專利名稱：光電轉(zhuǎn)換設(shè)備的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及光電轉(zhuǎn)換設(shè)備。
背景技術(shù)：
常規(guī)地已公開(kāi)了在光電晶體管的基極中接收光并且從發(fā)射極輸出放大的光電流的光電轉(zhuǎn)換設(shè)備(例如，參見(jiàn)日本專利申請(qǐng)公開(kāi)No. 2000-077644)。在低的光強(qiáng)度的情況下，光電晶體管產(chǎn)生輕微的基極電流。因此，光電晶體管的基極和發(fā)射極之間的再結(jié)合電流成分是電流的主要成分，由此導(dǎo)致從發(fā)射極到集電極的載流子注入不足。作為結(jié)果，電流放大比降低，并且，低光強(qiáng)度處的光電轉(zhuǎn)換特性劣化。為了解決該問(wèn)題，已公開(kāi)了通過(guò)使電流流過(guò)基極而注入載流子的光電轉(zhuǎn)換設(shè)備(例如，參見(jiàn)日本專利申請(qǐng)公開(kāi)No. H08-264744)。遺憾地，日本專利申請(qǐng)公開(kāi)No. H08-264744沒(méi)有公開(kāi)確定流過(guò)基極的電流的值的手段，并因此具有這樣的問(wèn)題，即，當(dāng)光電晶體管的電流放大比降低時(shí)，不能注入適當(dāng)?shù)妮d流子。另外，日本專利申請(qǐng)公開(kāi)NO.H08-264744具有另一問(wèn)題，S卩，由于光電晶體管的多像素化和微小型化(microminiaturization),因此,不能將適當(dāng)?shù)妮d流子注入到大大地受到制造變化影響的各單個(gè)光電晶體管中。本發(fā)明的一個(gè)目的是，提供無(wú)論光電晶體管的電流放大比降低和光電晶體管的制造變化都能夠獲得良好的光電轉(zhuǎn)換特性的光電轉(zhuǎn)換設(shè)備。

發(fā)明內(nèi)容
根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)方面，一種光電轉(zhuǎn)換設(shè)備包括光電轉(zhuǎn)換兀件，用于通過(guò)光電轉(zhuǎn)換產(chǎn)生電流；晶體管，具有被輸入通過(guò)所述光電轉(zhuǎn)換元件產(chǎn)生的電流的基極，并且所述晶體管放大輸入的電流并從該晶體管的發(fā)射極輸出放大的電流；對(duì)數(shù)轉(zhuǎn)換單元，用于對(duì)數(shù)轉(zhuǎn)換從所述晶體管輸出的電流；電流產(chǎn)生單元，用于將電流輸入到所述晶體管的基極；以及電流控制單元，用于基于在所述光電轉(zhuǎn)換元件的遮光狀態(tài)下被所述對(duì)數(shù)轉(zhuǎn)換單元進(jìn)行對(duì)數(shù)轉(zhuǎn)換的信號(hào)來(lái)控制從所述電流產(chǎn)生單元輸出的電流。參照附圖閱讀示例性實(shí)施例的以下描述，本發(fā)明的其它特征將變得清晰。


圖I是根據(jù)本發(fā)明的第一實(shí)施例的光電轉(zhuǎn)換設(shè)備的示意性配置圖。圖2是根據(jù)本發(fā)明的第一實(shí)施例的電流控制單元的說(shuō)明圖。圖3是描述光電晶體管的電流放大比具有基極電流依賴性的說(shuō)明圖。圖4是根據(jù)本發(fā)明的第一實(shí)施例的光電轉(zhuǎn)換特性圖。圖5是根據(jù)本發(fā)明的第二實(shí)施例的電流產(chǎn)生單元的詳細(xì)示圖。圖6是根據(jù)本發(fā)明的第三實(shí)施例的電流產(chǎn)生單元的詳細(xì)示圖。圖7是根據(jù)本發(fā)明的第四實(shí)施例的電流產(chǎn)生單元的詳細(xì)示圖。
