體聲波諧振器及包括該體聲波諧振器的濾波器的制造方法
【專利摘要】在示例中，提供了一種體聲波諧振器及包括該體聲波諧振器的濾波器，所述體聲波諧振器包括：基板；第一電極和第二電極，形成在基板上；壓電層，形成在第一電極與第二電極之間，其中，第一電極和第二電極中的至少一個由包括鉬元素的合金形成。另外，這樣的體聲波諧振器可包括形成在基板與第一電極之間的氣腔。
【專利說明】
體聲波諧振器及包括該體聲波諧振器的濾波器
[0001] 本申請要求分別于2015年4月10日和2015年6月16日提交到韓國知識產權局的第 10-2015-0051128號和第10-2015-0085236號韓國專利申請的優(yōu)先權和權益，所述韓國專利 申請的全部公開內容出于所有目的通過引用被包含于此。
技術領域
[0002] 下面的描述設及一種體聲波諧振器。下面的描述還設及一種包括該體聲波諧振器 的濾波器。
【背景技術】
[0003] 隨著移動通信裝置的快速發(fā)展，對于緊湊型和輕型濾波器、振蕩器、諧振元件、聲 波諧振質量傳感器W及用于促進移動通信的其它相似電子組件的需求也隨之增加。
[0004] 通常，薄膜體聲波諧振器(FBAR)已被用作實現(xiàn)緊湊型和輕型濾波器、振蕩器、諧振 元件、聲波諧振質量傳感器和其它相似組件的一種裝置。運樣的FBAR的優(yōu)勢在于其的批量 生產的成本極小，并可實現(xiàn)超小型化。此外，運樣的FBAR的優(yōu)勢還在于其可實現(xiàn)高品質因數(shù) Q值(濾波器的主要性質）。運樣的FBAR還可在與個人通信系統(tǒng)(PCS)和數(shù)字無線系統(tǒng)(DCS) 的頻帶相等的頻帶運行。
[0005] 通常，F(xiàn)BAR具有包括諧振部的結構，該諧振部通過在基板上順序地層疊第一電極、 壓電層和第二電極而形成。
[0006] 下面將對運樣的FBAR的運行原理進行描述。首先，當向第一電極和第二電極施加 電能W在壓電層中誘發(fā)電場時，電場會在壓電層中引起壓電現(xiàn)象。運樣的壓電現(xiàn)象使諧振 部沿著預定的方向振動。因此，在與諧振部的振動方向相同的方向上產生體聲波，從而引起 諧振現(xiàn)象的產生。

【發(fā)明內容】

[0007] 提供該
【發(fā)明內容】
W按照簡化形式來介紹選擇的發(fā)明構思，W下在【具體實施方式】中 進一步描述該發(fā)明構思。本
【發(fā)明內容】
并不意在限定所要求保護的主題的主要特征或必要特 征，也不意在用于幫助確定所要求保護的主題的范圍。
[000引本示例的一方面提供一種能夠通過防止電極的氧化而確保可靠性的體聲波諧振 器。
[0009] 根據(jù)示例的體聲波諧振器的多個電極中的至少一個電極由包括鋼元素的合金形 成。
[0010] 在一個總的方面，一種體聲波諧振器包括:基板;第一電極和第二電極，形成在基 板上;壓電層，形成在第一電極與第二電極之間，其中，第一電極和第二電極中的至少一個 由包括鋼(Mo)的合金形成。
[00川所述合金可W是通過向鋼(Mo)中添加粗(Ta)而制造的鋼(Mo)-粗(Ta)合金。
[0012] 粗(Ta)在所述合金中的含量為0. latm%至50atm%。
[0013] 粗(Ta)在所述合金中的含量為0. latm%至30atm%。
[0014] 所述體聲波諧振器還可包括形成在基板與第一電極之間的氣腔，其中，用于形成 氣腔的犧牲氣腔層圖案使用氣化氣進行蝕刻。
[0015] 犧牲氣腔層圖案可在第一電極和第二電極中的至少一個形成之后被蝕刻。
[0016] 在另一個總的方面，一種濾波器包括:多個體聲波諧振器，其中，所述多個體聲波 諧振器中的每個包括:基板;第一電極和第二電極，形成在基板上;壓電層，形成在第一電極 與第二電極之間，其中，第一電極和第二電極中的至少一個由包括鋼的合金形成。
[0017] 所述合金可W是通過向鋼(Mo)中添加粗(Ta)而制造的鋼(Mo)-粗(Ta)合金。
