本發(fā)明涉及一種醫(yī)療設(shè)備,特別涉及新型放射治療用光柵裝置及放射治療裝置。
背景技術(shù):
目前放射治療裝置在治療時為了盡可能降低射線對健康組織的傷害,然而目前放射治療設(shè)備中使用的射野擬合裝置,如限光筒和光柵裝置,均有較大的半影區(qū),如圖2所示,即射線經(jīng)過射野擬合裝置后,能量衰減后的值在20%-80%的區(qū)域,該區(qū)域一般不作為治療區(qū)域,但是會造成正常肌體接受過量的放射劑量,因此,需要盡可能的降低半影區(qū)的不利影響。
技術(shù)實現(xiàn)要素:
為解決上述問題,本發(fā)明的目的在于提供一種放射治療用光柵設(shè)備。
為達到上述目的,本發(fā)明的技術(shù)方案是:
一種新型放射治療用光柵裝置,包括:
一層光柵組件,或上層光柵組件和下層光柵組件兩層光柵組件,所述光柵組件均包括水平對向設(shè)置的兩組光柵葉片,這兩組光柵葉片均分別由驅(qū)動元件驅(qū)動做水平往復運動;
消半影裝置,當光柵組件為一層時,設(shè)置于一層光柵組件的上方或下方;當光柵組件為兩層時,設(shè)置于上層光柵組件的上方、上層光柵組件和下層光柵組件之間、下層光柵組件的下方中的一處、兩處或三處。
增設(shè)消半影裝置與光柵組件進行配合,可以有效的降低半影區(qū)的不利影響。
進一步的,所述消半影裝置包括至少兩片對向設(shè)置的薄片。
利用采用對射線具有有效吸收或阻礙作用的材質(zhì)如鎢及其合金制備薄片,當光柵組件擬合射野窗口完成后,移動薄片到達窗口的邊沿處(也就是光柵葉片的前端位置),射線以一定角度穿過光柵葉片的前端,衰減后的射線被薄片吸收或阻礙,使得半影區(qū)內(nèi)的射線能量大大降低,同時,合理設(shè)置薄片的數(shù)量、寬度、及排布薄片的位置,還可以同時提高射野擬合窗口的精度,還可以兼顧光柵葉片片間漏射的改善,如利用薄片遮擋光柵葉片之間的縫隙。
進一步的,所述消半影裝置包括器件本體,所述器件本體設(shè)有至少一個通孔。
進一步的,所述器件本體上設(shè)有兩個及以上通孔,所述不同通孔的尺寸和/或形狀不同。
進一步的,所述消半影裝置還包括驅(qū)動裝置,所述驅(qū)動裝置移動所述器件本體,并使某一通孔位于由光柵組件擬合的窗口對應的位置。
消半影裝置的另一種實施方案,利用采用對射線具有有效吸收或阻礙作用的材質(zhì)如鎢及其合金制備器件本體,器件本體可以是具有一定厚度的矩形、扇形或者環(huán)形,以及其他適宜的形狀,并在上加工一個、兩個或兩個以上的通孔,這些通孔的形狀可以是圓形、矩形、或者其他閉合折線或曲線,最優(yōu)的形狀是和病灶投影形狀一致的形狀。當治療時,將適宜的某個通孔與射野窗口對正,用于消除半影區(qū)的不利影響。其效果好于薄片的方案,不利的一點是通孔的形狀一旦確定,就難以改變,因此需要更多的器件本體用于更換。
進一步的,所述薄片的數(shù)量與光柵葉片相同,并一一對應設(shè)置,所述薄片固定于對應的光柵葉片上,或,每一個薄片均由獨立的驅(qū)動元件驅(qū)動其做水平往復運動,其運動方向與其對應的光柵葉片一致。
進一步的,所述薄片的數(shù)量小于光柵葉片的數(shù)量,每一個薄片均由獨立的驅(qū)動元件驅(qū)動其做水平往復運動,每一片薄片對應一片或以上的光柵葉片,其運動方向與其對應的光柵葉片一致。
