體聲波諧振器及包括該體聲波諧振器的濾波器的制造方法【專利摘要】公開了一種體聲波諧振器及包括該體聲波諧振器的濾波器，所述體聲波諧振器包括：基板；氣腔，形成在基板上；諧振部，形成在氣腔上，并包括依次層壓的第一電極、壓電層和第二電極，其中，氣腔的截面具有短邊、與短邊相對的長邊以及使短邊和長邊彼此連接的第一側(cè)邊和第二側(cè)邊，第一側(cè)邊和第二側(cè)邊傾斜，第一電極、壓電層、第二電極或它們的任意組合的表面粗糙度在1nm與100nm之間?！緦＠f明】體聲波諧振器及包括該體聲波諧振器的濾波器[0001]本申請要求分別于2015年4月10日和2015年6月25日提交到韓國知識產(chǎn)權(quán)局的第10-2015-0051129和10-2015-0090654號韓國專利申請的權(quán)益，所述兩個韓國專利申請的全部公開內(nèi)容出于所有目的通過引用包含于此。
技術(shù)領(lǐng)域：
[0002]下面的描述涉及一種體聲波諧振器以及包括該體聲波諧振器的濾波器?！?br>背景技術(shù)：
】[0003]隨著移動通信裝置、化學(xué)裝置以及生物裝置的發(fā)展的快速增長，對于緊湊且輕量的濾波器、振蕩器、諧振元件、聲波諧振質(zhì)量傳感器以及其他元件的需求也提高。[0004]薄膜體聲波諧振器(以下稱為“FBAR”)作為實現(xiàn)緊湊且輕量的濾波器、振蕩器、諧振元件以及聲波諧振質(zhì)量傳感器的裝置在本領(lǐng)域是公知的。FBAR具有的優(yōu)勢在于:其可以以小成本進(jìn)行大量生產(chǎn)，并可實現(xiàn)超小型化。此外，F(xiàn)BAR的優(yōu)勢還在于:其具有高品質(zhì)因數(shù)Q值(濾波器的主要性質(zhì))。此外，F(xiàn)BAR甚至可用在微頻段，并在個人通信系統(tǒng)(PCS，perSonalcommunicat1nssystem)和數(shù)字無線系統(tǒng)(DCS，digitalcordlesssystem)的頻段運(yùn)行。通常，F(xiàn)BAR具有包括通過按順序?qū)訅涸诨迳系牡谝浑姌O、壓電層和第二電極而形成的諧振部的結(jié)構(gòu)。[0005]下面將描述FBAR的工作原理。首先，當(dāng)通過向第一電極和第二電極施加電能而在壓電層中產(chǎn)生電場后，電場使壓電層產(chǎn)生壓電現(xiàn)象，從而使諧振部按照預(yù)定的方向振動。結(jié)果，在與振動部的振動方向相同的方向上產(chǎn)生體聲波，從而產(chǎn)生諧振。【
發(fā)明內(nèi)容】[0006]提供本【
發(fā)明內(nèi)容】以通過簡化形式介紹在下面的【具體實施方式】中進(jìn)一步描述的發(fā)明構(gòu)思的選擇。本【
發(fā)明內(nèi)容】并不意在確定所要求保護(hù)的主題的關(guān)鍵特征或必要特征，也不意在用作幫助確定所要求保護(hù)主題的范圍。[0007]在一個總的方面，提供一種能夠防止在層壓在基板上的膜或?qū)又行纬闪鸭y并引導(dǎo)正常的晶體生長的體聲波諧振器以及包括該體聲波諧振器的濾波器。所述體聲波諧振器包括:基板;氣腔，形成在基板上;諧振部，形成在氣腔上，并包括依次層壓的第一電極、壓電層和第二電極，其中，氣腔的截面具有短邊、與短邊相對的長邊以及使短邊和長邊彼此連接的第一側(cè)邊和第二側(cè)邊，第一側(cè)邊和第二側(cè)邊傾斜，第一電極、壓電層、第二電極或它們的任意組合的表面粗糙度在Inm與IOOnm之間。[0008]在另一總的方面，一種濾波器包括多個體聲波諧振器，其中，多個體聲波諧振器中的每個包括:基板;膜，形成在基板上，用于形成氣腔;諧振部，形成在膜上，包括依次層壓的第一電極、壓電層和第二電極，氣腔的截面包括短邊、與短邊相對的長邊以及使短邊和長邊彼此連接的兩個側(cè)邊，所述兩個側(cè)邊傾斜，并且第一電極、壓電層、第二電極中的至少一個的表面粗糙度在Inm與IOOnm之間。