[0018] 粗(Ta)在所述合金中的含量為0. latm%至50atm%。
[0019] 粗(Ta)在所述合金中的含量為0. latm%至30atm%。
[0020] 所述多個體聲波諧振器中的每個還可包括形成在基板與第一電極之間的氣腔，其 中，使用氣化氣對用于形成氣腔的犧牲氣腔層圖案進行蝕刻。
[0021] 犧牲氣腔層圖案可在第一電極和第二電極中的至少一個形成之后被蝕刻。
[0022] 所述多個體聲波諧振器可形成為梯型或橋型。
[0023] 在另一個總的方面，一種體聲波諧振器包括：第一電極和第二電極，形成在基板 上;壓電層，形成在第一電極與第二電極之間;氣腔，形成在基板與第一電極之間。
[0024] 用于形成氣腔的犧牲氣腔層圖案可使用氣化氣進行蝕刻。
[0025] 第一電極和第二電極中的至少一個可由包括鋼的合金形成。
[0026] 所述合金可W為通過向鋼(Mo)中添加粗(Ta)而制造的鋼(Mo)-粗(Ta)合金。
[0027] 通過下面的【具體實施方式】、附圖及權利要求，其它特征和方面將變得清楚。
【附圖說明】
[0028] 通過W下結合附圖進行的詳細描述，本公開的W上和其它方面、特征和其它優(yōu)勢 將變得更加容易理解，在附圖中：
[0029] 圖1是根據(jù)示例的體聲波諧振器的剖視圖。
[0030] 圖2是根據(jù)電極材料的電位-抑圖。
[0031 ]圖3示出了每種類型的鋼(Mo)合金的相圖。
[0032] 圖4示出了每種類型的鋼(Mo)合金的拉曼位移。
[0033] 圖5示出了根據(jù)示例的鋼(Mo)合金的薄層電阻(sheet resis化nee)的變化。
[0034] 圖6A和圖6B是示出根據(jù)示例的在鋼(Mo)合金相處的壓電層的晶體取向的示圖。
[0035] 圖7和圖8是根據(jù)示例的濾波器的示意性電路圖。
[0036] 在整個附圖和【具體實施方式】中，相同的標號指示相同的元件。為了清晰、說明和方 便，附圖可不按比例繪制，并且可放大附圖中元件的相對尺寸、比例和描繪。
【具體實施方式】
[0037] 提供W下詳細描述，W幫助讀者獲得對運里所描述的方法、設備和/或系統(tǒng)的全面 理解。然而，運里所描述的方法、設備和/或系統(tǒng)的各種變化、修改及其等同物對于本領域普 通技術人員將是顯而易見的。在此描述的操作的順序僅為示例，操作的順序不限于在此所 闡述的，除了必須W特定順序出現(xiàn)的操作之外，可W如本領域所知的那樣進行改變。此外， 為了更加清楚和簡潔，可省去對于本領域普通技術人員公知的功能和結構的描述。
[0038] 運里描述的特征可按照不同的形式實施，并且將不被解釋為局限于運里所描述的 示例。更確切地說，已經(jīng)提供運里所描述的示例，使得本公開是徹底的和完整的，且將把本 公開的全部范圍傳達給本領域的普通技術人員。
[0039] 在下文中，參照附圖進一步詳細描述示例。
[0040] 詞語"atm%"用于表示元素在金屬合金中所占的百分比，因此如果某一金屬被稱 為具有"X atm%"的含量，其中X表示數(shù)字，則所述金屬的原子為合金中的原子的X%。
[0041 ]圖1是示出根據(jù)示例的體聲波諧振器的剖視圖。
[0042] 參照圖1的示例，根據(jù)示例的體聲波諧振器100是薄膜體聲波諧振器(FBAR)，并且 包括基板110、絕緣層120、氣腔112和諧振部135。
[0043] 在圖1的示例中，基板110由典型的娃基板形成，用于使諧振部135與基板110電絕 緣的絕緣層120形成在基板110的上表面上。例如，絕緣層120通過利用化學氣相沉積方法、 RF磁控瓣射方法或蒸發(fā)法在基板110上沉積二氧化娃(Si〇2)或者氧化侶(Ab化）而形成。然 而，運些僅是示例，在其它示例中使用其它合適的沉積方法W沉積絕緣層。