進一步的,上下兩層光柵組件的光柵葉片的數(shù)量相同。
進一步的,所述上層光柵組件中的光柵葉片與下層光柵組件的光柵葉片平行設(shè)置,所述下層光柵組件的光柵葉片之間的縫隙均位于上層光柵組件的對應光柵葉片的底面的投影區(qū)域中。
其中通過雙層光柵裝置的設(shè)置,等于將電機分成上下兩組排布,排布的空間增加了整整一倍,使得葉片可以做到更薄,并且當上下兩層葉片錯位排布時,通過兩次對病灶形狀的擬合,擬合曲線的階梯狀折線更短更密,擬合精度大大提高。
進一步的,所述上層光柵組件中的光柵葉片與下層光柵組件的光柵葉片平行設(shè)置,所述下層光柵組件的光柵葉片之間的縫隙均位于上層光柵組件的對應光柵葉片的底面的投影區(qū)域中。
上層光柵葉片的底面覆蓋下層葉片間的縫隙,很好的解決了片間漏射的問題,因此可以取消防止漏射所采用的階梯形葉片及葉片設(shè)置凸條和凹槽,可以進一步將葉片做到更薄,擬合形狀更加精確,同時也避免了葉片間的摩擦,更加可靠和低噪。
進一步的,所述上層光柵組件的光柵葉片的水平軸線與下層光柵組件的光柵葉片的水平軸線相互垂直。
上下層光柵葉片的運動軌跡為垂直的,這樣組合后擬合形狀更精細準確。
進一步的,所述上層光柵組件的幾何中心與下層光柵組件的幾何中心分別在兩條與水平面垂直的垂線上。
按照這一標準排布,可以兼顧防止漏射。
進一步的,所述新型放射治療用光柵裝置還設(shè)有葉片前端位置控制裝置,其控制上層光柵組件的兩組光柵葉片前端相互接觸后形成的縫隙與下層光柵組件的兩組光柵葉片前端相互接觸后形成的縫隙始終錯位。
在擬合形狀時,兩側(cè)的葉片相互碰觸閉合,而中間區(qū)域葉片分離,從而形成擬合的孔洞,葉片碰觸后依然存在縫隙,這個縫隙產(chǎn)生的漏射現(xiàn)有技術(shù)沒有提供解決方案,也沒有相關(guān)的技術(shù)啟示,本技術(shù)方案創(chuàng)造性的采用雙層葉片碰觸后縫隙的異位,從而有效的解決了葉片前端漏射的難題。
進一步的,所述上層光柵組件的光柵葉片由中間光柵葉片開始到右側(cè)光柵葉片的右側(cè)邊線,上層光柵葉片覆蓋下層光柵葉片的面積逐漸加大,左側(cè)葉片鏡像設(shè)置。
這樣排布可以更加優(yōu)化片間漏射的規(guī)避效果。
進一步的,所述上層光柵組件的光柵葉片由中間光柵葉片開始到兩側(cè)的光柵葉片的厚度逐漸減小。
進一步的,所述葉片前端位置控制裝置包括:
葉片前端距離計數(shù)器,用于實時監(jiān)控下層光柵組件對應葉片前端的距離,當數(shù)據(jù)為零時,則表明該對葉片前端相互碰觸閉合;
中央控制器,接收葉片前端距離計數(shù)器傳來的數(shù)據(jù),當某組葉片前端距離為零時,則向上層光柵組件中上方對應的位置的一對葉片發(fā)出指令,該對葉片執(zhí)行以下命令:
第一,該對葉片前端碰觸閉合并保持;
第二,調(diào)整兩個葉片向前移動的距離占比,使得兩個葉片前端的碰觸后形成的縫隙與下層葉片間前端縫隙錯位,即所述下層光柵組件的葉片之間的縫隙和葉片前端接觸后形成的縫隙均位于上層光柵組件的對應葉片的底面的下方,即為上層光柵葉片的底面所遮蔽。
本發(fā)明還提供一種放射治療裝置,包括上述的新型放射治療用光柵裝置。
附圖說明
圖1是光柵裝置的結(jié)構(gòu)示意圖;
圖2是半影區(qū)的示意圖;
圖3是雙層光柵組合加三層薄片的示意圖;
圖4是雙層光柵組合加三層器件本體構(gòu)成的消半影裝置的示意圖;