[0009]根據(jù)下面的【具體實施方式】、附圖和權(quán)利要求，其他特征和方面將變得清楚?！靖綀D說明】[0010]圖1是示出體聲波諧振器的示例的截面圖；[0011]圖2是示出體聲波諧振器的另一示例的截面圖；[0012]圖3A和圖3B是圖1的體聲波諧振器的局部放大圖；[0013I圖4A至圖是示出氣腔的形狀的示例的示圖；[0014]圖6和圖7是濾波器的示例的電路原理圖。[0015]在整個附圖和【具體實施方式】中，相同的附圖標(biāo)號指示相同的元件。附圖可不按比例繪制，并且為了清楚、說明及方便起見，可放大附圖中的元件的相對尺寸、比例和描繪?！揪唧w實施方式】[0016]提供下面的【具體實施方式】，以幫助讀者獲得關(guān)于這里所描述的方法、裝置和/或系統(tǒng)的全面的理解。然而，這里所描述的方法、裝置和/或系統(tǒng)的各種改變、修改及等同物將對本領(lǐng)域的技術(shù)人員而言顯而易見。這里所描述的操作的順序僅僅是示例，并不限于這里所闡述的，而是除了必須按照特定順序發(fā)生的操作之外，可作出將對本領(lǐng)域技術(shù)人員而言顯而易見的改變。此外，為了增加清楚性和簡潔性，可省略對于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員而言公知的功能和結(jié)構(gòu)的描述。[0017]這里所描述的特征可以以不同的形式實施，且不應(yīng)被理解為限于這里所描述的示例。更確切的說，已經(jīng)提供了這里所描述的示例使得本公開將是徹底的和完整的，并將把本公開的全部范圍傳達(dá)給本領(lǐng)域的技術(shù)人員。[0018]除非另外指出，否則第一層“在”第二層或基板“上”的表述將被理解為涵蓋第一層直接接觸第二層或基板的情況，以及一層或更多其他層設(shè)置在第一層與第二層或第一層與基板之間的情況。[0019]可使用諸如“在…下面”、“在…下方”、“在…之下”、“下部”、“底部”、“在…之上”、“在…上方”、“上部”、“頂部”、“左”和“右”的描述相對空間關(guān)系的詞語，以方便地描述一個裝置或元件與另外的裝置或元件的空間關(guān)系。這些詞語將被理解為包含裝置在如附圖中所示出的方位以及在使用或操作中的其他方位。例如，包括基于附圖中示出的裝置的方位而設(shè)置在第一元件之上的第二元件的裝置的示例也包括在使用或操作中裝置被向下翻轉(zhuǎn)時的裝置。[0020]參照圖1，體聲波諧振器100為薄膜體聲波諧振器(以下稱為“FBAR”)，并包括:基板110、絕緣層120、氣腔112和諧振部135。[0021]基板110可由典型的硅基板制成，使諧振部135與基板110電絕緣的絕緣層120形成在基板110的上表面上。絕緣層120通過利用化學(xué)氣相沉積方法、RF磁控濺射方法或者蒸發(fā)法將二氧化娃(S12)或氧化鋁(Al2O3)沉積在基板110上而形成。[0022]氣腔112設(shè)置在絕緣層120的上方。氣腔112可大體上具有梯形形狀。氣腔112包括上底邊、下底邊、第一側(cè)邊和第二側(cè)邊。下底邊與上底邊相對且平行，第一側(cè)邊和第二側(cè)邊以預(yù)定角度連接到上底邊和下底邊。這里，下底邊的長度長于上底邊的長度，梯形形狀可相對于上底邊和下底邊的中點(diǎn)而彼此對稱。[0023]還在絕緣層120與氣腔112之間設(shè)置蝕刻停止層125。蝕刻停止層125保護(hù)基板110和絕緣層120免受蝕刻工藝的侵害，并用作用于將其他各層沉積在蝕刻停止層125上所需的基底。[0024]氣腔112沿向前的方向(彼此平行的兩底邊中的長的底邊沿其被設(shè)置為下底邊的方向)設(shè)置。氣腔112設(shè)置在諧振部135的下方，以使諧振部135沿著預(yù)定方向振動。