[0044] 在運樣的示例中，氣腔112設置在絕緣層120之上。氣腔112設置在諧振部135的下 方，W使諧振部135沿預定方向振動。在示例中，氣腔112通過W下工藝形成:首先在絕緣層 120上形成氣腔犧牲層圖案;接下來，在運樣的工藝之后，在氣腔犧牲層圖案上形成膜130; 然后蝕刻氣腔犧牲層圖案并將其去除。
[0045] 在運樣的示例中，蝕刻停止層125還形成在絕緣層120與氣腔112之間。在該示例 中，蝕刻停止層125用于保護基板110和絕緣層120免受蝕刻工藝影響，也可用作在蝕刻停止 層125上沉積其它各種層所需的基底。
[0046] 因此，氣腔112通過在絕緣層120上形成氣腔犧牲層圖案，然后在氣腔犧牲層圖案 上布置膜130,最后蝕刻氣腔犧牲層圖案并將其移除而制成。例如，膜130用作氧化保護層或 者用作保護基板110的保護層。
[0047] 在該示例中，諧振部135包括按順序層疊地設置在氣腔112上方的第一電極140、壓 電層150和第二電極160。
[004引第一電極140形成在膜130的上表面上，并覆蓋膜130的一部分。壓電層150形成在 膜130和第一電極140的上表面上，并覆蓋膜130的一部分和第一電極140的一部分。壓電層 150是通過將電能轉化為聲波形式的機械能來產生壓電效應的部件。例如，壓電層150由氮 化侶(A1N)、氧化鋒(ZnO)、鉛錯鐵氧化物(PZT，PbZdiO)或具有合適的壓電特性的另外相似 的材料形成。此外，第二電極160形成在壓電層150上。
[0049] 此外，在運樣的示例中，諧振部135被分為具有有源區(qū)和無源區(qū)。諧振部135的有源 區(qū)是指運樣的區(qū)域：當將電能施加到第一電極140和第二電極160W在壓電層150中引起電 場時，該區(qū)域通過壓電現(xiàn)象沿預定方向振動W產生諧振。例如，有源區(qū)與氣腔112上方的第 一電極140、壓電層150和第二電極160彼此疊置的區(qū)域相對應。諧振部135的非有源區(qū)是即 使電能被施加到第一電極140和第二電極160,也不會通過壓電現(xiàn)象發(fā)生諧振的區(qū)域。例如， 非有源區(qū)對應于有源區(qū)的外部的區(qū)域。
[0050] 如上所述的，具有上述配置的諧振部135利用壓電層150的壓電效應過濾掉特定頻 率RF信號。
[0051] 因此，諧振部135基于施加到第一電極140和第二電極160的RF信號使壓電層150諧 振，W產生具有特定諧振頻率和反諧振頻率的聲波。因此，當施加的RF信號的波長的一半與 壓電層150的厚度相對應時，在壓電層150中出現(xiàn)諧振現(xiàn)象。由于當出現(xiàn)諧振現(xiàn)象時電阻抗 急劇變化，因此根據(jù)示例的體聲波諧振器用作能夠選擇頻率的濾波器。更具體地講，諧振部 135具有根據(jù)壓電層150中產生的振動的恒定諧振頻率。因此，在施加的RF信號中，諧振部 135僅輸出與諧振部135的諧振頻率相匹配的信號。
[0052] 例如，保護層170設置在諧振部135的第二電極160上，防止第二電極160暴露在外 面而被氧化。另外，用于施加電信號的電極焊盤180形成在暴露于外部的第一電極140和第 二電極160上。
[0053] 圖2是根據(jù)電極材料的電位-pH圖。電位-抑圖標出水溶液電化學系統(tǒng)中可能穩(wěn)定 的平衡相。
[0054] 通常，第一電極140和第二電極160由諸如金（Au)、鐵（Ti)、粗（Ta)、鋼（Mo)、釘 (Ru)、銷(Pt)、鶴(W)、侶(A1)或儀(Ni)的材料形成。然而，運些僅是示例，在其它示例中使用 其它合適的材料。具體地講，為了提高壓電層150的期望的晶體取向，鋼(Mo)可被用作第一 電極140和第二電極160的材料。
[0055] 然而，參照圖2的示例，鋼(Mo)材料具有如下潛在的問題:抑為4至7時，其趨向于溶 解，在其它抑區(qū)域，其趨向于被氧化。為了解決上述問題，鋼(Mo)被密閉地密封W進行純化 處理。運里，進行純化處理是指使用密封劑保護鋼W免受外部環(huán)境因素的影響。
