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基于電阻抗成像技術(shù)的柔性傳感器電極位置優(yōu)化方法與流程

文檔序號:11165283閱讀:955來源:國知局
基于電阻抗成像技術(shù)的柔性傳感器電極位置優(yōu)化方法與制造工藝

本發(fā)明涉及柔性傳感器技術(shù)領(lǐng)域,尤其涉及一種基于電阻抗成像技術(shù)的柔性傳感器電極位置優(yōu)化方法。



背景技術(shù):

柔性傳感器作為一種用于感知表面作用力分布的柔性器件,因其具有優(yōu)良的柔性與可伸展性,且能夠貼附于各種不規(guī)則表面,在機(jī)器人、生物力學(xué)、醫(yī)學(xué)測量等領(lǐng)域有著廣泛的應(yīng)用前景。

然而,傳統(tǒng)的柔性傳感器大多基于聚合物mems技術(shù)制作的陣列式傳感器,其制備工藝復(fù)雜且成本高。同時,為了從大尺寸傳感器陣列傳輸數(shù)據(jù),通常需要在其內(nèi)部大量的布線,導(dǎo)線的分布不僅會造成電磁噪音,也會降低傳感器的柔性和可伸展性從而影響其適用范圍。

近年來,電阻抗成像技術(shù)作為一種特殊的電學(xué)檢測方法,以其無損、無輻射、響應(yīng)快等優(yōu)勢在復(fù)合材料無損檢測領(lǐng)域逐步受到關(guān)注。基于電阻抗成像技術(shù)的柔性傳感器,電極被放置于薄層導(dǎo)電材料(如橡膠、泡沫、織物)的邊界,通過測量電極間電壓計算出局部電導(dǎo)率變化,再以圖像重構(gòu)的形式可視化顯示,從而定位壓力分布?;陔娮杩钩上襁@種無損成像技術(shù)設(shè)計的柔性傳感器,可以實現(xiàn)無內(nèi)部布線與單元的“一體式”結(jié)構(gòu),其克服了傳統(tǒng)柔性傳感器可伸展性較差的缺點。

基于電阻抗成像技術(shù)的柔性傳感器也有自身的缺點,即空間分辨率較低,尤其當(dāng)薄層導(dǎo)電材料面積較大時,中心區(qū)域的檢測的敏感度較差,單一的邊界分布會降低柔性傳感器的識別能力,尤其當(dāng)識別及區(qū)分目標(biāo)物體數(shù)目較多且距離較近時,甚至?xí)G失檢測目標(biāo),目前,還沒有一種有效的方法確定中心電極的最佳位置。



技術(shù)實現(xiàn)要素:

有鑒于此,本發(fā)明的目的是提供一種基于電阻抗成像技術(shù)的柔性傳感器電極位置優(yōu)化方法,能夠確定中心電極的最佳位置,從而提高柔性傳感器的分辨率,降低目標(biāo)位置誤差,以及提高檢測目標(biāo)的區(qū)分度。

本發(fā)明提供的一種基于電阻抗成像技術(shù)的柔性傳感器電極位置優(yōu)化方法,包括如下步驟:

s1.在導(dǎo)電材料上布置電極形成傳感器陣列,并采集中心電極的參考位置;

s2.構(gòu)建中心參考電極最佳位置優(yōu)化目標(biāo)函數(shù),并對目標(biāo)函數(shù)采用粒子群優(yōu)化算法獲取最佳中心電極位置。

進(jìn)一步,步驟s2中,中心參考電極最佳位置優(yōu)化目標(biāo)函數(shù)通過如下方法建立:

獲取反映電極性能的目標(biāo)圖像分辨率res(μ)以及中心參考電極的位置誤差er(μ),并根據(jù)目標(biāo)圖像分辨率以及中心參考電極的位置誤差構(gòu)建最佳位置優(yōu)化目標(biāo)函數(shù):

其中,α和β為權(quán)重系數(shù),且α+β=1,μ為中心參考電極相對位置,res(μ)max為圖像分辨率最大值,res(μ)min為分辨率最小值,er(μ)max為位置誤差最大值的,er(μ)min為位置誤差最小值。

進(jìn)一步,根據(jù)如下公式求取目標(biāo)圖像分辨率:

