一拼接部及第二拼接部的寬度相等，且均設(shè)置為1mm～7mm。

8、可選地，所述第一拼接部和第二拼接部的長(zhǎng)度相等，且均設(shè)置為4mm～7mm。

9、可選地，所述屏蔽架本體、折彎部及拐角部設(shè)置為洋白銅或不銹鋼或鋁材質(zhì)制成的一體成型結(jié)構(gòu)。

10、本實(shí)用新型的有益效果在于：改善了現(xiàn)有屏蔽架的結(jié)構(gòu)，將屏蔽架本體各個(gè)邊的折彎部設(shè)置為獨(dú)立的折彎結(jié)構(gòu)，并且在屏蔽架本體的四個(gè)端角位置分別設(shè)置獨(dú)立的拐角部，各個(gè)折彎部和拐角部分別獨(dú)立折彎后，相鄰的拐角部與折彎部之間對(duì)應(yīng)拼接形成完整連續(xù)的框架結(jié)構(gòu)，加工工藝簡(jiǎn)單，折彎方便，成本低。

技術(shù)特征：

1.一種屏蔽架拐角折彎結(jié)構(gòu)，其特征在于，包括屏蔽架本體，所述屏蔽架本體呈矩形板狀結(jié)構(gòu)設(shè)置，所述屏蔽架本體的各邊分別設(shè)有向外延伸的折彎部，所述屏蔽架本體的各端角分別設(shè)有向外延伸的拐角部；所述拐角部包括包圍所述屏蔽架本體端角的第一拼接部和第二拼接部，所述第一拼接部和第二拼接部形成一l形結(jié)構(gòu)，所述第一拼接部和第二拼接部的端部分別與其相對(duì)的折彎部的端部拼接。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的屏蔽架拐角折彎結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述折彎部的端部設(shè)有至少一個(gè)凸起，所述第一拼接部和第二拼接部的端部分別設(shè)有與所述凸起適配拼接的凹槽。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的屏蔽架拐角折彎結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述凸起和凹槽呈葫蘆狀設(shè)置。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的屏蔽架拐角折彎結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述屏蔽架本體、折彎部及拐角部設(shè)置為一體成型結(jié)構(gòu)。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的屏蔽架拐角折彎結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述屏蔽架本體、折彎部及拐角部的厚度相等，且設(shè)置為0.1mm～0.3mm。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的屏蔽架拐角折彎結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述折彎部、第一拼接部及第二拼接部的寬度相等，且均設(shè)置為1mm～7mm。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的屏蔽架拐角折彎結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第一拼接部和第二拼接部的長(zhǎng)度相等，且均設(shè)置為4mm～7mm。

8.根據(jù)權(quán)利要求4所述的屏蔽架拐角折彎結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述屏蔽架本體、折彎部及拐角部設(shè)置為洋白銅或不銹鋼或鋁材質(zhì)制成的一體成型結(jié)構(gòu)。

技術(shù)總結(jié)
本技術(shù)公開(kāi)了一種屏蔽架拐角折彎結(jié)構(gòu)，包括屏蔽架本體，所述屏蔽架本體呈矩形板狀結(jié)構(gòu)設(shè)置，所述屏蔽架本體的各邊分別設(shè)有向外延伸的折彎部，所述屏蔽架本體的各端角分別設(shè)有向外延伸的拐角部；所述拐角部包括包圍所述所述屏蔽架本體端角的第一拼接部和第二拼接部，所述第一拼接部和第二拼接部形成一L形結(jié)構(gòu)，所述第一拼接部和第二拼接部的端部分別與其相對(duì)的折彎部的端部拼接。本技術(shù)解決了現(xiàn)有的屏蔽架結(jié)構(gòu)制造要求高，成本高的問(wèn)題。

技術(shù)研發(fā)人員：周輝
受保護(hù)的技術(shù)使用者：深圳市信維通信股份有限公司
技術(shù)研發(fā)日：20240619
技術(shù)公布日：2025/5/19