氣腔112可通過如下過程形成:在絕緣層120上形成氣腔犧牲層圖案，然后在氣腔犧牲層圖案上形成膜130，并對氣腔犧牲層圖案進(jìn)行蝕刻并去除。膜130可用作氧化保護(hù)層或用作保護(hù)基板110的保護(hù)層，或者可用作兩者。[0025]此外，參照圖2，氣腔112可沿反向(彼此平行的兩底邊中的長的底邊沿其被設(shè)置為上底邊的方向)設(shè)置。氣腔112通過蝕刻基板110的一部分而嵌入基板110中。由于圖2的體聲波諧振器與圖1的體聲波諧振器類似，因此將省略對其的詳細(xì)描述。[0026]諧振部135包括按順序?qū)訅涸跉馇?12上方的第一電極140、壓電層150和第二電極160。第一電極140形成在膜130的上表面上，并覆蓋膜130的一部分。第一電極140由典型的導(dǎo)電材料(諸如金屬)形成。具體地，第一電極140可由金(Au)、鈦(Ti)、鉭(Ta)、鉬(Mo)!了(Ru)、鉑(Pt)、鎢(W)、鋁(Al)、鎳(Ni)或它們的任意組合而形成。[0027]壓電層150形成在膜130和第一電極140的上表面上，并覆蓋膜130的一部分和第一電極140的一部分。壓電層150通過將電能轉(zhuǎn)化為聲波形式的機(jī)械能來產(chǎn)生壓電效應(yīng)。壓電層150可由氮化鋁(AlN)、氧化鋅(ZnO)、鉛鋯鈦氧化物(PZT，PbZrT1)或它們的任意組合而形成。[0028]第二電極160形成在壓電層150上面。與第一電極140類似，第二電極160可由諸如金(Au)、鈦(Ti)、鉭(Ta)、鉬(Mo)、舒(Ru)、鈾(Pt)、媽(W)、招(Al)、鎳(Ni)或它們的任意組合的導(dǎo)電材料形成。[0029]諧振部135包括有源區(qū)(activereg1n)和非有源區(qū)(non-activereg1n)。當(dāng)將諸如射頻(RF)信號的電能施加到第一電極140和第二電極160時，諧振部135的有源區(qū)由于壓電效應(yīng)沿著預(yù)定方向振動。電能在壓電層150中產(chǎn)生電場。諧振部135的有源區(qū)對應(yīng)于第一電極140、壓電層150和第二電極160沿著豎直方向在氣腔112的上方彼此重疊的區(qū)域。諧振部135的非有源區(qū)是即使將電能施加到第一電極140和第二電極160也不因壓電效應(yīng)發(fā)生諧振的區(qū)域。非有源區(qū)對應(yīng)于第一電極140、壓電層150和第二電極160不重疊的區(qū)域。[0030]具有上述構(gòu)造的諧振部135使用上述壓電層150的壓電效應(yīng)過濾特定頻率的RF信號。諧振部135根據(jù)施加到第一電極140和第二電極160的RF信號使壓電層150諧振，以產(chǎn)生具有特定諧振頻率和反諧振頻率的聲波。當(dāng)施加的RF信號的波長的一半對應(yīng)于壓電層150的厚度時，壓電層150發(fā)生諧振。由于當(dāng)發(fā)生諧振時電阻抗急劇地改變，因此體聲波諧振器可用作能夠選擇頻率的濾波器。具體地講，由于諧振部135根據(jù)發(fā)生在壓電層150中的振動而具有恒定的諧振頻率，因此諧振部135僅輸出在所施加的FR信號中與諧振部135的諧振頻率相匹配的信號。[0031]保護(hù)層170設(shè)置在諧振部135的第二電極160上，以防止第二電極160向外暴露和被氧化，用于施加電信號的電極墊180設(shè)置在暴露于外部的第一電極140和第二電極160上。[0032]圖3A是圖1的區(qū)域X的放大圖，圖3B是圖1的區(qū)域Y的放大圖。[0033]參照圖3A和圖3B，在現(xiàn)有技術(shù)中，由于氣腔112的第一側(cè)邊和第二側(cè)邊的角度使得在氣腔的第一側(cè)邊和第二側(cè)邊的附近會在電極墊180、第一電極140和第二電極160、壓電層150以及膜130中形成裂紋。