具體實(shí)施例方式現(xiàn)在將根據(jù)附圖詳細(xì)描述本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例。將參照具體的實(shí)施例描述本發(fā)明。在本說(shuō)明書(shū)中，基極與光電轉(zhuǎn)換元件連接的晶體管被稱為光電晶體管。注意，該術(shù)語(yǔ)只意味著其基極與光電轉(zhuǎn)換元件連接，不應(yīng)以任何方式被解釋為對(duì)功能等進(jìn)行限制。特別地，形成光電轉(zhuǎn)換元件的陽(yáng)極的半導(dǎo)體區(qū)域可被晶體管的基極共享。(第一實(shí)施例)圖I是示出根據(jù)本發(fā)明的第一實(shí)施例的光電轉(zhuǎn)換設(shè)備的示意性配置圖。圖I包括光電晶體管I和光電轉(zhuǎn)換元件2(例如，光電二極管)，這里，光電轉(zhuǎn)換元件2的陰極與電源電壓節(jié)點(diǎn)連接。光電晶體管I被配置為使得其基極與光電轉(zhuǎn)換元件2的陽(yáng)極連接并且其集電極與電源電壓節(jié)點(diǎn)連接。光電轉(zhuǎn)換元件2通過(guò)光電轉(zhuǎn)換將光轉(zhuǎn)換成電信號(hào)以產(chǎn)生電流 (光電流)。光電晶體管I從其基極輸入由光電轉(zhuǎn)換兀件2產(chǎn)生的電流、放大輸入的電流并且從發(fā)射極輸出放大的電流。圖I還包括對(duì)數(shù)轉(zhuǎn)換單元3，所述對(duì)數(shù)轉(zhuǎn)換單元3包含晶體管31、32和33以及恒流源34。雙極(bipolar)晶體管31被配置為使得其集電極與光電晶體管I的發(fā)射極連接，并且其發(fā)射極與基準(zhǔn)電壓節(jié)點(diǎn)(地電勢(shì)節(jié)點(diǎn))連接。場(chǎng)效應(yīng)晶體管 33被配置為使得其柵極與光電晶體管I的發(fā)射極連接，其漏極與電源電壓節(jié)點(diǎn)連接，并且其源極與雙極晶體管31的基極連接。恒流源34連接在雙極晶體管31的基極和基準(zhǔn)電壓節(jié)點(diǎn)之間。雙極晶體管32被配置為使得其基極與雙極晶體管31的基極連接，并且其集電極與電源電壓節(jié)點(diǎn)連接。對(duì)數(shù)轉(zhuǎn)換單元3對(duì)數(shù)轉(zhuǎn)換并輸出從光電晶體管I輸出的電流。圖 I還包括信號(hào)累積單元4，所述信號(hào)累積單元4包含信號(hào)累積電容器41和晶體管42。場(chǎng)效應(yīng)晶體管42被配置為使得其柵極與端子43連接，其漏極與雙極晶體管32的發(fā)射極連接， 并且其源極與端子Vout連接。信號(hào)累積電容器41連接在端子Vout和基準(zhǔn)電壓節(jié)點(diǎn)之間。 信號(hào)累積單元4在信號(hào)累積電容器41中累積通過(guò)對(duì)數(shù)轉(zhuǎn)換單元3對(duì)數(shù)轉(zhuǎn)換的信號(hào)(光電流)，以保持可作為電壓信號(hào)從端子Vout取得的光電流時(shí)間累積信號(hào)?？赏ㄟ^(guò)端子43的電壓控制即通過(guò)接通和關(guān)斷晶體管42來(lái)控制累積時(shí)間。圖I還包括電流產(chǎn)生單元5，所述電流產(chǎn)生單元5輸出用于將載流子注入到光電晶體管I的基極的電流la。圖I還包括電流控制單元6，所述電流控制單元6基于在光電轉(zhuǎn)換元件2的遮光狀態(tài)中在位于信號(hào)累積單元4 中的信號(hào)累積電容器41中累積的信號(hào)來(lái)控制從電流產(chǎn)生單元5輸出的電流la。電流控制單元6可通過(guò)監(jiān)視當(dāng)光電轉(zhuǎn)換設(shè)備執(zhí)行與在遮光狀態(tài)中的光累積操作相同的累積操作時(shí)的輸出端子Vout的輸出電壓來(lái)控制輸出電流la。圖2是示出電流控制單元6的配置例子的框圖。圖2包括比較預(yù)設(shè)值與在信號(hào)累積電容器41中累積的信號(hào)的值的信號(hào)比較單元61。