技術(shù)編號：41958936
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明涉及化學氣相沉積，更為具體地，涉及一種晶圓冷卻處理裝置、方法及半導體工藝設(shè)備。背景技術(shù)、化學氣相沉積(chemical?vapor?deposition，簡稱cvd)，主要是指利用含有薄膜元素的一種或幾種氣相化合物或單質(zhì)、在襯底表面上進行化學反應(yīng)生成薄膜的方法，是半導體工業(yè)中應(yīng)用最為廣泛的用來沉積多種材料的技術(shù)，包括大范圍的絕緣材料，大多數(shù)金屬材料和金屬合金材料。、在現(xiàn)有的化學氣相沉積過程中，在經(jīng)過反應(yīng)室的處理后，需要對高溫狀態(tài)下的晶圓進行冷卻處理，該冷卻過程通常在負載冷卻腔室內(nèi)完成。...
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