技術(shù)編號(hào)：41954454
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制造，尤其涉及一種靜電放電防護(hù)器件及其形成方法。背景技術(shù)、靜電放電(electro-static?discharge，縮寫為esd)現(xiàn)象可能導(dǎo)致元器件內(nèi)部線路受損，直接影響產(chǎn)品的正常使用壽命，甚至造成產(chǎn)品的損壞。因此，在芯片設(shè)計(jì)時(shí)，在芯片內(nèi)部的端口上，設(shè)計(jì)靜電放電防護(hù)器件十分必要。、可控硅(silicon?controlled?rectifier，縮寫為scr)靜電防護(hù)器件由于其自身的正反饋機(jī)制，具有單位面積泄放電流高、導(dǎo)通電阻小、魯棒性強(qiáng)、防護(hù)級(jí)別高的優(yōu)點(diǎn)，能夠以較小的版圖...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。
該類技術(shù)注重原理思路，無完整電路圖，適合研究學(xué)習(xí)。