技術(shù)編號(hào)：41952193
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒(méi)有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本公開(kāi)涉及半導(dǎo)體處理，尤其涉及工藝進(jìn)流系統(tǒng)、工藝進(jìn)流控制方法及半導(dǎo)體工藝設(shè)備。背景技術(shù)、半導(dǎo)體加工工藝中在做到小尺寸高深寬比孔（如cd<.um，深寬比>:）的鎢薄膜沉積填充時(shí)，需要用到脈沖成核的工藝。脈沖成核能大大提高鎢薄膜沉積的填孔能力，芯片加工的許多先進(jìn)制程都會(huì)選用脈沖成核鎢填孔。具體的，脈沖成核鎢（pulsed?nucleationlayer,?pnl）是一種用于鎢沉積前的處理技術(shù)，主要應(yīng)用于半導(dǎo)體制造中的鎢插塞工藝。脈沖成核鎢技術(shù)通過(guò)在接觸孔內(nèi)交替通入如六氟化鎢（w...
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