上述的預(yù)設(shè)值為例如允許在光電轉(zhuǎn)換元件2的遮光狀態(tài)中預(yù)先(preliminarily)測(cè)量的光電晶體管I的電流放大比基本上為理想值的發(fā)射極電壓。圖2還包括基于信號(hào)比較單元61的比較結(jié)果而執(zhí)行用于控制電流產(chǎn)生單元5的計(jì)算的控制計(jì)算單元62。圖2還包括輸出用于基于控制計(jì)算單元62的計(jì)算結(jié)果而控制電流產(chǎn)生單元5的控制信號(hào)的控制信號(hào)產(chǎn)生單元63。圖3是示出低的光強(qiáng)度處的光電晶體管I的電流放大比的降低的曲線圖。在圖3 中，橫軸表示光電晶體管I的基極電流，并且，縱軸表示光電晶體管I的電流放大比。圖3 示出表示光電晶體管I的電流放大比不依賴于光電晶體管I的基極電流的“理想”特性和具有基極電流依賴性的“實(shí)際測(cè)量”。如圖3所示，隨著基極電流減小，實(shí)際電流放大比減小。其原因是，當(dāng)基極電流減小到最小時(shí)，基極和發(fā)射極之間的再結(jié)合電流成分是電流的主要成分，從而導(dǎo)致從發(fā)射極到集電極的載流子的注入不足。作為結(jié)果，在光電轉(zhuǎn)換設(shè)備的低光強(qiáng)度區(qū)域中，光電轉(zhuǎn)換特性的線性劣化。圖4是示出圖I所示的光電轉(zhuǎn)換設(shè)備的光電轉(zhuǎn)換特性的例子的曲線圖。在圖4中， 橫軸表不等于光電晶體管I的基極電流的光電流，縱軸表不輸出端子Vout的輸出電壓。在圖4中，由“理想”指示的繪制線表示光電晶體管I的電流放大比是理想的。在圖4中，由 “現(xiàn)有技術(shù)”指示的繪制線相當(dāng)于不從圖I所示的電流產(chǎn)生單元5輸出電流Ia的情況。在這種情況下，關(guān)于由“理想”指示的繪制線，光電流的降低使線性劣化。與此對(duì)照，圖4中的由“實(shí)施例”指示的繪制線相當(dāng)于從圖I所示的電流產(chǎn)生單元5輸出適當(dāng)?shù)碾娏鱅a的情況， 從而指示低光強(qiáng)度區(qū)域中的光電轉(zhuǎn)換特性的線性的改善。因此，通過(guò)輸出用于將載流子從圖I所示的電流產(chǎn)生單元5注入到光電晶體管I 的基極的電流Ia，改善低光強(qiáng)度處的光電轉(zhuǎn)換特性的線性。此外，可通過(guò)電流控制單元6控制要從電流產(chǎn)生單元5輸出的電流la。例如，可以考慮這樣一種方法，在該方法中，預(yù)先設(shè)定光電晶體管I的電流放大比不依賴于基極電流的理想情況下的遮光時(shí)的累積信號(hào)值；然后，基于預(yù)設(shè)的累積信號(hào)值與當(dāng)在遮光狀態(tài)中執(zhí)行累積操作時(shí)輸出端子Vout的輸出電壓之間的差值電壓來(lái)控制電流產(chǎn)生單元5。電流控制單元6基于在光電轉(zhuǎn)換元件2的遮光狀態(tài)中在信號(hào)累積單元4中累積的信號(hào)值與在光電晶體管I的電流放大比不具有基極電流依賴性的情況下的信號(hào)值之間的差值來(lái)控制要從電流產(chǎn)生單元5輸出的電流la。遮光時(shí)的累積操作的累積時(shí)段與光入射時(shí)的累積操作的累積時(shí)段相同。本實(shí)施例可利用對(duì)數(shù)轉(zhuǎn)換特性，以改善低光強(qiáng)度區(qū)域中的光電轉(zhuǎn)換特性，并且輸出不影響電流放大比不依賴于基極電流的光強(qiáng)度區(qū)域中的光電轉(zhuǎn)換特性的適當(dāng)?shù)碾娏鱨a。 作為結(jié)果，本實(shí)施例不需要在后面的級(jí)(stage)中具有用于校正加到光電晶體管I上的電流成分的電路，并且不需要在光累積時(shí)段期間控制輸出電流la。因此，本實(shí)施例可以在不使電路配置和系統(tǒng)配置復(fù)雜化的情況下改善光電轉(zhuǎn)換特性的線性。