[0056] 然而，即使在對鋼(Mo)進行如上所述的純化處理的情況下，當鋼(Mo)在濕氣處理 工藝過程中被暴露于濕氣時，將理解的是，鋼(Mo)也會被氧化。由于被氧化的鋼(Mo)還具有 高的溶解度，因此運樣的氧化會導致可靠性問題。具體地講，為了將第一電極140連接到外 部電路，當圖1的第一電極140的特定區(qū)域通過溝槽而敞開，然后連接到電極焊盤180時，引 起連接缺陷和接觸缺陷。
[0057] 為了解決上述問題，在電極140和160由除了鋼(Mo)之外的金屬形成的示例中，在 沉積壓電層150時，可能出現(xiàn)包含高的比電阻和取向性降低的問題。
[0058] 因此，根據(jù)示例的電極由鋼(Mo)合金形成。
[0059] 圖3示出了每種類型的鋼(Mo)合金的相圖。
[0060] 參照圖3,當液相的溫度降低時，鋼（Mo)-粗（Ta)合金、鋼（Mo)-鶴（W)合金和鋼 (Mo)-妮(Nb)合金對應于W單一相形成的均質固溶體。例如，運樣的合金具有相同的原子結 構，諸如，體屯、立方(BCC)結構。因此，改善了沉積在鋼(Mo)相中的壓電薄膜的取向特性。 [0061 ] 圖4示出了每種類型的鋼(Mo)合金的拉曼位移(Raman shift)。具體地講，圖4示出 了鋼(Mo)合金的樣品在執(zhí)行了 8585可靠性測試之后的拉曼位移的結果，其中，8585測試是 指在85°C的溫度下和在85%的濕度下進行的測試。
[0062] 可W看出，在沉積了純鋼(Mo)之后沒有立即檢測出Mo化、Mo化等，但在執(zhí)行8585可 靠性測試之后檢測到大量的Mo化、Mo化。
[0063] 另外，能夠觀察到，甚至在鋼(Mo)-鶴(W)合金、鋼(Mo)-鐵(Ti)合金、鋼(Mo)-儀 (Ni)合金和鋼(Mo)-銘(Cr)合金的示例中，鋼(Mo)被氧化。然而，能夠觀察到，在鋼(Mo)-妮 (Nb)合金的示例中，與W上描述的各種合金相比，形成了更少的氧化物，但與鋼(Mo)-粗 (Ta)合金相比，形成了更多的氧化物。
[0064] 能夠觀察到，在通過向鋼(Mo)元素中添加粗(Ta)元素而制造的鋼(Mo)-粗(Ta)合 金的示例中，形成的氧化物顯著減少。
[0065] 因此，根據(jù)示例，第一電極140和第二電極160中的至少一種由鋼(Mo)-粗(Ta)合金 形成。結果，解決了當使用純鋼(Mo)合金時可能引起的氧化問題，相應地提高了環(huán)境可靠 性。
[0066] 在運樣的示例中，使用鋼(Mo)-粗（Ta)合金，其中，粗（Ta)的含量為0. latm%至 50atm%。在粗(Ta)的含量為0. latm%至50atm%的運樣的示例中，鋼(Mo)提供了低比電阻 特性。
[0067] 此外，在鋼(Mo)-粗(Ta)合金中，粗(Ta)的含量可W為0. latm%至30atm%。在粗 (Ta)的含量為0. latm%至30atm%的運樣的示例中，蝕刻工藝容易地執(zhí)行。此外，當壓電層 150位于鋼(Mo)-粗(Ta)合金上時，實現(xiàn)了壓電效應的高取向性。
[0068] 圖5示出了根據(jù)示例的鋼(Mo)合金的薄層電阻的改變。具體地講，圖5示出了在對 鋼(Mo)合金的試樣執(zhí)行8585可靠性測試之后薄層電阻的改變的結果，其中，運樣的測試是 指在85°C的溫度下和在85%的濕度下進行的測試。
[0069] 能夠觀察到，純鋼(Mo)的薄層電阻在沉積后的兩天之后急劇增大，且超出了測量 范圍。然而，即使在Ξ天之后，鋼(Mo)-粗(Ta)合金的薄層電阻的改變率（％)仍低于50%。此 夕h即使在高溫和高濕度環(huán)境下，所述合金的薄層電阻的改變也不明顯。
[0070] 提供下面的表示出根據(jù)示例的鋼(Mo)合金的蝕刻特性。
[0071] 如上所述，氣腔112通過對犧牲氣腔層圖案進行蝕刻來形成。使用氣化氣(XeF2)來 執(zhí)行對犧牲氣腔層圖案的蝕刻工藝。在運樣的示例中，在形成電極之后執(zhí)行蝕刻工藝。在電 極通過蝕刻工藝被不必要的蝕刻或腐蝕的示例中，可能出現(xiàn)不能確保體聲波諧振器的可靠 的諧振性能的問題。
