1.一種成像系統(tǒng)檢測(cè)器陣列(112)，包括：
檢測(cè)器平鋪件(116)，所述檢測(cè)器平鋪件包括：
光傳感器陣列(202)，所述光傳感器陣列包括多個(gè)光敏像素(204)；
閃爍體陣列(212)，所述閃爍體陣列與所述光傳感器陣列光學(xué)地耦合；以及
電子器件層(214)，所述電子器件層與所述光傳感器陣列電學(xué)地聯(lián)接，所述電子器件層包括：多個(gè)單獨(dú)的處理區(qū)域(302)，每個(gè)處理區(qū)域包括與所述多個(gè)光敏像素的子集相對(duì)應(yīng)的預(yù)定數(shù)目的通道，其中所述處理區(qū)域彼此電通信，并且每個(gè)處理區(qū)域包括其自己的參考電路(802)和偏置電路(804)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的成像系統(tǒng)檢測(cè)器陣列，其中，所述電子器件層是包括多個(gè)所述電子器件層的單個(gè)的整體式裸片(218)的子部分。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的成像系統(tǒng)檢測(cè)器陣列，其中，所述電子器件層還包括：
由所述單個(gè)的整體式裸片的多個(gè)所述電子器件層中的至少兩個(gè)相鄰的電子器件層共用的數(shù)字電子器件區(qū)域的子部分。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的成像系統(tǒng)檢測(cè)器陣列，其中，所述數(shù)字電子器件區(qū)域位于所述處理區(qū)域中的至少兩個(gè)之間。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的成像系統(tǒng)檢測(cè)器陣列，其中，所述數(shù)字電子器件區(qū)域包括：第一子部分(12021)和第二子部分(12022)，其中所述處理區(qū)域位于所述數(shù)字電子器件區(qū)域的所述第一子部分和所述第二子部分之間。
6.根據(jù)權(quán)利要求2至5中的任一項(xiàng)所述的成像系統(tǒng)檢測(cè)器陣列，其中，所述電子器件層還包括：
由所述單個(gè)的整體式裸片的多個(gè)所述電子器件層中的至少兩個(gè)相鄰的電子器件層共用的模擬電子器件區(qū)域的子部分。
7.根據(jù)權(quán)利要求2至6中的任一項(xiàng)所述的成像系統(tǒng)檢測(cè)器陣列，其中，所述單個(gè)裸片包括512個(gè)通道，且所述檢測(cè)器平鋪件的所述電子器件層包括少于512個(gè)的通道。
8.根據(jù)權(quán)利要求2至6中的任一項(xiàng)所述的成像系統(tǒng)檢測(cè)器陣列，其中，所述檢測(cè)器平鋪件的所述電子器件層包括第一數(shù)目的通道，其中所述第一數(shù)目的通道來(lái)自由16、32、64、128或256個(gè)通道構(gòu)成的組，且所述單個(gè)裸片包括第二數(shù)目的通道，其中所述第二數(shù)目的通道多于所述第一數(shù)目的通道。
9.根據(jù)權(quán)利要求1至6中的任一項(xiàng)所述的成像系統(tǒng)檢測(cè)器陣列，其中，所述處理區(qū)域中的一個(gè)處理區(qū)域的所述參考電路和所述偏置電路在所述處理區(qū)域中的所述一個(gè)處理區(qū)域的內(nèi)部。
10.根據(jù)權(quán)利要求1至9中的任一項(xiàng)所述的成像系統(tǒng)檢測(cè)器陣列，其中，所述處理區(qū)域中的一個(gè)處理區(qū)域的所述參考電路和所述偏置電路在所述處理區(qū)域中的所述一個(gè)處理區(qū)域的外部。
11.根據(jù)權(quán)利要求1至10中的任一項(xiàng)所述的成像系統(tǒng)檢測(cè)器陣列，其中，所述電子器件層是具有功能性通道和非功能性通道的制成的裸片的子部分，其中所述電子器件層包括所述制成的裸片的功能性通道，且不包括所述制成的裸片的非功能性通道。
12.根據(jù)權(quán)利要求1至11中的任一項(xiàng)所述的成像系統(tǒng)檢測(cè)器陣列，所述電子器件層還包括：
電流-頻率(I/F)轉(zhuǎn)換器，所述轉(zhuǎn)換器產(chǎn)生一系列脈沖，所述脈沖具有指示入射到光敏像素上的x射線光子的脈沖頻率。
13.根據(jù)權(quán)利要求1至12中的任一項(xiàng)所述的成像系統(tǒng)檢測(cè)器陣列，所述電子器件層還包括：柔性材料、陶瓷材料、硅材料、或印刷電路板中的至少一種。
14.一種方法，包括：
制造和測(cè)試ASIC，所述ASIC包括第一數(shù)目的處理區(qū)域，每個(gè)處理區(qū)域包括預(yù)定數(shù)目的通道并且每個(gè)處理區(qū)域包括其自己的參考電路和偏置電路；
將所述ASIC分切成分別具有第二數(shù)目的通道和第三數(shù)目的通道的至少兩個(gè)全功能的通道減少的ASIC，其中所述第二數(shù)目的通道和所述第三數(shù)目的通道少于所述第一數(shù)目的通道；