圖5是器件本體的示意圖;
圖6和圖7是本發(fā)明一種實施方式的雙層光柵葉片一側(cè)的示意圖;
圖8是本發(fā)明另一種實施方式上下兩層光柵葉片位置關(guān)系的示意圖;
圖9是上下兩層光柵葉片在兩側(cè)葉片碰觸后前端縫隙的位置關(guān)系示意圖
圖中:
1、加速器;2、主機架;3、適配器;51、上層光柵組件;52、上層電機;53、上層葉片前端縫隙;61、下層光柵組件;62、下層電機;;63、下層葉片前端縫隙;41、上層薄片;42、中層薄片;43、下層薄片;44、上層器件本體;45、中層器件本體;46、下層器件本體;441、通孔。
具體實施方式
下面結(jié)合附圖和具體實施方式對本發(fā)明作進一步詳細的說明。
一種新型放射治療用光柵裝置,包括:
一層光柵組件,或如圖3、圖4所示的上層光柵組件51和下層光柵組件61兩層光柵組件,所述光柵組件均包括水平對向設(shè)置的兩組光柵葉片,這兩組光柵葉片均分別由驅(qū)動元件驅(qū)動做水平往復運動;
消半影裝置,當光柵組件為一層時,設(shè)置于一層光柵組件的上方或下方;當光柵組件為兩層時,設(shè)置于上層光柵組件的上方、上層光柵組件和下層光柵組件之間、下層光柵組件的下方中的一處、兩處或三處。
增設(shè)消半影裝置與光柵組件進行配合,可以有效的降低半影區(qū)的不利影響。
在實際應用中,所述消半影裝置包括至少兩片對向設(shè)置的薄片。
利用采用對射線具有有效吸收或阻礙作用的材質(zhì)如鎢及其合金制備薄片,當光柵組件擬合射野窗口完成后,移動薄片到達窗口的邊沿處(也就是光柵葉片的前端位置),射線以一定角度穿過光柵葉片的前端,衰減后的射線被薄片吸收或阻礙,使得半影區(qū)內(nèi)的射線能量大大降低,同時,合理設(shè)置薄片的數(shù)量、寬度、及排布薄片的位置,還可以同時提高射野擬合窗口的精度,還可以兼顧光柵葉片片間漏射的改善,如利用薄片遮擋光柵葉片之間的縫隙。
圖3中,加速器1和主機架2,加速器1下方設(shè)置兩層光柵組件,在上層光柵組件51的上方設(shè)置有上層薄片41,在上層光柵組件51與下層光柵組件61之間設(shè)置有中層薄片42,在下層光柵組件61的下方設(shè)置下層薄片43,上層薄片41、中層薄片42和下層薄片43可以根據(jù)需要設(shè)置其中的一種或兩種或三種。當只設(shè)置一層薄片時,薄片的運動方向與其中一層光柵組件一致,當兩層以上薄片時,可以都與其中一層光柵組件一致,也可以分別對應某一層光柵組件。
在實際應用中,所述薄片的數(shù)量與光柵葉片相同,并一一對應設(shè)置,所述薄片固定于對應的光柵葉片上,或,每一個薄片均由獨立的驅(qū)動元件驅(qū)動其做水平往復運動,其運動方向與其對應的光柵葉片一致。
或者,所述薄片的數(shù)量小于光柵葉片的數(shù)量,每一個薄片均由獨立的驅(qū)動元件驅(qū)動其做水平往復運動,其中一個薄片對應1個及以上的光柵葉片,其運動方向與其對應的光柵葉片一致。
薄片的厚度可以根據(jù)需要設(shè)定,一般可采用3-10mm厚度的鎢金屬或鎢合金薄片。
在另一些實施例中,所述消半影裝置包括器件本體,所述器件本體設(shè)有至少一個通孔。
如圖5所示,在實際應用中,所述器件本體上設(shè)有兩個及以上通孔,所述不同通孔的尺寸和/或形狀不同。圖5中,左側(cè)三個通孔是圓形,右側(cè)兩個通孔則是多線段構(gòu)成的閉合曲線。
