專利名稱：防浪涌充電的移動(dòng)終端的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及浪涌防護(hù)技術(shù)，特別涉及一種防浪涌充電的移動(dòng)終端。
背景技術(shù)：
充電器在插入手機(jī)的瞬間，會(huì)導(dǎo)入浪涌電壓，常常使手機(jī)電源管理芯片或基帶處理芯片受到損壞。目前一般采用在充電電路中，靠近充電器接口的位置增加齊納二極管進(jìn)行保護(hù)， 當(dāng)輸入電壓高于齊納二極管觸發(fā)電壓時(shí)，齊納二極管可以將電壓鉗制在觸發(fā)電壓水平。但是，由于齊納二極管的防護(hù)能力較弱，當(dāng)浪涌較大時(shí)，齊納二極管會(huì)被損壞，從而失去保護(hù)能力。因而現(xiàn)有技術(shù)還有待改進(jìn)和提高。

發(fā)明內(nèi)容
鑒于上述現(xiàn)有技術(shù)的不足之處，本發(fā)明的目的在于提供一種防浪涌充電的移動(dòng)終端，在移動(dòng)終端充電時(shí)防護(hù)浪涌，使移動(dòng)終端免受浪涌的襲擊。為了達(dá)到上述目的，本發(fā)明采取了以下技術(shù)方案
一種防浪涌充電的移動(dòng)終端，包括充電器接口和電源管理模塊，其中，還包括用于防護(hù)充電浪涌的浪涌防護(hù)模塊，所述充電器接口、浪涌防護(hù)模塊和電源管理模塊依次串聯(lián)。所述的防浪涌充電的移動(dòng)終端，其中，所述浪涌防護(hù)模塊包括鉗位電容、MOS管和下拉電阻；所述鉗位電容串聯(lián)在MOS管的柵極和源極之間，所述MOS管的源極與充電器接口連接，漏極與電源管理模塊連接；所述鉗位電容和MOS管的柵極通過下拉電阻接地。所述的防浪涌充電的移動(dòng)終端，其中，在所述鉗位電容的兩端還并接有鉗位電阻。所述的防浪涌充電的移動(dòng)終端，其中，所述MOS管為P溝道MOS管。所述的防浪涌充電的移動(dòng)終端，其中，所述鉗位電容的容量為0. 5_2uF。所述的防浪涌充電的移動(dòng)終端，其中，所述下拉電阻的阻值為4. 1ΚΩ。所述的防浪涌充電的移動(dòng)終端，其中，所述鉗位電阻的阻值為50-300ΚΩ。本發(fā)明提供的防浪涌充電的移動(dòng)終端，由于采用了在充電器接口和電源管理模塊之間設(shè)置一浪涌防護(hù)模塊，在浪涌輸入時(shí)間內(nèi)關(guān)斷該浪涌防護(hù)塊，從而避免電源管理模塊通過到浪涌的襲擊，延長(zhǎng)了移動(dòng)終端的使用壽命，而且浪涌防護(hù)模塊使用的電子元件均為常規(guī)電子元件，其成本低。


圖1為本發(fā)明實(shí)施例提供的防浪涌充電的移動(dòng)終端的結(jié)構(gòu)框圖。圖2為本發(fā)明實(shí)施例提供的防浪涌充電的移動(dòng)終端的電路原理圖。
具體實(shí)施方式
本發(fā)明提供一種防浪涌充電的移動(dòng)終端，為使本發(fā)明的目的、技術(shù)方案及效果更加清楚、明確，以下參照附圖并舉實(shí)例對(duì)本發(fā)明進(jìn)一步詳細(xì)說明。應(yīng)當(dāng)理解，此處所描述的具體實(shí)施例僅用以解釋本發(fā)明，并不用于限定本發(fā)明。請(qǐng)參閱圖1，本發(fā)明實(shí)施例提供的防浪涌充電的移動(dòng)終端包括充電器接口、電源管理模塊和浪涌防護(hù)模塊，所述浪涌防護(hù)模塊串接在充電器接口和電源管理模塊之間，用于防護(hù)充電浪涌，使電源管理模塊免受浪涌的襲擊。請(qǐng)一并參閱圖2，所述浪涌防護(hù)模塊包括鉗位電容C1、M0S管Ql和下拉電阻Rl ；所述鉗位電容Cl串聯(lián)在MOS管Ql的柵極和源極之間，所述MOS管Ql的源極與充電器接口連接，漏極與電源管理模塊連接，所述鉗位電容Cl和MOS管Ql的柵極通過下拉電阻Rl接地。