技術(shù)編號(hào)：41954267
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒(méi)有賬戶(hù)請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制造，具體為一種使用高頻脈沖電源生長(zhǎng)濺射銅膜的工藝方法。背景技術(shù)、但隨著晶體管尺寸不斷縮小，接近物理極限時(shí)，傳統(tǒng)的平面集成電路制造工藝面臨著諸多挑戰(zhàn)，如短溝道效應(yīng)、漏電流增加、功耗密度上升等問(wèn)題，繼續(xù)通過(guò)縮小晶體管尺寸來(lái)提升芯片性能變得愈發(fā)困難且成本高昂。這促使半導(dǎo)體行業(yè)尋求新的技術(shù)途徑來(lái)延續(xù)芯片性能的提升，三維集成技術(shù)作為一種有效的解決方案應(yīng)運(yùn)而生，而硅穿孔或硅通孔技術(shù)作為實(shí)現(xiàn)三維集成中芯片間垂直互連的關(guān)鍵技術(shù)，受到了廣泛關(guān)注。其中，硅穿孔或硅通孔技術(shù)一般使用ecp電鍍銅作為...
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