進一步的,所述消半影裝置還包括驅(qū)動裝置,所述驅(qū)動裝置移動所述器件本體,并使某一通孔位于由光柵組件擬合的窗口對應的位置。
消半影裝置的另一種實施方案,利用采用對射線具有有效吸收或阻礙作用的材質(zhì)如鎢及其合金制備器件本體,器件本體可以是具有一定厚度的矩形、扇形或者環(huán)形,以及其他適宜的形狀,并在上加工一個、兩個或兩個以上的通孔,這些通孔的形狀可以是圓形、矩形、或者其他閉合折線或曲線,最優(yōu)的形狀是和病灶投影形狀一致的形狀。當治療時,將適宜的某個通孔與射野窗口對正,用于消除半影區(qū)的不利影響。其效果好于薄片的方案,不利的一點是通孔的形狀一旦確定,就難以改變,因此需要更多的器件本體用于更換。
圖4中,在上層光柵組件51的上方設(shè)置有上層器件本體44,在上層光柵組件51與下層光柵組件61之間設(shè)置有中層器件本體45,在下層光柵組件61的下方設(shè)置下層器件本體46,上層器件本體44、中層器件本體45和下層器件本體46可以根據(jù)需要設(shè)置其中的一種或兩種或三種。當只設(shè)置一層器件本體時,器件本體的運動方向與其中一層光柵組件一致,當兩層以上器件本體時,可以都與其中一層光柵組件一致,也可以分別對應某一層光柵組件。
器件本體的厚度可以根據(jù)需要來定,例如采用3-10mm的鎢金屬或鎢合金,或者其他尺寸。
在實際應用中,上下兩層光柵組件的光柵葉片的數(shù)量可以設(shè)置為相同。
進一步的,所述上層光柵組件中的光柵葉片與下層光柵組件的光柵葉片平行設(shè)置,所述下層光柵組件的光柵葉片之間的縫隙均位于上層光柵組件的對應光柵葉片的底面的投影區(qū)域中。
其中通過雙層光柵裝置的設(shè)置,等于將電機分成上下兩組排布,排布的空間增加了整整一倍,使得葉片可以做到更薄,并且當上下兩層葉片錯位排布時,通過兩次對病灶形狀的擬合,擬合曲線的階梯狀折線更短更密,擬合精度大大提高。
進一步的,所述上層光柵組件中的光柵葉片與下層光柵組件的光柵葉片平行設(shè)置,所述下層光柵組件的光柵葉片之間的縫隙均位于上層光柵組件的對應光柵葉片的底面的投影區(qū)域中。
上層光柵葉片的底面覆蓋下層葉片間的縫隙,很好的解決了片間漏射的問題,因此可以取消防止漏射所采用的階梯形葉片及葉片設(shè)置凸條和凹槽,可以進一步將葉片做到更薄,擬合形狀更加精確,同時也避免了葉片間的摩擦,更加可靠和低噪。
進一步的,所述上層光柵組件的光柵葉片的水平軸線與下層光柵組件的光柵葉片的水平軸線相互垂直。
上下層光柵葉片的運動軌跡為垂直的,這樣組合后擬合形狀更精細準確。
進一步的,所述上層光柵組件的幾何中心與下層光柵組件的幾何中心分別在兩條與水平面垂直的垂線上。
按照這一標準排布,可以兼顧防止漏射。
進一步的,所述新型放射治療用光柵裝置還設(shè)有葉片前端位置控制裝置,其控制上層光柵組件的兩組光柵葉片前端相互接觸后形成的縫隙與下層光柵組件的兩組光柵葉片前端相互接觸后形成的縫隙始終錯位。
在擬合形狀時,兩側(cè)的葉片相互碰觸閉合,而中間區(qū)域葉片分離,從而形成擬合的孔洞,葉片碰觸后依然存在縫隙,這個縫隙產(chǎn)生的漏射現(xiàn)有技術(shù)沒有提供解決方案,也沒有相關(guān)的技術(shù)啟示,本技術(shù)方案創(chuàng)造性的采用雙層葉片碰觸后縫隙的異位,從而有效的解決了葉片前端漏射的難題。
