技術編號：41954265
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發(fā)明涉及半導體領域，尤其涉及一種薄膜沉積設備及制備方法。背景技術、隨著集成電路制造工藝的不斷發(fā)展，原子層沉積（atomic?layer?deposition，ald）技術作為一種重要的薄膜制備方法逐漸得到廣泛應用，能夠?qū)崿F(xiàn)原子級別的精確控制。、原子層沉積作為一種先進的薄膜沉積方法，通過兩種反應物在襯底表面循環(huán)反應，逐層沉積形成薄膜。原子層沉積憑借其優(yōu)異的薄膜均勻性、精確的厚度控制以及良好的臺階覆蓋能力，在半導體、微電子、光學器件等領域具有廣泛的應用前景。近年來，隨著器件尺寸的不斷縮小，對原...
注意：該技術已申請專利，請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權人授權前，僅供技術研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術人員進行技術研發(fā)參考以及查看自身技術是否侵權，增加技術思路，做技術知識儲備，不適合論文引用。