技術(shù)編號：41950467
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本申請涉及半導(dǎo)體外延，特別涉及一種半導(dǎo)體外延片及其制備方法。背景技術(shù)、iii-v族氮化物半導(dǎo)體材料以及它們相關(guān)的合金和異質(zhì)結(jié)以其優(yōu)越的性能，在光電子和微電子器件領(lǐng)域的應(yīng)用中占據(jù)著重要的地位。由于iii族氮化物一般在藍(lán)寶石或sic等異質(zhì)襯底上進(jìn)行異質(zhì)外延，不同材料之間的晶格常數(shù)和熱失配會產(chǎn)生位錯或缺陷，并隨著外延層的生長而向上延伸，這些位錯在器件工作時表現(xiàn)為非輻射復(fù)合中心而影響器件效率，同時作為漏電通道引起漏電流增大而使器件迅速老化，影響器件的工作效率及壽命，制約了其在半導(dǎo)體電子領(lǐng)域中的應(yīng)用。技...
注意：該技術(shù)已申請專利，請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。
該類技術(shù)注重原理思路，無完整電路圖，適合研究學(xué)習(xí)。