本申請(qǐng)涉及光伏電池片，尤其涉及一種背接觸光伏電池片、背接觸光伏電池組件及制備方法。

背景技術(shù)：

1、背接觸光伏電池片是一種正金屬電極與負(fù)金屬電極均設(shè)置于電池片背光側(cè)的電池片，背接觸光伏電池片的受光面（別稱前表面或正面）的面積相對(duì)較大，因此背接觸光伏電池片的光電轉(zhuǎn)換效率相對(duì)較大。由于背接觸光伏電池片的光電轉(zhuǎn)換效率也和少子（電子或空穴）的壽命呈正相關(guān)關(guān)系，而在相關(guān)技術(shù)中背接觸光伏電池片的少子壽命還有待提高。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、有鑒于此，本申請(qǐng)?zhí)峁┮环N背接觸光伏電池片、背接觸光伏電池組件及制備方法，可以提高背接觸光伏電池片的少子壽命，從而可以提高背接觸光伏電池片的光電轉(zhuǎn)換效率。

2、第一方面，本申請(qǐng)?zhí)峁┮环N背接觸光伏電池片的制備方法，該制備方法包括：提供基片，基片包括硅基底，硅基底的背光面設(shè)置有隧穿氧化鈍化接觸結(jié)構(gòu)，其中，隧穿氧化鈍化接觸結(jié)構(gòu)包括摻雜介質(zhì)層?？梢允箵诫s介質(zhì)層的局部被催化摻雜，和/或，也可以使硅基底的受光面被催化摻雜。在催化摻雜之后，形成歐姆接觸于摻雜介質(zhì)層的金屬電極。

3、可選地，摻雜介質(zhì)層包括n型摻雜介質(zhì)層，在催化摻雜n型摻雜介質(zhì)層的局部的過(guò)程中利用含磷化氫的氣體作為摻雜源。

4、可選地，在設(shè)置有隧穿氧化鈍化接觸結(jié)構(gòu)之后和在使摻雜介質(zhì)層的局部被催化摻雜之前，本申請(qǐng)的制備方法還包括去除摻雜介質(zhì)層的硅玻璃層。

5、可選地，在使摻雜介質(zhì)層的局部被催化摻雜之后，本申請(qǐng)的制備方法還包括在摻雜介質(zhì)層形成掩膜層。

6、可選地，在使硅基底的受光面被催化摻雜之前，本申請(qǐng)的制備方法還包括利用堿性制絨液在硅基底的受光面制絨。

7、可選地，在硅基底為n型硅基底的條件下，使硅基底的受光面被催化摻雜的方法包括用含磷化氫的氣體作為摻雜源。

8、可選地，在使摻雜介質(zhì)層的局部被催化摻雜之后，再使硅基底的受光面被催化摻雜，或者，在使硅基底的受光面被催化摻雜之后，再使摻雜介質(zhì)層的局部被催化摻雜，還或者，同時(shí)使摻雜介質(zhì)層的局部被催化摻雜以及使硅基底的受光面被催化摻雜。

9、可選地，催化摻雜的溫度在350℃~500℃范圍內(nèi)。

10、可選地，在催化摻雜之后和在形成金屬電極之前，本申請(qǐng)的制備方法還包括利用原子層沉積工藝雙面沉積氧化鋁鈍化層，以及還包括利用等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積在氧化鋁鈍化層沉積氮化硅鈍化層。

11、根據(jù)上述關(guān)于本申請(qǐng)制備方法的內(nèi)容，所能制備出的背接觸光伏電池片可以具備如下有益效果，背接觸光伏電池片所能產(chǎn)生光生電子和光生空穴的數(shù)量相對(duì)較多，并且背接觸光伏電池片所能產(chǎn)生的少子（光生少子或光生電子）的壽命相對(duì)較高，因此所能制備出的背接觸光伏電池片的光電轉(zhuǎn)換效率相對(duì)較大。

12、第二方面，本申請(qǐng)?zhí)峁┮环N背接觸光伏電池片，背接觸光伏電池片由上文所描述的背接觸光伏電池片的制備方法制備出。根據(jù)上述內(nèi)容可知，本申請(qǐng)的背接觸光伏電池片的光電轉(zhuǎn)換效率相對(duì)較大。

13、第三方面，本申請(qǐng)?zhí)峁┮环N背接觸光伏電池組件，背接觸光伏電池組件包括至少一個(gè)電池串，電池串由上文所描述的背接觸光伏電池片電連接形成。相應(yīng)地，本申請(qǐng)的背接觸光伏電池組件可以具備較大的光電轉(zhuǎn)換效率。