另外，層壓在氣腔112的側(cè)邊附近的壓電層150的晶體會不正常地生長，從而導(dǎo)致體聲波諧振器的衰減特性的劣化以及插入損耗特性的問題。[0034]體聲波諧振器的插入損耗特性以及衰減特性通過改變氣腔112的截面的斜邊(leg)的形狀以及通過改變上底邊和下底邊中的至少一個與斜邊形成的角度來改善。此外，通過將用于形成氣腔112的氣腔犧牲層圖案的表面粗糙度(Ra)值設(shè)置為Inm與10nm之間來防止形成在氣腔犧牲層圖案上的膜130的裂紋。此外，通過將膜130、第一電極140、壓電層150和第二電極160的表面粗糙度(Ra)值設(shè)置為Inm與10nm之間防止按順序?qū)訅涸趦A斜部分附近的電極或?qū)拥牧鸭y。[0035]參照圖4A至圖5D，氣腔112的截面的側(cè)邊的形狀以及由側(cè)邊與上底邊和下底邊中的至少一個形成的角度進(jìn)行各種改變。[0036]由于氣腔112的梯形形狀相對于上底邊和下底邊的中點(diǎn)彼此對稱，因此圖4A至圖僅示出了第一側(cè)邊和第二側(cè)邊中的一個側(cè)邊。[0037]下面所描述的氣腔112的形狀可應(yīng)用于圖2中所示的體聲波諧振器以及圖1中所示出的體聲波諧振器。在圖1的體聲波諧振器的情況下，在氣腔112的截面中，長邊L可對應(yīng)于下底邊，短邊S可對應(yīng)于上底邊。在圖2的體聲波諧振器的情況下，長邊L可對應(yīng)于上底邊，短邊S可對應(yīng)于下底邊。[0038]以下，為方便解釋，將基于圖1的體聲波諧振器提供描述，其中，氣腔112的長邊L對應(yīng)于下底邊，其短邊S對應(yīng)于上底邊。[0039]氣腔112的截面包括連接長邊L和短邊S的兩個斜邊或側(cè)邊，兩個斜邊中的每個包括至少一個線段。另外，氣腔112的截面包括短邊S和斜邊彼此接觸的第一接觸點(diǎn)，以及長邊L和斜邊彼此接觸的第二接觸點(diǎn)。[0040]圖4A至圖4C是示出與短邊S和斜邊相關(guān)的斜邊的形狀以及第一接觸點(diǎn)的角度的視圖。參照圖4A至圖4C，氣腔112的斜邊由至少一個線段形成。[0041]參照圖4A，氣腔112的斜邊由一個線段形成，短邊S和斜邊之間在第一接觸點(diǎn)處的角度可大于90°且小于180°。[0042]參照圖4B，氣腔112的斜邊具有至少兩個線段，其中，梯形的斜邊大體上呈凸形，即，該斜邊具有凸出部。這里，氣腔112的斜邊由依次連接到短邊S的三條線段A、B和C形成。線段A和線段B之間形成的角度可大于90°且小于180°。[0043]參照圖4C，氣腔112的斜邊具有至少兩個線段，其中，梯形的斜邊大體上呈凹形，即，該斜邊具有凹入部。這里，氣腔112的斜邊由依次連接到短邊S的四條線段A、B、C和D形成。線段A和線段B之間形成的角度可大于90°且小于180°，線段A的延長線和線段C的延長線之間形成的角度可大于90°且小于180°。[0044]此外，氣腔112的由至少兩條線段形成的斜邊也可同時具有凹入部和凸出部。[0045]圖5A至圖f5D是示出與長邊L和斜邊相關(guān)的斜邊的形狀以及第二接觸點(diǎn)的角度的視圖。氣腔112的斜邊由至少一個線段形成。[0046]參照圖5A，氣腔112的斜邊具有至少一個線段，斜邊和長邊L之間在第二接觸點(diǎn)的角度可大于0°且小于或等于70°。[0047]參照圖5B和圖5C，氣腔112的斜邊具有至少兩個線段，其中，梯形的斜邊大體上呈凸形，即，該斜邊具有凸出部。這里，兩條線段A、B依次連接到長邊L。長邊L與線段A之間形成的角度可大于0°且小于或等于70°，優(yōu)選地為10°和50°之間。長邊L的延長線和線段B的延長線之間形成的角度可大于0°且小于或等于70°。[0048]參照圖5D，氣腔112的斜邊具有至少兩個線段，其中，梯形的斜邊大體上呈凹形，即，該斜邊具有凹入部。