將所述至少兩個(gè)全功能的通道減少的ASIC中的至少一個(gè)使用在成像系統(tǒng)的檢測(cè)器陣列中。
15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的方法，其中，所述方法還包括：
使用激光、機(jī)械鋸、或者劃刀中的一個(gè)來(lái)分切所述ASIC。
16.根據(jù)權(quán)利要求14或15所述的方法，其中，分切步驟移除所述ASIC的一定數(shù)量的材料，其中所述數(shù)量介于150微米或以下的范圍內(nèi)。
17.根據(jù)權(quán)利要求14到16中的任一項(xiàng)所述的方法，其中，所述至少兩個(gè)全功能的通道減少的ASIC包括在分切之前由所述至少兩個(gè)全功能的通道減少的ASIC共用的數(shù)字電子器件區(qū)域的子部分或在分切之前由所述至少兩個(gè)全功能的通道減少的ASIC共用的數(shù)字電子器件區(qū)域的子部分中的至少一個(gè)。
18.根據(jù)權(quán)利要求14到17中的任一項(xiàng)所述的方法，其中，所述ASIC包括512個(gè)通道，且所述至少兩個(gè)全功能的通道減少的ASIC包括少于512個(gè)的通道。
19.根據(jù)權(quán)利要求14到17中的任一項(xiàng)所述的方法，其中，所述至少兩個(gè)全功能的通道減少的ASIC分別包括第一數(shù)目的通道和第二數(shù)目的通道，且所述ASIC包括第三數(shù)目的通道，其中所述第三數(shù)目的通道多于所述第一數(shù)目的通道和所述第二數(shù)目的通道。
20.一種用于成像檢測(cè)器平鋪件(116)的ASIC(218)，包括：
多個(gè)單獨(dú)的處理區(qū)域(302)，每個(gè)處理區(qū)域包括與所述檢測(cè)器平鋪件的多個(gè)光敏像素的子集相對(duì)應(yīng)的預(yù)定數(shù)目的通道，其中所述處理區(qū)域彼此電通信，且每個(gè)處理區(qū)域包括其自己的參考電路(802)和偏置電路(804)。
21.根據(jù)權(quán)利要求20所述的ASIC，其中，所述多個(gè)單獨(dú)的處理區(qū)域中的每一個(gè)都是單個(gè)的整體式裸片(218)的子部分。
22.根據(jù)權(quán)利要求21所述的ASIC，其中，所述ASIC還包括：
由所述多個(gè)單獨(dú)的處理區(qū)域中的至少兩個(gè)共用的數(shù)字電子器件區(qū)域。
23.根據(jù)權(quán)利要求21所述的ASIC，其中，所述ASIC還包括：
由所述多個(gè)單獨(dú)的處理區(qū)域中的至少兩個(gè)共用的模擬電子器件區(qū)域。
24.根據(jù)權(quán)利要求21至23中的任一項(xiàng)所述的ASIC，其中，所述單個(gè)裸片包括512個(gè)通道，且所述多個(gè)單獨(dú)的處理區(qū)域包括少于512個(gè)的通道。
25.根據(jù)權(quán)利要求21至23中的任一項(xiàng)所述的ASIC，其中，所述多個(gè)單獨(dú)的處理區(qū)域包括第一數(shù)目的通道，其中所述第一數(shù)目的通道來(lái)自由16、32、64、128或256個(gè)通道構(gòu)成的組，且所述單個(gè)裸片包括第二數(shù)目的通道，其中所述第二數(shù)目的通道多于所述第一數(shù)目的通道。
26.根據(jù)權(quán)利要求20至25中的任一項(xiàng)所述的ASIC，其中，所述多個(gè)單獨(dú)的處理區(qū)域中的一個(gè)處理區(qū)域的所述參考電路和所述偏置電路在所述多個(gè)單獨(dú)的處理區(qū)域中的所述一個(gè)處理區(qū)域的內(nèi)部。
27.根據(jù)權(quán)利要求20至25中的任一項(xiàng)所述的ASIC，其中，所述多個(gè)單獨(dú)的處理區(qū)域中的一個(gè)處理區(qū)域的所述參考電路和所述偏置電路在所述多個(gè)單獨(dú)的處理區(qū)域中的所述一個(gè)處理區(qū)域的外部。
28.根據(jù)權(quán)利要求20至27中的任一項(xiàng)所述的ASIC，其中，所述多個(gè)單獨(dú)的處理區(qū)域能分成一個(gè)或多個(gè)全功能的通道減少的ASIC。
29.根據(jù)權(quán)利要求28所述的ASIC，其中，所述多個(gè)單獨(dú)的處理區(qū)域是第一清晰度或第一像素?cái)?shù)的檢測(cè)器的一部分，且能分成一個(gè)或多個(gè)第二清晰度或第二像素?cái)?shù)的檢測(cè)器，其中所述第一清晰度大于所述第二清晰度或所述第一像素?cái)?shù)大于所述第二像素?cái)?shù)。
30.根據(jù)權(quán)利要求20至29中的任一項(xiàng)所述的ASIC，其中，所述ASIC還包括：具有介于0.05微米至0.20微米的范圍內(nèi)的尺寸的至少一個(gè)特征。
31.根據(jù)權(quán)利要求20至30中的任一項(xiàng)所述的ASIC，其中，所述ASIC還包括：
電流-頻率(I/F)轉(zhuǎn)換器，所述轉(zhuǎn)換器產(chǎn)生一系列脈沖，所述脈沖具有指示入射到光敏像素上的x射線光子的脈沖頻率。