本實(shí)施例中，所述MOS管Ql為增強(qiáng)型P溝道MOS管Ql (即P-M0S管)，該類MOS管需要柵極電壓比源極電壓低到一定程度才導(dǎo)通，其主要作用是導(dǎo)通或關(guān)斷充電器接口與電源管理模塊之間的連接。所述鉗位電容Cl用于在充電器接口側(cè)的電壓短時(shí)間波動(dòng)時(shí)，鉗制MOS管Ql的源極和柵極之間的電壓差，使得MOS管Ql在浪涌時(shí)間內(nèi)無法導(dǎo)通，從而避免對(duì)后端電源管理模塊的影響。 其中，所述充電器接口與MOS管Ql源極之間可以通過走線方式或者插拔接口方式連接，MOS管Ql的漏極和電源管理模塊之間也可以采用走線方式或者插拔接口方式連接。請(qǐng)繼續(xù)參閱圖2，所述浪涌防護(hù)模塊還包括鉗位電阻R2，該鉗位電阻R2并接在鉗位電容Cl的兩端，用于在充電器接口輸入電壓穩(wěn)定時(shí)，與下拉電阻Rl共同作用，鉗位MOS 管Ql的源極和柵極之間的電壓差；在充電器插入時(shí)，與鉗位電容Cl和下拉電阻Rl共同作用，控制MOS管Ql關(guān)斷的時(shí)間。所述下拉電阻Rl用于在充電器接口輸入電壓穩(wěn)定時(shí)，與鉗位電阻R2共同作用，鉗位MOS管Ql的源極和柵極之間的電壓差；在充電器插入時(shí)，與鉗位電容Cl及鉗位電阻R2 共同作用，控制MOS管Ql關(guān)斷的時(shí)間。本發(fā)明實(shí)施例提供的移動(dòng)終端為手機(jī)，以下以手機(jī)為實(shí)用實(shí)施例對(duì)本發(fā)明的浪涌防護(hù)技術(shù)進(jìn)行詳細(xì)說明
當(dāng)充電器接口輸入電壓穩(wěn)定時(shí)，MOS管Ql的柵極電壓V_g為V_g=V_sXRl/(R2+Rl)； 所以，MOS管Ql的源極和柵極電壓差V_sg為V_sg=V_s - V_g=V_sXR2/(R2+Rl)；由于 MOS管的特性，此電壓差V_sg驅(qū)動(dòng)MOS管導(dǎo)通。充電器未插入時(shí)，MOS管Ql的源極電壓V_s、柵極電壓V_g和漏極電壓V_d均為0 伏，MOS管Ql的源極和柵極之間的電壓差V_sg也為0伏，MOS管Ql處于關(guān)斷狀態(tài)。當(dāng)充電器插入手機(jī)時(shí)，電壓從V-CHG處輸入浪涌防護(hù)模塊，MOS管Ql的源極電壓 V_s受充電器輸入電壓的影響，其電壓等于充電器輸入電壓(即浪涌電壓)，由于鉗位電容Cl 的作用，MOS管Ql的源極和柵極之間的電壓差V_sg瞬間仍然維持在0伏，從而維持MOS管 Ql關(guān)斷狀態(tài)，MOS管Ql的漏極電壓V_d維持在0伏，所以浪涌對(duì)后端電源管理模塊無危害。在充電器插入第一時(shí)間段內(nèi)(如2ms),MOS管Ql的源極和柵極之間的電壓差V_sg 由0伏逐漸增加，但是由于增強(qiáng)型P-MOS管的特性決定在一定時(shí)間內(nèi)仍然處于關(guān)斷狀態(tài)，從而P-MOS管的漏極電壓V_d維持在0伏，所以浪涌對(duì)后端電源管理模塊無危害。在充電器插入第二時(shí)間段內(nèi)(如4ms), P-MOS管的源極和柵極之間的電壓差V_sg增加到觸發(fā)導(dǎo)通P-MOS管的門限電壓，使P-MOS管導(dǎo)通，P-MOS管的漏極電壓V_d近似等于源極電壓V_s，浪涌防護(hù)模塊中的V_DC_IN端口有電壓輸出，充電器開始對(duì)電源管理模塊供 H1^ ο在充電器插入第三時(shí)間段內(nèi)(如6ms), P-MOS管的源極和柵極之間的電壓差V_sg 繼續(xù)增加并維持到V_s X R2/ (R2+R1)。從浪涌防護(hù)模塊防浪涌充電的過程可知，移動(dòng)終端可以根據(jù)需要設(shè)計(jì)防護(hù)浪涌的特性和要求(如電壓、持續(xù)時(shí)間等)，因此本發(fā)明通過選擇合適參數(shù)的鉗位電容Cl、鉗位電阻R2和下拉電阻R1，控制充電器從插入充電器接口到P-MOS管導(dǎo)通的時(shí)間，來實(shí)現(xiàn)移動(dòng)終端的充電設(shè)計(jì)需求。