這里，氣腔112的斜邊由依次連接到長邊L的三條線段A、B和C形成。長邊L和線段A之間形成的角度可大于0°且小于或等于70°。長邊L的延長線和線段B的延長線之間形成的角度可大于0°且小于或等于70°。[0049]此外，氣腔112的由至少兩條線段形成的斜邊也可同時具有凹入部和凸出部。[0050]參考圖6，濾波器1000為梯型濾波器。具體地講，濾波器1000包括多個體聲波諧振器1110和1200。多個體聲波諧振器中的每個對應(yīng)于圖1中示出的體聲波諧振器。[0051]第一體聲波諧振器1100串聯(lián)連接在信號輸入端(輸入信號RFin輸入到信號輸入端)和信號輸出端(輸出信號RFout從信號輸出端輸出)之間，第二體聲波諧振器1200連接在信號輸出端和地之間。[0052]參考圖7，濾波器2000為橋式濾波器。具體地講，濾波器2000包括多個體聲波諧振器2100、2200、2300和2400，以過濾平衡輸入信號RFin+和RFin-并輸出平衡輸出信號RFout+和RFout-。[0053]通過調(diào)整氣腔112的斜邊的傾斜形狀及角度，減少了層壓在氣腔112的側(cè)部的層或膜中形成的裂紋，并防止晶體沿非期望的方向生長。從而，可改善體聲波諧振器的插入損耗特性和衰減特性。[0054]如上所述，體聲波諧振器及包括該體聲波諧振器的濾波器防止在層壓在基板上的膜或?qū)又行纬闪鸭y并引導(dǎo)正常的晶體生長。[0055]僅作為非詳盡的示例，在此描述的終端/裝置/單元可以是諸如蜂窩電話、智能電話、可佩戴智能裝置(諸如，戒指、手表、眼鏡、手鐲、腳鏈、腰帶、項鏈、耳環(huán)、頭帶、頭盔、嵌入服飾中的裝置)、便攜式個人計算機(jī)(PC)(諸如，膝上筆記本、筆記本、小型筆記本、上網(wǎng)本或超移動PC(UMPC)、平板PC(tablet)、平板手機(jī))、個人數(shù)字助理(PDA)、數(shù)字相機(jī)、便攜式游戲控制器、MP3播放器、便攜式/個人多媒體播放器器(PMP)、掌上電子書、全球定位系統(tǒng)(GPS)導(dǎo)航裝置或傳感器的移動裝置，或者可以是諸如臺式PC、高清電視(HDTV)、DVD播放器、藍(lán)光播放器、機(jī)頂盒、或家用電器的固定裝置，或者可以是能夠進(jìn)行無線或網(wǎng)絡(luò)通信的任何其它移動或固定的裝置。在一個示例中，可佩戴裝置是被設(shè)計為可直接安裝在用戶身體上裝置(例如，一副眼鏡或手鐲)。在另一示例中，可佩戴裝置是使用附著設(shè)備安裝在用戶身體上的任何裝置(例如，使用臂帶附著到用戶的手臂或使用掛繩掛繞在用戶的頸部的智能電話或平板手機(jī))。[0056]雖然本公開包括了具體的示例，但是，對于本領(lǐng)域技術(shù)人員顯而易見的是，在不脫離權(quán)利要求及其等同物的范圍和精神的情況下，可對這些示例做出形式和細(xì)節(jié)上的各種改變。這里所描述的示例僅僅將被理解為描述性的含義，并非用于限制的目的。每個示例中的方面或特征的描述將被理解為適用于其他示例中的方面和特征。如果以不同的順序執(zhí)行所描述的技術(shù)，和/或以不同的方式組合所描述的系統(tǒng)、架構(gòu)、裝置或者電路中的元件，和/或由其他元件或者其等同物替換或補(bǔ)充，則可獲得合適的結(jié)果。因此，本公開的范圍不由詳細(xì)描述所限定，而是由權(quán)利要求及其等同物所限定，并且權(quán)利要求及其等同物范圍內(nèi)的所有改變將解釋為包含在本公開內(nèi)?！局鳈?quán)項】1.一種體聲波諧振器，包括:基板；氣腔，形成在基板上；諧振部，形成在氣腔上，并包括依次層壓的第一電極、壓電層和第二電極，其中，氣腔的截面具有短邊、與短邊相對的長邊以及使短邊和長邊彼此連接的第一側(cè)邊和第二側(cè)邊，第一側(cè)邊和第二側(cè)邊傾斜，第一電極、壓電層、第二電極或它們的任意組合的表面粗糙度在Inm與10nm之間。