14、應(yīng)當(dāng)理解的是，以上的一般描述和后文的細(xì)節(jié)描述僅是示例性的，并不能限制本申請(qǐng)。

技術(shù)特征：

1.一種背接觸光伏電池片的制備方法，其特征在于，所述制備方法包括：

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的背接觸光伏電池片的制備方法，其特征在于，所述摻雜介質(zhì)層包括n型摻雜介質(zhì)層，在催化摻雜所述n型摻雜介質(zhì)層的局部的過(guò)程中利用含磷化氫的氣體作為摻雜源。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的背接觸光伏電池片的制備方法，其特征在于，在設(shè)置有所述隧穿氧化鈍化接觸結(jié)構(gòu)之后和在催化摻雜所述摻雜介質(zhì)層的局部之前，所述制備方法還包括：

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的背接觸光伏電池片的制備方法，其特征在于，在所述催化摻雜所述摻雜介質(zhì)層的局部之后，所述制備方法還包括：

5.根據(jù)權(quán)利要求1~4中任一項(xiàng)所述的背接觸光伏電池片的制備方法，其特征在于，在所述催化摻雜所述硅基底的受光面之前，所述制備方法還包括：

6.根據(jù)權(quán)利要求1~4中任一項(xiàng)所述的背接觸光伏電池片的制備方法，其特征在于，在所述硅基底為n型硅基底的條件下，所述催化摻雜所述硅基底的受光面的方法包括：

7.根據(jù)權(quán)利要求1~4中任一項(xiàng)所述的背接觸光伏電池片的制備方法，其特征在于，在實(shí)施所述催化摻雜所述摻雜介質(zhì)層的局部之后，再實(shí)施所述催化摻雜所述硅基底的受光面，或者，在實(shí)施所述催化摻雜所述硅基底的受光面之后，再實(shí)施所述催化摻雜所述摻雜介質(zhì)層的局部，還或者，同時(shí)實(shí)施所述催化摻雜所述摻雜介質(zhì)層的局部以及所述催化摻雜所述硅基底的受光面。

8.根據(jù)權(quán)利要求1~4中任一項(xiàng)所述的背接觸光伏電池片的制備方法，其特征在于，所述催化摻雜的溫度在350℃~500℃范圍內(nèi)。

9.根據(jù)權(quán)利要求1~4中任一項(xiàng)所述的背接觸光伏電池片的制備方法，其特征在于，在所述催化摻雜之后和在形成所述金屬電極之前，所述制備方法還包括：

10.一種背接觸光伏電池片，其特征在于，所述背接觸光伏電池片由權(quán)利要求1~9中任一項(xiàng)所述的背接觸光伏電池片的制備方法制備出。

11.一種背接觸光伏電池組件，其特征在于，所述背接觸光伏電池組件包括至少一個(gè)電池串，所述電池串由所述權(quán)利要求10所述的背接觸光伏電池片電連接形成。

技術(shù)總結(jié)
本申請(qǐng)關(guān)于一種背接觸光伏電池片、背接觸光伏電池組件及制備方法，涉及光伏電池片技術(shù)領(lǐng)域。本申請(qǐng)的制備方法包括：提供基片，基片包括硅基底，硅基底的背光面設(shè)置有隧穿氧化鈍化接觸結(jié)構(gòu)，其中，隧穿氧化鈍化接觸結(jié)構(gòu)包括摻雜介質(zhì)層?？梢允箵诫s介質(zhì)層的局部被催化摻雜，和/或，也可以使硅基底的受光面被催化摻雜。在催化摻雜之后，形成歐姆接觸于摻雜介質(zhì)層的金屬電極。根據(jù)本申請(qǐng)制備方法所制備出的背接觸光伏電池片可以具備如下優(yōu)勢(shì)，背接觸光伏電池片所能產(chǎn)生光生電子和光生空穴的數(shù)量相對(duì)較多，并且背接觸光伏電池片所能產(chǎn)生的少子（光生電子或光生空穴）的壽命相對(duì)較高，因此所制備出的背接觸光伏電池片的光電轉(zhuǎn)換效率相對(duì)較大。

技術(shù)研發(fā)人員：王倩,孫玉峰,端偉元,楊潔,張昕宇
受保護(hù)的技術(shù)使用者：浙江晶科能源有限公司
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2025/5/22