其中,q為中心參考電極的個數(shù),μj為第j個中心參考電極的最優(yōu)位置,μ0為中心參考電極初始位置,為q個中心參考電極的最優(yōu)位置的平均值,為中心參考電極的初始位置的平均值,r0為全部電極所覆蓋區(qū)域的區(qū)域圖像的像素和,r1=∑i[m1]i,i=1,2,k,m,[m1]為目標(biāo)圖像的像素集且r1為按θ閾值對圖像進(jìn)行提取后的像素和,m為[m1]中的像素數(shù)量。

進(jìn)一步,根據(jù)如下公式求取中心參考電極的位置誤差:

其中,μj為第j個中心參考電極的最優(yōu)位置,μ0為中心參考電極初始位置,tγ為單個中心參考電極所占面積,是原始目標(biāo)重心到傳感器導(dǎo)電材料中心的距離矢量;是按閾值θ對重建圖像進(jìn)行提取后的重心到傳感器導(dǎo)電材料中心的距離矢量,θ∈[0,1]。

進(jìn)一步,步驟s1中,按照如下方法步驟在導(dǎo)電材料上布置電極:

在導(dǎo)電材料的邊緣等間距布置2n,在導(dǎo)電材料材料的中心位置距離布置n個中心電極,其中,n≥4。

本發(fā)明的有益效果:通過本發(fā)明的方法,通過參考中心電極的位置誤差以及圖像分辨率作為優(yōu)化參考,并通過粒子群優(yōu)化算法對中心電極的位置進(jìn)行優(yōu)化,從而能夠確定中心電極的最佳位置,從而提高柔性傳感器的分辨率,降低目標(biāo)位置誤差,以及提高檢測目標(biāo)的區(qū)分度。

附圖說明

下面結(jié)合附圖和實施例對本發(fā)明作進(jìn)一步描述:

圖1為本發(fā)明的電極布置結(jié)構(gòu)示意圖。

圖2為本發(fā)明的優(yōu)化流程圖。

具體實施方式

以下結(jié)合說明書附圖對本發(fā)明做出進(jìn)一步的說明:

本發(fā)明提供的一種基于電阻抗成像技術(shù)的柔性傳感器電極位置優(yōu)化方法,包括如下步驟:

s1.在導(dǎo)電材料上布置電極形成傳感器陣列,并采集中心電極的參考位置,如圖1所示,電極按照如下方式進(jìn)行布置:在導(dǎo)電材料的邊緣等間距布置2n,在導(dǎo)電材料材料的中心位置距離布置n個中心電極,其中,n≥4;其中,1為導(dǎo)電材料,2為布置于導(dǎo)電材料的邊緣電極,3為布置于以邊緣電極圍繞區(qū)域中的中心電極,通過這種布置方式,能夠有效防止傳統(tǒng)技術(shù)中對于檢測目標(biāo)丟失的情形,能夠增強(qiáng)傳感器的中心區(qū)域的檢測靈敏度,從而提升整體傳感器的檢測靈敏度,提高系統(tǒng)對目標(biāo)物體的識別能力以及區(qū)分度,但是,此時中心電極的位置仍然不是最佳的位置狀態(tài),仍然會影響到傳感器的圖像分辨率、檢測目標(biāo)的位置差大以及檢測目標(biāo)的區(qū)分度較差,因此,進(jìn)入到布置s2中;

s2.構(gòu)建中心參考電極最佳位置優(yōu)化目標(biāo)函數(shù),并對目標(biāo)函數(shù)采用粒子群優(yōu)化算法獲取最佳中心電極位置,通過本發(fā)明,通過參考中心電極的位置誤差以及圖像分辨率作為優(yōu)化參考,并通過粒子群優(yōu)化算法對中心電極的位置進(jìn)行優(yōu)化,從而能夠確定中心電極的最佳位置,從而提高柔性傳感器的分辨率,降低目標(biāo)位置誤差,以及提高檢測目標(biāo)的區(qū)分度。

本實施例中,步驟s2中,中心參考電極最佳位置優(yōu)化目標(biāo)函數(shù)通過如下方法建立:

獲取反映電極性能的目標(biāo)圖像分辨率res(μ)以及中心參考電極的位置誤差er(μ),并根據(jù)目標(biāo)圖像分辨率以及中心參考電極的位置誤差構(gòu)建最佳位置優(yōu)化目標(biāo)函數(shù):