2.如權(quán)利要求1所述的體聲波諧振器，其中，第一側(cè)邊和短邊之間形成的角度大于90°且小于180°。3.如權(quán)利要求1所述的體聲波諧振器，其中，第一側(cè)邊和長邊之間形成的角度大于0°且小于或等于70°。4.如權(quán)利要求1所述的體聲波諧振器，其中，第一側(cè)邊和第二側(cè)邊均包括至少兩個線段。5.如權(quán)利要求4所述的體聲波諧振器，其中，第一側(cè)邊、第二側(cè)邊或兩者具有凸出的形狀。6.如權(quán)利要求5所述的體聲波諧振器，其中，第一側(cè)邊、第二側(cè)邊或兩者包括依次連接到短邊的第一線段、第二線段和第三線段，第一線段和第二線段之間形成的角度大于90°且小于180°。7.如權(quán)利要求5所述的體聲波諧振器，其中，第一側(cè)邊、第二側(cè)邊或兩者包括依次連接到長邊的第一線段和第二線段，長邊和第一線段之間形成的角度大于0°且小于或等于70°。8.如權(quán)利要求5所述的體聲波諧振器，其中，第一側(cè)邊、第二側(cè)邊或兩者包括依次連接到長邊的第一線段和第二線段，由長邊的延長線和第二線段的延長線之間形成的角度大于0°且小于或等于70°。9.如權(quán)利要求4所述的體聲波諧振器，其中，第一側(cè)邊、第二側(cè)邊或兩者包括凹入的形狀。10.如權(quán)利要求9所述的體聲波諧振器，其中，第一側(cè)邊、第二側(cè)邊或兩者包括依次連接到短邊的第一線段、第二線段、第三線段和第四線段，第一線段和第二線段之間形成的角度大于90°且小于180°。11.如權(quán)利要求9所述的體聲波諧振器，其中，第一側(cè)邊、第二側(cè)邊或兩者包括依次連接到短邊的第一線段、第二線段、第三線段和第四線段，第一線段的延長線和第三線段的延長線之間形成的角度大于90°且小于180°。12.如權(quán)利要求9所述的體聲波諧振器，其中，第一側(cè)邊、第二側(cè)邊或兩者包括依次連接到長邊的第一線段、第二線段、第三線段，長邊和第一線段之間形成的角度大于0°且小于或等于70°。13.如權(quán)利要求9所述的體聲波諧振器，其中，第一側(cè)邊、第二側(cè)邊或兩者包括依次連接到長邊的第一線段、第二線段、第三線段，由長邊的延長線和第二線段的延長線之間形成的角度大于0°且小于或等于70°。14.如權(quán)利要求1所述的體聲波諧振器，其中，長邊和短邊對應(yīng)于氣腔的上底邊和下底邊。15.如權(quán)利要求7所述的體聲波諧振器，其中，所述角度為10°和50°之間。16.—種濾波器，包括:多個體聲波諧振器，其中，多個體聲波諧振器中的每個包括:基板；膜，形成在基板上，用于形成氣腔；諧振部，形成在膜上，包括依次層壓的第一電極、壓電層和第二電極，氣腔的截面包括短邊、與短邊相對的長邊以及使短邊和長邊彼此連接的第一側(cè)邊和第二側(cè)邊，第一側(cè)邊和第二側(cè)邊傾斜，第一電極、壓電層、第二電極或它們的任意組合的表面粗糙度在Inm與10nm之間。17.如權(quán)利要求16所述的濾波器，其中，第一側(cè)邊具有凸出部和/或凹入部。18.如權(quán)利要求16所述的濾波器，其中，第二側(cè)邊具有凸出部和/或凹入部?！疚臋n編號】H03H9/02GK106059524SQ201610040724【公開日】2016年10月26日【申請日】2016年1月21日公開號201610040724.8,CN106059524A,CN106059524A,CN201610040724,CN-A-106059524,CN106059524A,CN106059524A,CN201610040724,CN201610040724.8【發(fā)明人】李文喆,李玲揆,金德煥,孫尚郁,金哲秀,申濟(jì)湜【申請人】三星電機(jī)株式會社