進一步的,所述上層光柵組件的光柵葉片由中間光柵葉片開始到右側(cè)光柵葉片的右側(cè)邊線,上層光柵葉片覆蓋下層光柵葉片的面積逐漸加大,左側(cè)葉片鏡像設(shè)置。
這樣排布可以更加優(yōu)化片間漏射的規(guī)避效果。
進一步的,所述上層光柵組件的光柵葉片由中間光柵葉片開始到兩側(cè)的光柵葉片的厚度逐漸減小。
進一步的,所述葉片前端位置控制裝置包括:
葉片前端距離計數(shù)器,用于實時監(jiān)控下層光柵組件對應葉片前端的距離,當數(shù)據(jù)為零時,則表明該對葉片前端相互碰觸閉合;
中央控制器,接收葉片前端距離計數(shù)器傳來的數(shù)據(jù),當某組葉片前端距離為零時,則向上層光柵組件中上方對應的位置的一對葉片發(fā)出指令,該對葉片執(zhí)行以下命令:
第一,該對葉片前端碰觸閉合并保持;
第二,調(diào)整兩個葉片向前移動的距離占比,使得兩個葉片前端的碰觸后形成的縫隙與下層葉片間前端縫隙錯位,即所述下層光柵組件的葉片之間的縫隙和葉片前端接觸后形成的縫隙均位于上層光柵組件的對應葉片的底面的下方,即為上層光柵葉片的底面所遮蔽。
在實際應用中,當光柵組件只設(shè)置一層時,消半影裝置設(shè)置于光柵組件的上方或下方,或上下方同時設(shè)置。在光柵組件和限光筒組合的射野控制裝置中,消半影裝置的設(shè)置也如此處理即可。因此,在這里需要特別說明的是,不可將限光筒與本發(fā)明的消半影裝置混為一談,他們的設(shè)計要求、目的、結(jié)構(gòu)尺寸都不相同。
圖1是單層光柵組件的俯視圖,圖中顯示具有葉片、電機、以及將光柵組件安裝于放射治療設(shè)備主機上的適配器3。本發(fā)明是具有雙層類似結(jié)構(gòu),其上下兩層光柵組件一側(cè)的葉片排布關(guān)系如圖6和圖7所示,這是本發(fā)明的其中一種實施方式:
一種新型放射治療用光柵裝置,包括:上層光柵組件和下層光柵組件兩層光柵葉片,所述上層光柵組件與下層光柵組件均包括水平對向設(shè)置的兩組葉片,所述兩組葉片均分別由驅(qū)動元件驅(qū)動做水平往復運動。如圖6和圖7所示,上層光柵組件具有上層葉片51、上層電機52,下層光柵組件具有下層葉片61、下層電機62。上下兩層光柵組件的光柵葉片的數(shù)量相同。
創(chuàng)造性的通過雙層光柵裝置的設(shè)置,等于將電機分成上下兩組排布,排布的空間增加了整整一倍,使得葉片可以做到更薄,并且當上下兩層葉片錯位排布時,即使葉片厚度和數(shù)量與現(xiàn)有技術(shù)一樣,但是通過兩次對病灶形狀的擬合疊加,擬合射野的邊界曲線的階梯狀折線投影中的每條直線都會更短更密,擬合精度大大提高。
另外,我們知道,假定一般光柵葉片裝置的總寬度是51mm,葉片高度一般在70mm以內(nèi),現(xiàn)有技術(shù)中,目前最小的葉片厚度是3mm,因此總共17片葉片(忽略片間距),而目前最小的電機直徑是10mm,需要17個電機,受51mm寬度限制,一般每行排列4個,則需要排列5行電機(4x5=20個,第5行為1個電機)。如果葉片厚度降到1.5mm,則葉片數(shù)量為34,電機數(shù)量增加一倍,電機需要排列9行,不計算電機間距,高度需要90mm,已經(jīng)超過葉片的70mm高度范圍,無法應用。