技術(shù)編號(hào)：41954746
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒(méi)有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本公開(kāi)總體上涉及磁隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(mram)領(lǐng)域，并且更具體地，涉及利用自旋轉(zhuǎn)移矩的mram器件。背景技術(shù)、諸如mram的磁存儲(chǔ)器利用磁性材料作為信息存儲(chǔ)介質(zhì)來(lái)存儲(chǔ)信息。例如，磁隧道結(jié)(mtj)可被用于mram，諸如自旋轉(zhuǎn)移矩mram(stt-mram)。mtj通常包括參考層、自由層以及參考層與自由層之間的隧道勢(shì)壘層。參考層和自由層是磁性的。參考層的磁矩通常在特定方向上固定的或釘扎的(pinned)。自由層具有可變的磁矩并用于存儲(chǔ)信息。mtj下方的底部接觸和mtj上的頂部接觸用于在stt-mr...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專(zhuān)利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專(zhuān)利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專(zhuān)利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。
該類(lèi)技術(shù)注重原理思路，無(wú)完整電路圖，適合研究學(xué)習(xí)。