在具體實(shí)施時(shí)，本發(fā)明根據(jù)不同類型的移動(dòng)終端設(shè)置鉗位電容Cl的容量為 0. 5-2uF，下拉電阻Rl的阻值為4. IK Ω，鉗位電阻R2的阻值為50-300ΚΩ。綜上所述，本發(fā)明提供的防浪涌充電的移動(dòng)終端，由于采用了在充電器接口和電源管理模塊之間設(shè)置一浪涌防護(hù)模塊，在浪涌輸入時(shí)間內(nèi)關(guān)斷該浪涌防護(hù)塊，從而避免電源管理模塊通過到浪涌的襲擊，延長(zhǎng)了移動(dòng)終端的使用壽命，而且浪涌防護(hù)模塊使用的電子元件均為常規(guī)電子元件，其成本低。可以理解的是，對(duì)本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來說，可以根據(jù)本發(fā)明的技術(shù)方案及其發(fā)明構(gòu)思加以等同替換或改變，而所有這些改變或替換都應(yīng)屬于本發(fā)明所附的權(quán)利要求的保護(hù)范圍。
權(quán)利要求
1.一種防浪涌充電的移動(dòng)終端，包括充電器接口和電源管理模塊，其特征在于，還包括用于防護(hù)充電浪涌的浪涌防護(hù)模塊，所述充電器接口、浪涌防護(hù)模塊和電源管理模塊依次串聯(lián)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的防浪涌充電的移動(dòng)終端，其特征在于，所述浪涌防護(hù)模塊包括鉗位電容、MOS管和下拉電阻；所述鉗位電容串聯(lián)在MOS管的柵極和源極之間，所述MOS 管的源極與充電器接口連接，漏極與電源管理模塊連接；所述鉗位電容和MOS管的柵極通過下拉電阻接地。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的防浪涌充電的移動(dòng)終端，其特征在于，在所述鉗位電容的兩端還并接有鉗位電阻。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的移動(dòng)終端，其特征在于，所述MOS管為P溝道MOS管。
5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的防浪涌充電的移動(dòng)終端，其特征在于，所述鉗位電容的容量為 0.5-2uF。
6.根據(jù)權(quán)利要求2所述的防浪涌充電的移動(dòng)終端，其特征在于，所述下拉電阻的阻值為 4. IK Ω。
7.根據(jù)權(quán)利要求3所述的防浪涌充電的移動(dòng)終端，其特征在于，所述鉗位電阻的阻值為 50-300ΚΩ。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種防浪涌充電的移動(dòng)終端，包括充電器接口、電源管理模塊和用于防護(hù)充電浪涌的浪涌防護(hù)模塊，所述充電器接口、浪涌防護(hù)模塊和電源管理模塊依次串聯(lián)。本發(fā)明提供的防浪涌充電的移動(dòng)終端，由于采用了在充電器接口和電源管理模塊之間設(shè)置一浪涌防護(hù)模塊，在浪涌輸入時(shí)間內(nèi)關(guān)斷該浪涌防護(hù)塊，從而避免電源管理模塊通過到浪涌的襲擊，延長(zhǎng)了移動(dòng)終端的使用壽命，而且浪涌防護(hù)模塊使用的電子元件均為常規(guī)電子元件，其成本低。
文檔編號(hào)H04M1/02GK102196074SQ20111013194
公開日2011年9月21日 申請(qǐng)日期2011年5月20日 優(yōu)先權(quán)日2011年5月20日
發(fā)明者顧建良 申請(qǐng)人:惠州Tcl移動(dòng)通信有限公司