[0072] 根據(jù)示例，電極由鋼(Mo)-粗(Ta)合金形成，W確保蝕刻材料的優(yōu)異的特性(如上 所述）。
[0073] 表1是示出純鋼(Mo)和鋼(Mo)-粗(Ta)合金相對于氣化氣(XeF2)的蝕刻特性的表。 為了執(zhí)行表1的測試，在沉積純鋼(Mo)和鋼(Mo)-粗(Ta)合金之后，去除沉積層的一部分，所 述一部分呈直徑為30μπι的圓形區(qū)域的形狀，利用氣化氣(XeF2)對圓形區(qū)域的內部進行蝕 刻。
[0074] 表 1
[0075]
[0076] 由表1可知，純鋼（Mo)的尺寸從30μηι增大至68.9化m，從而蝕刻掉38.9化m，而鋼 (Mo)-粗（Ta)合金的尺寸從30μπι增大至51.1化m，從而蝕刻掉21.1化m。因此，蝕刻掉的鋼 (Mo)-粗(Ta)合金比蝕刻掉的鋼(Mo)少了大約50%，并且能夠觀察到，當考慮到沉積的厚度 時，蝕刻掉的鋼(Mo)-粗(Ta)合金比蝕刻掉的鋼(Mo)少了大約25%。
[0077] 也就是說，即使鋼(Mo)-粗(Ta)合金在犧牲氣腔層圖案的蝕刻環(huán)境下不可避免地 暴露于外部的示例中，由于針對氣化氣(XeF2)的優(yōu)異的特性而確保了可靠性。
[0078] 圖6A和圖6B是示出根據(jù)示例的在鋼(Mo)合金相處的壓電層的晶體取向的示圖。在 該示例中，使用氮化侶(A1N)作為壓電層的材料。然而，可W使用合適的可選的材料。
[0079] 參照圖6A的示例，能夠觀察到，氮化侶(A1N)在鋼(Mo)-粗(Ta)合金和純鋼(Mo)上 沿向前方向或(002)方向生長。然而，參照圖6B，能夠觀察到，在鋼(Mo)-粗(Ta)合金的情況 下氮化侶(A1N)呈現(xiàn)的半峰寬的值比在純鋼(Mo)的情況下氮化侶(A1N)呈現(xiàn)的半峰寬小。
[0080] 圖7和圖8是根據(jù)示例的濾波器的示意性電路圖。
[0081] 圖7和圖8的濾波器中應用的多個體聲波諧振器中的每個對應于圖1中示出的體聲 波諧振器。
[0082] 參照圖7,根據(jù)示例的濾波器1000使用梯型濾波器結構來形成。具體地講，濾波器 1000包括多個體聲波諧振器1100和1200。
[0083] 第一體聲波諧振器1100串聯(lián)連接于信號輸入端(輸入信號RFin輸入到信號輸入 端)和信號輸出端(輸出信號RFout從信號輸出端輸出）之間。此外，第二體聲波諧振器1200 連接在信號輸出端和地之間。
[0084] 參照圖8,根據(jù)示例的濾波器2000W橋型濾波器結構形成。具體地講，濾波器2000 包括多個體聲波諧振器2100、2200、2300和2400，W對平衡輸入信號RFin+和RFin-進行濾波 并輸出平衡輸出信號RFout+和RFout-。
[0085] 如上所述，根據(jù)示例，體聲波諧振器可通過防止電極的氧化確?？煽啃浴?br>[0086] 另外，對于制造體聲波諧振器的工藝中使用的蝕刻材料，確保了優(yōu)異的特性。
[0087] 除非另外指出，否則第一層"在"第二層或基板"上"的表述被解釋為包括兩種情 況:第一層直接接觸第二層或基底的情況;一個或更多個其它層設置在第一層與第二層或 第一層與基底之間的情況。