而采用雙層光柵葉片設(shè)計,并且上下層葉片平行排布時,則當葉片厚度做到1.5mm時,由于上下兩層葉片的片間間隙可以相互遮蔽,因此可以將片間距放大,例如將片間距放大到1mm,則每層每側(cè)葉片數(shù)量為20片,每層每側(cè)葉片需要4x4行電機排布即可,由此可見,本方案徹底解決了整體尺寸、葉片厚度、電機數(shù)量等條件的限制,可以將葉片做到現(xiàn)有技術(shù)的一半厚度,甚至更薄,目前發(fā)明人已經(jīng)做到葉片厚度1.25mm。葉片間距可以根據(jù)需要進行優(yōu)化調(diào)整,控制好葉片厚度和葉片數(shù)量、以及片間漏射的控制之間的關(guān)系,以便滿足擬合射野的邊界投影精細度和片間漏射安全系數(shù)。在一些具體實施方案中,葉片間距采用0.5mm,每層每側(cè)葉片數(shù)量取整數(shù)26片,當葉片厚度為1.5mm時,每層光柵組件寬度為25x(1.5+0.5)+1.5=51.5mm,電機配置為7行,其中6行每行4個,另外一行2個。上下兩層葉片每側(cè)葉片總數(shù)達到52片,大大提高了擬合射野邊界投影曲線的精細程度。
在一些實施方式中,也可以考慮將上下兩層光柵組件按照其移動軸線進行垂直布置,如果排布得當,葉片位置控制得當,也可以在葉片厚度一定時提高擬合射野邊界投影曲線的精細度。
在實際應用中,在一些實施方式中,將所述上層光柵組件中的葉片與下層光柵組件的葉片平行設(shè)置,所述下層光柵組件的葉片之間的縫隙均位于上層光柵組件的對應葉片的底面的下方,即為上層光柵葉片的底面所遮蔽。這樣上層光柵葉片的底面覆蓋下層葉片間的縫隙,很好的解決了片間漏射的問題,因此可以取消防止漏射所采用的階梯形葉片及葉片設(shè)置凸條和凹槽,可以進一步將葉片做到更薄,擬合形狀更加精確,同時也避免了葉片間的摩擦,更加可靠和低噪。這在前述的實施例方式中也有論及。
在一些實施例中,葉片位置的對應排布方案可以按照下述原則進行:所述上層光柵組件的葉片的右側(cè)邊沿與下層光柵組件的葉片的左側(cè)邊沿對齊,或上層光柵組件的葉片的左側(cè)邊沿與下層光柵組件的葉片的右側(cè)邊沿對齊。如圖8所示。
當葉片做到很薄時,按照這一標準進行排布,更加簡單方便。
在一些實施例中,葉片位置的對應排布方案可以按照下述原則進行:,所述上層光柵組件的葉片的底面中心線與下層光柵組件的葉片之間的縫隙中心線對齊。如圖7所示。
按照這一標準排布,可以兼顧防止漏射的同時,將葉片間的間隔設(shè)置稍微寬一點,為排布電機提供便利。
在一些實施例中,葉片位置的對應排布方案可以按照下述原則進行:所述上層光柵組件的葉片由中間葉片開始到右側(cè)葉片的右側(cè)邊線,從與下層光柵組件的葉片的左側(cè)邊沿對齊逐漸向葉片中心線方向移動,即上層葉片覆蓋下層葉片的面積逐漸加大,左側(cè)葉片鏡像設(shè)置。
這樣排布可以更加優(yōu)化片間漏射的規(guī)避效果。
在一些實施例中,所述新型放射治療用光柵裝置還設(shè)有葉片前端位置控制裝置,其控制上層葉片組件的兩組葉片前端即自由端相互接觸后形成的縫隙與下層葉片組件的兩組葉片前端即自由端相互接觸后形成的縫隙錯位,即所述下層光柵組件的葉片之間的縫隙和葉片前端接觸后形成的縫隙均位于上層光柵組件的對應葉片的底面的下方,即為上層光柵葉片的底面所遮蔽。如圖9所示。
在擬合形狀時,兩側(cè)的葉片相互碰觸閉合,而中間區(qū)域葉片分離,從而形成擬合的孔洞,葉片碰觸后依然存在縫隙,上層光柵組件兩層葉片自由端碰觸后形成上層葉片前端縫隙53、下層光柵組件兩層葉片自由端碰觸后形成下層葉片前端縫隙63。
