技術(shù)編號：41954666
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本公開涉及半導(dǎo)體集成電路領(lǐng)域，具體地，涉及一種強(qiáng)化氮化鉭薄膜的方法。背景技術(shù)、隨著半導(dǎo)體集成電路的尺寸不斷縮小到nm以下，柵極介質(zhì)層的厚度也隨之降低到nm以下，這會造成傳統(tǒng)的晶體管結(jié)構(gòu)的柵極泄漏電流的產(chǎn)生，為了改善上述問題，常利用高k介質(zhì)材料取代sion作為柵氧化層，并且，利用金屬柵代替多晶硅柵，這種稱為hkmg工藝技術(shù)。、在現(xiàn)有的hkmg工藝技術(shù)中在高k介質(zhì)的柵氧化層上方一般設(shè)置阻礙層，阻礙層由氮化鈦層和設(shè)置在氮化鈦層上方的氮化鉭層組成，一方面能夠阻擋位于氮化鉭層上方的離子進(jìn)入高k介...
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