技術(shù)編號(hào):41958505
提示:您尚未登錄,請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒(méi)有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ,登陸完成后,請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本申請(qǐng)涉及半導(dǎo)體制造領(lǐng)域,尤其涉及一種存儲(chǔ)單元、存儲(chǔ)單元的形成方法、數(shù)據(jù)寫(xiě)入方法及存儲(chǔ)器。背景技術(shù)、自旋軌道力矩磁性隨機(jī)存儲(chǔ)器(spin?orbit?torque?magnetic?randomaccessmemory,簡(jiǎn)稱sot-mram)作為新型的存儲(chǔ)器,寫(xiě)入速度快,可以達(dá)到亞納秒寫(xiě)入速度。寫(xiě)電流密度低,可以比基于自旋轉(zhuǎn)移力矩的二端器件低數(shù)量級(jí)。此外,sot-mram的讀寫(xiě)分離,讀信息基于磁性隧道結(jié)(magnetic?tunnel?junctions,mtj)的隧道磁電阻tmr。、so...
注意:該技術(shù)已申請(qǐng)專利,請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出,在未取得專利權(quán)人授權(quán)前,僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán),增加技術(shù)思路,做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備,不適合論文引用。
該類技術(shù)注重原理思路,無(wú)完整電路圖,適合研究學(xué)習(xí)。