技術(shù)編號：41950637
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及iii族氮化物晶體管器件和制造iii族氮化物晶體管器件的方法。背景技術(shù)、迄今為止，功率電子應(yīng)用中使用的晶體管通常是用硅(si)半導(dǎo)體材料制造的。用于功率應(yīng)用的常見晶體管器件包括si?si功率mosfet和si絕緣柵雙極晶體管(igbt)。最近，考慮碳化硅(sic)功率器件。例如氮化鎵(gan)器件之類的iii-n族半導(dǎo)體器件正在成為具有吸引力的候選，以承載大電流、支持高壓并提供非常低的導(dǎo)通電阻和快速開關(guān)時間。期望對iii族氮化物晶體管器件的進一步改進。技術(shù)實現(xiàn)思路、根據(jù)本發(fā)明，提供...
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該專利適合技術(shù)人員進行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。
該類技術(shù)注重原理思路，無完整電路圖，適合研究學(xué)習(xí)。