此外，電流產(chǎn)生單元5可在光累積時(shí)段期間僅輸出恒定電流Ia，并且不需要根據(jù)入射到光電轉(zhuǎn)換元件2上的光的量和累積時(shí)間在光累積時(shí)段期間控制電流la。電流產(chǎn)生單元5在接通晶體管42并且在信號(hào)累積單元4中寫(xiě)入信號(hào)的時(shí)段期間在光電轉(zhuǎn)換元件2的光入射狀態(tài)(非遮光狀態(tài))中輸出恒定電流值。因此，本實(shí)施例可以在不使電路配置和系統(tǒng)配置復(fù)雜化的情況下改善光電轉(zhuǎn)換特性的線性。本實(shí)施例包括基于光電晶體管I的光電流值來(lái)控制電流產(chǎn)生單元5的電流控制單元6。因此，無(wú)論光電晶體管I的電流放大比降低和光電晶體管的制造變化，本實(shí)施例都可將適當(dāng)?shù)妮d流子注入光電晶體管I的基極中并且獲得良好的光電轉(zhuǎn)換特性。已通過(guò)以對(duì)于每個(gè)光電晶體管I設(shè)置電流產(chǎn)生單元5和電流控制單元6的對(duì)的情況為例描述了本實(shí)施例，但是，本發(fā)明不限于這種情況。例如，在光電轉(zhuǎn)換設(shè)備包括多個(gè)光電晶體管的情況下，可僅針對(duì)典型的光電晶體管設(shè)置電流控制單元6，以控制電流產(chǎn)生單元 5，由此獲得類似的效果。(第二實(shí)施例)圖5是根據(jù)本發(fā)明的第二實(shí)施例的電流產(chǎn)生單元5的配置例子。圖5示出進(jìn)一步詳細(xì)描述圖I中的電流產(chǎn)生單元5的實(shí)施例。圖5中的光電晶體管I、光電轉(zhuǎn)換元件2、對(duì)數(shù)轉(zhuǎn)換單元3、信號(hào)累積單元4和電流控制單元6與圖I中的相同。電流產(chǎn)生單元5包含電阻器兀件55和電壓源56。電阻器兀件55的一端與光電轉(zhuǎn)換兀件2的陽(yáng)極和光電晶體管I 的基極電連接；電阻器元件55的另一端與電壓Va的電壓節(jié)點(diǎn)連接。電壓源56通過(guò)電流控制單元6的控制而產(chǎn)生電壓Va。具體地，電壓源56向電阻器元件55供給產(chǎn)生要加到光電晶體管I的基極的電流Ia所需的適當(dāng)?shù)碾妷篤a。因此，由以上的原因，本實(shí)施例可改善低光強(qiáng)度區(qū)域中的光電轉(zhuǎn)換特性的線性。已通過(guò)以對(duì)于每個(gè)光電晶體管I設(shè)置電流控制單元 6和電壓源56的對(duì)的情況為例描述了本實(shí)施例，但是，本發(fā)明不限于這種情況。例如，在光電轉(zhuǎn)換設(shè)備包括多個(gè)光電晶體管的情況下，可與多個(gè)光電晶體管共享電壓源56,并且,可僅針對(duì)典型的光電晶體管設(shè)置電流控制單元6，以控制電壓源56，由此獲得類似的效果。(第三實(shí)施例)圖6是根據(jù)本發(fā)明的第三實(shí)施例的電流產(chǎn)生單元5的配置例子。圖6示出進(jìn)一步詳細(xì)描述圖I中的電流產(chǎn)生單元5的實(shí)施例。圖6中的光電晶體管I、光電轉(zhuǎn)換元件2、對(duì)數(shù)轉(zhuǎn)換單元3、信號(hào)累積單元4和電流控制單元6與圖I中的相同。電流產(chǎn)生單元5包含可變電阻器兀件57。可變電阻器兀件57的一端與光電轉(zhuǎn)換兀件2的陽(yáng)極和光電晶體管I的基極電連接；可變電阻器元件57的另一端與諸如電壓源的恒定電壓Va的節(jié)點(diǎn)電連接?？勺冸娮杵髟?7的電阻器值由電流控制單元6控制，并由此可以控制要加到光電晶體管I 的基極的電流Ia。因此，在光電轉(zhuǎn)換設(shè)備包括多個(gè)光電晶體管的情況下，可根據(jù)每個(gè)光電晶體管的特性供給適當(dāng)?shù)妮敵鲭娏鱅a。