本發(fā)明涉及生物醫(yī)學工程領域，尤其是一種記錄麻醉狀態(tài)下多腦區(qū)單細胞的光電極。

背景技術：

光遺傳可以實現(xiàn)大腦神經(jīng)元實時、特異激活或者抑制，利用該項技術解析了許多控制情緒活動的神經(jīng)環(huán)路，向人類大腦的認識又更進一步。在解析神經(jīng)環(huán)路的研究中，為了能確定光遺傳刺激的效果往往需要同時記錄被刺激神經(jīng)元的電活動，光電極應運而成。光電極是在電極的基礎上，嵌入光遺傳學刺激系統(tǒng)實現(xiàn)的，現(xiàn)有的電極基本分為記錄場電位的和記錄單細胞的。

麻醉狀態(tài)下，多腦區(qū)電信號記錄中，一般同時采用多個電極，實現(xiàn)多個腦區(qū)同步記錄的目的。但是，若兩個目的腦區(qū)相距的距離較近時，由于體積原因兩個電極無法同時進行記錄。因此，需要一種可以實現(xiàn)近距離多腦區(qū)同時記錄的光電極。

技術實現(xiàn)要素：

本發(fā)明的目的在于提出一種記錄麻醉狀態(tài)下多腦區(qū)單細胞的光電極，其能夠同時對近距離的多個腦區(qū)進行記錄，結構簡單。

為達此目的，本發(fā)明采用以下技術方案：

一種記錄麻醉狀態(tài)下多腦區(qū)單細胞的光電極，包括連接器，其中，所述連接器上均勻設置有若干個銅片，相鄰的兩個所述銅片之間距離的整數(shù)倍等于待測兩腦區(qū)距離，所述連接器兩端的所述銅片分別連接地線和參比電極，兩端的所述銅片之間的兩個所述銅片上分別連接單電極和多通道電極，所述單電極和所述多通道電極之間的距離為待測兩腦區(qū)距離。

其中，一根光纖和若干根電極絲捆綁為一束形成所述多通道電極。

其中，所述電極絲為鎢絲。

其中，所述單電極為鎢絲。

其中，所述鎢絲的直徑小于1μm。

其中，所述連接器由聚乙烯材料制成。

其中，所述銅片通過3D打印技術設置于所述連接器上。

其中，所述銅片通過連接部固定于所述連接器上。

其中，所述銅片的數(shù)量為10。

本發(fā)明所述的一種記錄麻醉狀態(tài)下多腦區(qū)單細胞的光電極，其連接器上均勻設置有若干個銅片，相鄰的兩個銅片之間距離的整數(shù)倍等于待測兩腦區(qū)距離，兩端的銅片之間的兩個銅片上分別連接有單電極和多通道電極，單電極和多通道電極之間的距離為待測兩腦區(qū)距離；使用過程中，單電極用以記錄一個腦區(qū)的電信號，多通道電極用以記錄另一個腦區(qū)的電信號，單電極和多通道電極可同時記錄多個腦區(qū)的電信號；由于兩個腦區(qū)的距離近，單電極和多通道電極的組合能夠避免信號相互干擾，提高記錄的準確性；單電極和多通道電極連接于同一個連接器上，能夠同時對近距離的多個腦區(qū)進行記錄，解決了單獨電極體積過大的問題，結構簡單，效果顯著。

附圖說明

圖1是本發(fā)明實施例1所述的一種記錄麻醉狀態(tài)下多腦區(qū)單細胞的光電極的結構示意圖。

附圖標記：

1、連接器；2、銅片；3、地線；4、參比電極；5、單電極；6、多通道電極；61、光纖；62、電極絲。

具體實施方式

下面結合附圖并通過具體實施方式來進一步說明本發(fā)明的技術方案。

如圖1所示，本實施例所述一種記錄麻醉狀態(tài)下多腦區(qū)單細胞的光電極，包括連接器1，所述連接器1上均勻設置有10個銅片2，相鄰的兩個所述銅片2之間距離的整數(shù)倍等于待測兩腦區(qū)距離，所述連接器1兩端的所述銅片2分別連接地線3和參比電極4，兩端的所述銅片2之間的兩個所述銅片2上分別連接一個單電極5和一個多通道電極6，所述單電極5和所述多通道電極6之間的距離為待測兩腦區(qū)距離。

一根光纖61和若干根電極絲62捆綁為一束形成所述多通道電極6；所述多通道電極6能夠同時記錄多個細胞的電信號；優(yōu)選的，所述電極絲62為鎢絲，所述單電極5為鎢絲，所述鎢絲的直徑小于1μm。

所述連接器1由聚乙烯材料制成；電絕緣性好，耐腐蝕。

所述銅片2通過3D打印技術設置于所述連接器1上，或直接通過連接部固定于所述連接器1上。

本發(fā)明所述的一種記錄麻醉狀態(tài)下多腦區(qū)單細胞的光電極在使用過程中，單電極5一端連接連接器1上的銅片2，另一端連接一個腦區(qū)記錄的電信號；多通道電極6的一端均連接連接器1上的銅片2，另一端連接另一個腦區(qū)記錄電信號，單電極5和多通道電極6能夠同時記錄上述兩個腦區(qū)的電信號；操作方便，結構簡單。單電極5和多通道電極6連接于同一個連接器1上，同時對近距離的多個腦區(qū)進行記錄，解決了單獨電極體積過大的問題，效果顯著；同時避免了距離過近信號干擾，提高記錄的準確性。

以上結合具體實施例描述了本發(fā)明的技術原理。這些描述只是為了解釋本發(fā)明的原理，而不能以任何方式解釋為對本發(fā)明保護范圍的限制?；诖颂幍慕忉專绢I域的技術人員不需要付出創(chuàng)造性的勞動即可聯(lián)想到本發(fā)明的其它具體實施方式，這些方式都將落入本發(fā)明的保護范圍之內。