本發(fā)明涉及揚(yáng)聲器，特別涉及一種發(fā)聲裝置。

背景技術(shù)：

1、目前市場(chǎng)上的同軸揚(yáng)聲器，常規(guī)結(jié)構(gòu)基本都是高音揚(yáng)聲器放到低音揚(yáng)聲器的t鐵中柱上，高音在低音音圈內(nèi)部，在低音振動(dòng)發(fā)聲時(shí)，一部分氣流會(huì)從低音音圈和高音的間隙泄漏，不能實(shí)現(xiàn)密閉，從而低頻的下潛會(huì)變差，聲音會(huì)不純，這樣導(dǎo)致常規(guī)同軸揚(yáng)聲器，不能實(shí)現(xiàn)密閉防水等要求，應(yīng)用場(chǎng)景非常局限。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、本發(fā)明的主要目的是提出一種發(fā)聲裝置，旨在解決傳統(tǒng)的同軸揚(yáng)聲器結(jié)構(gòu)在使用的過程中低頻的下潛較差，聲音會(huì)不純并且難以滿足防水要求，應(yīng)用場(chǎng)景非常局限的問題。

2、為實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提出的發(fā)聲裝置，包括：

3、裝置殼體；以及，

4、振膜結(jié)構(gòu)，包括均設(shè)于所述裝置殼體的同一側(cè)的多個(gè)振膜，各所述振膜均能夠被獨(dú)立驅(qū)動(dòng)發(fā)聲，多個(gè)所述振膜包括呈相鄰設(shè)置的兩個(gè)鄰設(shè)振膜，兩個(gè)所述鄰設(shè)振膜中的至少一個(gè)呈環(huán)狀設(shè)置，以使得兩個(gè)所述鄰設(shè)振膜能夠沿內(nèi)外向布設(shè)；

5、其中，兩個(gè)所述鄰設(shè)振膜在內(nèi)外向間隔設(shè)置，且通過密封連接部連接，和/或，兩個(gè)所述鄰設(shè)振膜至少部分相互疊設(shè)，以使得所述發(fā)聲裝置在所述振膜結(jié)構(gòu)的一側(cè)至少部分呈密封設(shè)置。

技術(shù)特征：

1.一種發(fā)聲裝置，其特征在于，包括：

2.如權(quán)利要求1所述的發(fā)聲裝置，其特征在于，多個(gè)所述振膜包括由外向內(nèi)依次布設(shè)的第一振膜、第二振膜以及第三振膜，所述第一振膜和所述第二振膜呈環(huán)狀設(shè)置；

3.如權(quán)利要求2所述的發(fā)聲裝置，其特征在于，所述發(fā)聲裝置還包括音圈結(jié)構(gòu)，所述音圈結(jié)構(gòu)包括第一音圈、第二音圈以及第三音圈，所述第一音圈對(duì)應(yīng)驅(qū)動(dòng)所述第一振膜振動(dòng)發(fā)聲，所述第二音圈對(duì)應(yīng)驅(qū)動(dòng)所述第二振膜振動(dòng)發(fā)聲，所述第三音圈對(duì)應(yīng)驅(qū)動(dòng)所述第三振膜振動(dòng)發(fā)聲；

4.如權(quán)利要求1所述的發(fā)聲裝置，其特征在于，所述發(fā)聲裝置還包括：

5.如權(quán)利要求4所述的發(fā)聲裝置，其特征在于，兩個(gè)所述鄰設(shè)振膜包括處在外側(cè)的第一振膜以及處在內(nèi)側(cè)的第二振膜；

6.如權(quán)利要求1所述的發(fā)聲裝置，其特征在于，所述發(fā)聲裝置還包括磁路結(jié)構(gòu)，在所述磁路結(jié)構(gòu)上形成有第一磁路和第二磁路；

7.如權(quán)利要求6所述的發(fā)聲裝置，其特征在于，所述第一導(dǎo)磁體包括：

8.如權(quán)利要求7所述的發(fā)聲裝置，其特征在于，所述磁路結(jié)構(gòu)還包括設(shè)于所述盤體上的第一環(huán)形磁體，設(shè)于所述第一環(huán)形磁體上的第一華司，所述第一環(huán)形磁體和所述第一華司均處在所述第一磁路上；和/或，

9.如權(quán)利要求6所述的發(fā)聲裝置，其特征在于，在所述磁路結(jié)構(gòu)上形成有第三磁路，多個(gè)所述振膜還包括處在所述第二振膜內(nèi)的第三振膜；

10.如權(quán)利要求9所述的發(fā)聲裝置，其特征在于，所述發(fā)聲裝置還包括安裝支架，所述安裝支架的一端連接于所述第一導(dǎo)磁體，在所述安裝支架的另一端形成有容置槽，所述第三振膜罩設(shè)在所述容置槽的槽口處；

11.如權(quán)利要求10所述的發(fā)聲裝置，其特征在于，所述第一導(dǎo)磁體的中部位置呈中空設(shè)置以形成穿設(shè)孔；

12.如權(quán)利要求1所述的發(fā)聲裝置，其特征在于，兩個(gè)所述鄰設(shè)振膜包括處在外側(cè)的第一振膜以及處在內(nèi)側(cè)的第二振膜；

13.如權(quán)利要求12所述的發(fā)聲裝置，其特征在于，所述第一音圈電連接有第一接引線，所述第二音圈電連接有第二接引線；

技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明公開了一種發(fā)聲裝置，涉及揚(yáng)聲器技術(shù)領(lǐng)域，其中，所述發(fā)聲裝置包括裝置殼體和振膜結(jié)構(gòu)，振膜結(jié)構(gòu)包括均設(shè)于所述裝置殼體的同一側(cè)的多個(gè)振膜，各所述振膜均能夠被獨(dú)立驅(qū)動(dòng)發(fā)聲，多個(gè)所述振膜包括呈相鄰設(shè)置的兩個(gè)鄰設(shè)振膜，兩個(gè)所述鄰設(shè)振膜中的至少一個(gè)呈環(huán)狀設(shè)置，以使得兩個(gè)所述鄰設(shè)振膜能夠沿內(nèi)外向布設(shè)，其中，兩個(gè)所述鄰設(shè)振膜在內(nèi)外向間隔設(shè)置，且通過密封連接部連接，和/或，兩個(gè)所述鄰設(shè)振膜至少部分相互疊設(shè)，以使得所述發(fā)聲裝置在所述振膜結(jié)構(gòu)的一側(cè)至少部分呈密封設(shè)置。

技術(shù)研發(fā)人員：趙福彬,陳雙,陳信文
受保護(hù)的技術(shù)使用者：通力科技股份有限公司
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2025/5/15