作為結(jié)果，多像素化的光電轉(zhuǎn)換設(shè)備可獲得良好的光電轉(zhuǎn)換特性。(第四實(shí)施例)圖7是根據(jù)本發(fā)明的第四實(shí)施例的電流產(chǎn)生單元5的配置例子。圖7示出進(jìn)一步詳細(xì)描述圖I中的電流產(chǎn)生單元5的實(shí)施例。圖7中的光電晶體管I、光電轉(zhuǎn)換元件2、對(duì)數(shù)轉(zhuǎn)換單元3、信號(hào)累積單元4和電流控制單元6與圖I中的相同。電流產(chǎn)生單元5包含P 型MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管58。P型MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管58被配置為使得其漏極與諸如電壓源的恒定電壓Va的節(jié)點(diǎn)電連接；其源極與光電轉(zhuǎn)換元件2的陽(yáng)極和光電晶體管I的基極電連接； 其柵極與電流控制單元6電連接。但是，連接關(guān)系不限于上面所述的那些，例如，場(chǎng)效應(yīng)晶體管58的源極和漏極之一可以與恒定電壓Va的節(jié)點(diǎn)連接，該場(chǎng)效應(yīng)晶體管的源極和漏極中的另一個(gè)可以與光電晶體管I的基極連接。電流控制單元6可通過(guò)控制P型MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管58的柵極和源極之間的電壓來(lái)控制要加到光電晶體管I的基極的電流Ia。因此，在光電轉(zhuǎn)換設(shè)備包括多個(gè)光電晶體管的情況下，可根據(jù)每個(gè)光電晶體管的特性供給適當(dāng)?shù)妮敵鲭娏鱅a。此外，與具有圖5和圖6所示的電阻器元件的其它實(shí)施例相比，本實(shí)施例可用更容易的方式控制微電流(microcurrent)。而且,與使用電阻器元件的實(shí)施例相比,使用p 型MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管58的本實(shí)施例可減小元件的尺寸。作為結(jié)果，多像素化和微小型化的光電轉(zhuǎn)換設(shè)備可獲得良好的光電轉(zhuǎn)換特性。以上的實(shí)施例僅是體現(xiàn)本發(fā)明的例子，并且不應(yīng)被解釋為對(duì)于本發(fā)明的技術(shù)范圍進(jìn)行限制。具體地，在不背離本發(fā)明的技術(shù)思想或本質(zhì)特性的情況下，可以用各種形式實(shí)現(xiàn)本發(fā)明。雖然已參照示例性實(shí)施例描述了本發(fā)明，但應(yīng)理解，本發(fā)明不限于所公開(kāi)的示例性實(shí)施例。所附權(quán)利要求的范圍應(yīng)被賦予最寬的解釋以包含所有這樣的變更方式以及等同的結(jié)構(gòu)和功能。
權(quán)利要求
1.一種光電轉(zhuǎn)換設(shè)備，包括光電轉(zhuǎn)換元件，用于通過(guò)光電轉(zhuǎn)換產(chǎn)生電流；晶體管，具有被輸入通過(guò)所述光電轉(zhuǎn)換元件產(chǎn)生的電流的基極，所述晶體管放大輸入的電流并從該晶體管的發(fā)射極輸出放大的電流；對(duì)數(shù)轉(zhuǎn)換單元，用于對(duì)數(shù)轉(zhuǎn)換從所述晶體管輸出的電流；電流產(chǎn)生單元，用于將電流輸入到所述晶體管的基極；以及電流控制單元，用于基于在所述光電轉(zhuǎn)換元件的遮光狀態(tài)下通過(guò)所述對(duì)數(shù)轉(zhuǎn)換單元被對(duì)數(shù)轉(zhuǎn)換的信號(hào)而控制從所述電流產(chǎn)生單元輸出的電流。
