技術(shù)編號：41956368
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本公開涉及分層半導(dǎo)體器件，并且在一些非限制性示例中涉及具有多個子像素發(fā)射區(qū)域的分層光電子器件，每個子像素包括由半導(dǎo)體層分開的第一電極和第二電極，其中這些電極、至少一種顆粒結(jié)構(gòu)、電耦接到這些電極的導(dǎo)電涂層以及透射區(qū)域中的至少一者可以通過沉積圖案化涂層來圖案化，該圖案化涂層可以充當(dāng)和可以是成核抑制涂層中的至少一者。背景技術(shù)、在諸如有機(jī)發(fā)光二極管(oled)的光電子器件中，包括發(fā)射層的至少一個半導(dǎo)電層可設(shè)置在一對電極(諸如陽極和陰極)之間。陽極和陰極可與電源電耦接，并且分別產(chǎn)生空穴和電子，這些空穴和...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。
該類技術(shù)注重原理思路，無完整電路圖，適合研究學(xué)習(xí)。