技術(shù)編號(hào):41954504
提示:您尚未登錄,請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒(méi)有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ,登陸完成后,請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明實(shí)施例涉及半導(dǎo)體制造領(lǐng)域,尤其涉及一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其形成方法。背景技術(shù)、閃存(flash)是一種非揮發(fā)性存儲(chǔ)器(non-volatile?memory,nvm)。閃存的主要特點(diǎn)是在不加電的情況下能長(zhǎng)期保持存儲(chǔ)的信息,且具有集成度高、存取速度快、易于擦除和重寫(xiě)等優(yōu)點(diǎn),因而在微機(jī)、自動(dòng)化控制等多項(xiàng)領(lǐng)域得到了廣泛的應(yīng)用。、根據(jù)結(jié)構(gòu)不同,閃存可分為或非閃存(nor?flash)和與非閃存(nand?flash)兩種。其中,nor?flash,也稱(chēng)為編碼型快閃記憶體。因?yàn)榫邆淇芍苯訄?zhí)行代碼、可靠...
注意:該技術(shù)已申請(qǐng)專(zhuān)利,請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出,在未取得專(zhuān)利權(quán)人授權(quán)前,僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專(zhuān)利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán),增加技術(shù)思路,做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備,不適合論文引用。
該類(lèi)技術(shù)注重原理思路,無(wú)完整電路圖,適合研究學(xué)習(xí)。