2.根據(jù)權(quán)利要求I的光電轉(zhuǎn)換設(shè)備，其中所述電流產(chǎn)生單元包括信號(hào)比較單元，用于比較通過(guò)所述對(duì)數(shù)轉(zhuǎn)換單元被對(duì)數(shù)轉(zhuǎn)換的信號(hào)的信號(hào)值與預(yù)先確定的值；和控制信號(hào)產(chǎn)生單元，用于基于所述信號(hào)比較單元的比較的結(jié)果而輸出用于控制所述電流產(chǎn)生單元的控制信號(hào)。
3.根據(jù)權(quán)利要求I的光電轉(zhuǎn)換設(shè)備，還包括信號(hào)累積單元，用于累積通過(guò)所述對(duì)數(shù)轉(zhuǎn)換單元被對(duì)數(shù)轉(zhuǎn)換的信號(hào)，其中所述電流控制單元基于在所述光電轉(zhuǎn)換元件的遮光狀態(tài)下由所述信號(hào)累積單元累積的信號(hào)而控制來(lái)自所述電流產(chǎn)生單元的輸出電流。
4.根據(jù)權(quán)利要求3的光電轉(zhuǎn)換設(shè)備,其中所述電流控制單元基于在所述光電轉(zhuǎn)換元件的遮光狀態(tài)下由所述信號(hào)累積單元累積的信號(hào)值與在所述晶體管的電流放大比沒(méi)有基極電流依賴性的條件下的信號(hào)值之間的差值來(lái)控制來(lái)自所述電流產(chǎn)生單元的輸出電流。
5.根據(jù)權(quán)利要求3的光電轉(zhuǎn)換設(shè)備,其中所述電流產(chǎn)生單元在所述光電轉(zhuǎn)換元件的光入射狀態(tài)下將信號(hào)寫(xiě)入到所述信號(hào)累積單元的時(shí)段期間輸出具有恒定值的電流。
6.根據(jù)權(quán)利要求I的光電轉(zhuǎn)換設(shè)備，其中所述電流產(chǎn)生單元包含電阻器元件，連接在電壓節(jié)點(diǎn)與所述晶體管的基極之間，電壓源，在所述電流控制單元的控制下產(chǎn)生所述電壓節(jié)點(diǎn)的電壓。
7.根據(jù)權(quán)利要求I的光電轉(zhuǎn)換設(shè)備，其中所述電流產(chǎn)生單元包含可變電阻器元件，連接在恒定電壓節(jié)點(diǎn)和所述晶體管的基極之間，并具有由所述電流控制單元控制的電阻值。
8.根據(jù)權(quán)利要求I的光電轉(zhuǎn)換設(shè)備，其中所述電流產(chǎn)生單元包含場(chǎng)效應(yīng)晶體管，所述場(chǎng)效應(yīng)晶體管的源極和漏極之一與恒定電壓節(jié)點(diǎn)連接，所述場(chǎng)效應(yīng)晶體管的源極和漏極中的另一個(gè)與所述晶體管的基極連接，并且，所述場(chǎng)效應(yīng)晶體管的柵極與所述電流控制單元連接。
全文摘要
本發(fā)明涉及光電轉(zhuǎn)換設(shè)備。提供無(wú)論光電晶體管的電流放大比降低和光電晶體管的制造變化都能夠獲得良好的光電轉(zhuǎn)換特性的光電轉(zhuǎn)換設(shè)備。所述光電轉(zhuǎn)換設(shè)備包括通過(guò)光電轉(zhuǎn)換產(chǎn)生電流的光電轉(zhuǎn)換元件；其基極被輸入通過(guò)光電轉(zhuǎn)換元件產(chǎn)生的電流的晶體管，所述晶體管放大輸入的電流并從發(fā)射極輸出放大的電流；對(duì)數(shù)轉(zhuǎn)換從晶體管輸出的電流的對(duì)數(shù)轉(zhuǎn)換單元；將電流輸出到晶體管的基極的電流產(chǎn)生單元；以及基于在光電轉(zhuǎn)換元件的遮光狀態(tài)下通過(guò)對(duì)數(shù)轉(zhuǎn)換單元被對(duì)數(shù)轉(zhuǎn)換的信號(hào)控制電流產(chǎn)生單元的輸出電流的電流控制單元。
文檔編號(hào)H04N5/3745GK102595056SQ20121000676
公開(kāi)日2012年7月18日 申請(qǐng)日期2012年1月11日 優(yōu)先權(quán)日2011年1月11日
發(fā)明者小林秀央, 黑田享裕 申請(qǐng)人:佳能株式會(huì)社