技術(shù)編號：41953440
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明屬于半導體，涉及一種具有梳狀通道結(jié)構(gòu)的抗單粒子gan?hemt器件。背景技術(shù)、氮化鎵(gan)基高電子遷移率晶體管(hemt)作為第三代半導體器件的代表，憑借其寬禁帶特性(.ev)、高臨界擊穿場強(.mv/cm)以及高電子飽和漂移速度(.×cm/s)，在射頻功率放大器和電力電子領域展現(xiàn)出革命性潛力。研究表明，氮化鋁(aln)與gan具有幾乎相同的飽和電子漂移速度，但其擊穿場強能夠達到mv/cm，禁帶寬度是gan的兩倍，因此，將gan和aln的合金algan作為溝道材...
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該專利適合技術(shù)人員進行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。
該類技術(shù)注重原理思路，無完整電路圖，適合研究學習。