[008引可使用描述空間相對關系的術語(諸如，"在……下面V堆……之下"、"下面的"、 "下方"、"底部"、"在……之上"、"在……上方"、"上面的"、"頂部"、"左"和"右"），W易于描 述一個裝置或元件與其它裝置或元件的空間關系。運樣的術語將被解釋為包含如附圖中示 出的方位W及裝置在使用或操作中的其它方位。例如，裝置基于附圖中示出的裝置的方位 包括設置在第一層上的第二層上的示例也包含當裝置在使用或操作過程中被翻轉的裝置。 [0089]盡管本公開包含特定的示例，但是對于本領域普通技術人員將清楚的是，在沒有 脫離權利要求和它們的等同物的精神和范圍的情況下，可W在形式上和細節(jié)上對運些示例 做各種變化。運里所描述的示例將僅W描述性含義而被考慮，而不出于限制的目的。在每個 示例中的特征或方面的描述將被認為是可適用于其它示例中的相似特征或方面。如果W不 同的順序執(zhí)行描述的技術，和/或如果W不同的方式組合描述的系統(tǒng)、構造、裝置或者電路 中的組件和/或用其它組件或者它們的等同物來替換或者補充描述的系統(tǒng)、構造、裝置或者 電路中的組件，則可W獲得適當?shù)慕Y果。因此，本公開的范圍不是由【具體實施方式】限定的， 而是由權利要求和它們的等同物限定，并且在權利要求和它們的等同物的范圍內的所有變 型將被解釋為包含于本公開中。
【主權項】
1. 一種體聲波諧振器，包括： 基板； 第一電極和第二電極，形成在基板上； 壓電層，形成在第一電極與第二電極之間， 其中，第一電極和第二電極中的至少一個由包括鉬的合金形成。2. 根據(jù)權利要求1所述的體聲波諧振器，其中，所述合金為通過向鉬中添加鉭而制造的 鉬-鉭合金。3. 根據(jù)權利要求2所述的體聲波諧振器，其中，鉭在所述合金中的含量為O.latm%至 50atm% 〇4. 根據(jù)權利要求2所述的體聲波諧振器，其中，鉭在所述合金中的含量為O.latm%至 30atm% 〇5. 根據(jù)權利要求1所述的體聲波諧振器，所述體聲波諧振器還包括形成在基板與第一 電極之間的氣腔， 其中，用于形成氣腔的犧牲氣腔層圖案使用氟化氙進行蝕刻。6. 根據(jù)權利要求5所述的體聲波諧振器，其中，犧牲氣腔層圖案在第一電極和第二電極 中的至少一個形成之后被蝕刻。7. -種濾波器，包括： 多個體聲波諧振器， 其中，所述多個體聲波諧振器中的每個包括： 基板； 第一電極和第二電極，形成在基板上； 壓電層，形成在第一電極與第二電極之間， 其中，第一電極和第二電極中的至少一個由包括鉬的合金形成。8. 根據(jù)權利要求7所述的濾波器，所述合金為通過向鉬中添加鉭而制造的鉬-鉭合金。9. 根據(jù)權利要求8所述的濾波器，其中，鉭在所述合金中的含量為0. latm%至50atm%。10. 根據(jù)權利要求8所述的濾波器，其中，鉭在所述合金中的含量為O.latm%至 30atm% 〇11. 根據(jù)權利要求7所述的濾波器，其中，所述多個體聲波諧振器中的每個還包括形成 在基板與第一電極之間的氣腔， 其中，用于形成氣腔的犧牲氣腔層圖案使用氟化氙進行蝕刻。12. 根據(jù)權利要求11所述的濾波器，其中，犧牲氣腔層圖案在第一電極和第二電極中的 至少一個形成之后被蝕刻。13. 根據(jù)權利要求7所述的濾波器，其中，所述多個體聲波諧振器形成為梯型或橋型。14. 一種體聲波諧振器，包括： 第一電極和第二電極，形成在基板上； 壓電層，形成在第一電極與第二電極之間； 氣腔，形成在基板與第一電極之間。15. 根據(jù)權利要求14所述的體聲波諧振器，其中，用于形成氣腔的犧牲氣腔層圖案使用 氟化氙進行蝕刻。16. 根據(jù)權利要求14所述的體聲波諧振器，其中，第一電極和第二電極中的至少一個由 包括鉬的合金形成。17. 根據(jù)權利要求16所述的體聲波諧振器，其中，所述合金為通過向鉬中添加鉭而制造 的鉬-鉭合金。
【文檔編號】H03H9/17GK106059525SQ201610096449
【公開日】2016年10月26日
【申請日】2016年2月22日 公開號201610096449.1, CN 106059525 A, CN 106059525A, CN 201610096449, CN-A-106059525, CN106059525 A, CN106059525A, CN201610096449, CN201610096449.1
【發(fā)明人】李泰京, 韓成, 申蘭姬, 李華善, 辛承柱
【申請人】三星電機株式會社