這個縫隙產(chǎn)生的漏射現(xiàn)有技術(shù)沒有提供解決方案,也沒有相關(guān)的技術(shù)啟示,本技術(shù)方案創(chuàng)造性的采用雙層葉片碰觸后縫隙的異位,從而有效的解決了葉片前端漏射的難題。
在一些實施例中,,所述葉片前端位置控制裝置包括:
葉片前端距離計數(shù)器,用于實時監(jiān)控下層光柵組件對應葉片前端的距離,當數(shù)據(jù)為零時,則表明該對葉片前端相互碰觸閉合;
中央控制器,接收葉片前端距離計數(shù)器傳來的數(shù)據(jù),當某組葉片前端距離為零時,則向上層光柵組件中上方對應的位置的一對葉片發(fā)出指令,該對葉片執(zhí)行以下命令:
第一,該對葉片前端碰觸閉合并保持;
第二,調(diào)整兩個葉片向前移動的距離占比,使得兩個葉片前端的碰觸后形成的縫隙與下層葉片間前端縫隙錯位,即所述下層光柵組件的葉片之間的縫隙和葉片前端接觸后形成的縫隙均位于上層光柵組件的對應葉片的底面的下方,即為上層光柵葉片的底面所遮蔽。
在一般情況下,下層光柵組件根據(jù)病灶形狀進行形狀擬合后,需要碰觸閉合的葉片一般是各前進50%的距離,即葉片前端碰觸閉合形成的縫隙位于下層光柵組件兩側(cè)葉片之間的中心線上,那么,我們設(shè)定每層光柵組件兩側(cè)葉片均位于兩側(cè)的初始位置時,對應葉片之間的距離為d,只要控制上層光柵組件中的對應的葉片前進的比例不是50%d比50%d,即可使得上層光柵組件兩側(cè)的葉片前端碰觸后形成的前端縫隙與下層葉片前端碰觸閉合后形成的前端縫隙錯位,即所述下層光柵組件的葉片之間的縫隙和葉片前端接觸后形成的縫隙均位于上層光柵組件的對應葉片的底面的下方,即為上層光柵葉片的底面所遮蔽。這個前進比例可以根據(jù)需要來設(shè)定,如上層光柵組件的兩側(cè)葉片分別前進40%d與60%d,或者45%d與55%d等任意比例,都可以達到上層光柵組件兩側(cè)的葉片前端碰觸后形成的前端縫隙與下層葉片前端碰觸閉合后形成的前端縫隙錯位的目的,只是這個比例靠近50%比50%時,更節(jié)約時間,效率更高。
在另外一些實施例中,也可以用時間繼電器來控制,因為每側(cè)葉片走完整個距離d的時間是一定的,設(shè)為t,因此,下層光柵組件兩側(cè)需要閉合的葉片均運行1/2t,即各走一半距離碰觸閉合,而對應的上層兩側(cè)葉片則可設(shè)定為各運行3/5t和2/5t,也可以是其它任意時間,同樣達到上述目的,為確保葉片碰觸閉合的可靠性,可加裝檢測傳感器或位置開關(guān)/傳感器來確認葉片是否到位。
在一些實施例中,所述上層光柵組件的光柵葉片由中間光柵葉片開始到兩側(cè)的光柵葉片的厚度逐漸減小。這樣在擬合形狀的兩側(cè)區(qū)域更加精細,當上下層光柵葉片相互垂直排布后,可得到更加精細的形狀擬合。
本發(fā)明還提供一種放射治療裝置,包括上述的新型放射治療用光柵裝置。
以上所述的僅是本發(fā)明的優(yōu)選實施方式,應當指出,對于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來說,在不脫離本發(fā)明創(chuàng)造構(gòu)思的前提下,還可以做出若干變形和改進,這些都屬于本發(fā)明的保護范圍。