其中,α和β為權(quán)重系數(shù),且α+β=1,μ為中心參考電極相對位置,即中心電極到導(dǎo)電材料中心的距離與導(dǎo)電材料半徑之比;res(μ)max為圖像分辨率最大值,res(μ)min為分辨率最小值,er(μ)max為位置誤差最大值的,er(μ)min為位置誤差最小值。

其中,根據(jù)如下公式求取目標(biāo)圖像分辨率:

其中,q為中心參考電極的個數(shù),μj為第j個中心參考電極的最優(yōu)位置,該最優(yōu)位置是說在粒子群優(yōu)化算法之前,通過改變中心電極在導(dǎo)電材料上的位置為最有,更具體地說:比如初始條件下,某個中心電極所在的坐標(biāo)為(3,5),在計算目標(biāo)圖像分辨率時,把該中心電極的位置設(shè)定為(3.8,6.1)這個位置時人為符合當(dāng)前分辨率條件下的最有位置,但是,該中心電極是否為整體最有位置,還需通過判斷目標(biāo)函數(shù)的最小值進(jìn)行最終確定,即通過粒子群優(yōu)化算法進(jìn)行確定;μ0為中心參考電極初始位置,為q個中心參考電極的最優(yōu)位置的平均值,為中心參考電極的初始位置的平均值,r0為全部電極所覆蓋區(qū)域的區(qū)域圖像的像素和,r1=∑i[m1]i,i=1,2,k,m,[m1]為目標(biāo)圖像的像素集且r1為按θ閾值對圖像進(jìn)行提取后的像素和,m為[m1]中的像素數(shù)量。

根據(jù)如下公式求取中心參考電極的位置誤差:

其中,μj為第j個中心參考電極的最優(yōu)位置,μ0為中心參考電極初始位置,tγ為單個中心參考電極所占面積,n為中心電極的個數(shù),是原始目標(biāo)重心到傳感器導(dǎo)電材料中心的距離矢量,其中,原始目標(biāo)的重心是指當(dāng)導(dǎo)電材料放置于被檢測目標(biāo)后,檢測目標(biāo)所占導(dǎo)電材料的區(qū)域的重心;是按閾值θ對重建圖像進(jìn)行提取后的重心到傳感器導(dǎo)電材料中心的距離矢量,圖像像素為具有振幅的值,把大于閾值θ的像素值提取出來重新組合成圖像區(qū)域,該重新組合后的圖像區(qū)的重心到導(dǎo)電材料重心的距離矢量即為θ∈[0,1]。

具體地,本發(fā)明中通過粒子群優(yōu)化算法確定中心電極的最佳位置:

s21.以中心電極的位置作為粒子群優(yōu)化算法中的粒子,并初始化粒子群中的粒子數(shù)量、粒子的位置和速度;

s22.計算圖像分辨率和位置誤差,進(jìn)而計算出目標(biāo)函數(shù)的函數(shù)值;

s23.判斷當(dāng)前是否已經(jīng)達(dá)到最大迭代次數(shù),如果已到達(dá),則輸出粒子的位置,即傳感器的中心電極的最佳位置,也就是說,在達(dá)到最大迭代次數(shù)后,找出目標(biāo)函數(shù)值最小值所對應(yīng)的電機(jī)位置,即為最佳位置,如果未到達(dá),則更新粒子的速度和位置,返回步驟s22中。

當(dāng)中心電極的最佳位置確定后,則根據(jù)中心電極的最佳位置再次布置中心電極;當(dāng)然,中心電極的位置以導(dǎo)電材料的為基準(zhǔn),比如,以導(dǎo)電材料的圓心作為坐標(biāo)原點建立坐標(biāo)系。

最后說明的是,以上實施例僅用以說明本發(fā)明的技術(shù)方案而非限制,盡管參照較佳實施例對本發(fā)明進(jìn)行了詳細(xì)說明,本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)理解,可以對本發(fā)明的技術(shù)方案進(jìn)行修改或者等同替換,而不脫離本發(fā)明技術(shù)方案的宗旨和范圍,其均應(yīng)涵蓋在本發(fā)明的權(quán)利要求范圍當(dāng)中。

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