本發(fā)明涉及光學(xué)陶瓷技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種適用于光學(xué)陶瓷的冷等靜壓方法和光學(xué)陶瓷的制備方法。

背景技術(shù)：

光學(xué)陶瓷又稱透明陶瓷，因原料類型、制法差異和所得產(chǎn)品品種不同，可具有耐高溫、耐腐蝕、耐沖刷、高強(qiáng)度等優(yōu)異特性，它們在激光技術(shù)、空間技術(shù)、電學(xué)、光學(xué)、化工、冶金等方面均有廣泛應(yīng)用。目前，常用的光學(xué)陶瓷有氧化鋁、氧化鎂、三氧化二釔(Y₂O₃)、氟化鈣、氧化鈹、三氧化二釓(Gd₂O₃)、氧化鈣、氧化釷(ThO₂)和鋯鈦酸鉛鑭陶瓷(PLZT)等。

其中，Nd：YAG激光陶瓷作為一種激光器的激光工作介質(zhì)，在檢測、節(jié)能、醫(yī)學(xué)、激光、勘探等方面均有巨大的國際市場，并具有廣泛應(yīng)用前景。釔鋁石榴石(Y₃Al₅O₁₂，yttrium aluminum garnet，YAG)具有優(yōu)異的光學(xué)性能，被廣泛應(yīng)用于激光基體材料。1989年，M.Sekita等人在G.Dewith等人制備出YAG透明陶瓷的基礎(chǔ)上，采用均相共沉淀法，以尿素作為沉淀劑制備出Nd³⁺:YAG前驅(qū)體粉末，經(jīng)冷靜壓成型和真空燒結(jié)，得到透明Nd³⁺:YAG陶瓷材料，但沒有獲得激光輸出。多年來，Nd:YAG獲得持續(xù)發(fā)展，性能不斷提高。而用固相法制備激光陶瓷由于具有成本低、工藝簡單等特點(diǎn)受到人們的青睞。

具體地說，固相反應(yīng)法需將混合均勻的粉體，通過干壓成型和冷等靜壓的方法，壓成高致密度的圓柱形胚體。在一般的激光陶瓷制備中，冷等靜壓時(shí)需將干壓成型的胚體一個(gè)個(gè)裝入真空袋中。但是，由于真空袋不具備良好柔軟性，容易在冷等靜壓或者抽真空時(shí)對圓柱形胚體的棱角產(chǎn)生破壞，導(dǎo)致陶瓷片外圍的透過率由于這些缺陷的存在而下降。再者平常的冷等靜壓法中，由于真空袋具有一定的硬度，抽真空時(shí)，真空袋和素胚中仍然容易存在縫隙，這樣在冷等靜壓時(shí)受力容易不均勻，導(dǎo)致陶瓷局部的致密度比較低，缺陷較多，陶瓷的透過率降低。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

有鑒于此，本申請?zhí)峁┮环N適用于光學(xué)陶瓷的冷等靜壓方法和光學(xué)陶瓷的制備方法，采用本發(fā)明新的冷等靜壓的方法，可以制備出邊緣受損較少的陶瓷胚體，進(jìn)而制備出具有高透過率的陶瓷片。

本發(fā)明提供一種適用于光學(xué)陶瓷的冷等靜壓方法，包括以下步驟：

a)將干壓成型后的若干光學(xué)陶瓷圓柱體狀素胚堆疊成一個(gè)圓柱體，并且每兩個(gè)圓柱體狀素胚之間用圓形稱量紙隔開；

b)將步驟a)堆疊成的圓柱體用保鮮膜包裹至少2層；

c)將步驟b)包裹好的圓柱體放入真空袋中抽真空，然后冷等靜壓，經(jīng)卸壓得到冷等靜壓后的光學(xué)陶瓷素胚。

優(yōu)選地，所述若干光學(xué)陶瓷圓柱體狀素胚的個(gè)數(shù)為10～20個(gè)；每個(gè)圓柱體狀素胚的高度為10mm～30mm。

優(yōu)選地，所述圓形稱量紙的直徑大于等于圓柱體的直徑。其中，圓形稱量紙的直徑應(yīng)盡量與圓柱體直徑相同，如果較大會使后續(xù)所用的保鮮膜不能很好的貼近陶瓷，如果較小會導(dǎo)致上下胚體邊緣部分直接接觸，無法達(dá)到隔絕上下粉體的作用。

優(yōu)選地，所述步驟b)將步驟a)堆疊成的圓柱體用保鮮膜包裹3～4層。

優(yōu)選地，所述步驟c)冷等靜壓的壓力為200MPa～250MPa，時(shí)間為3分鐘～5分鐘。

優(yōu)選地，所述步驟c)卸壓的速率為20MPa/min～30MPa/min。

優(yōu)選地，所述干壓成型后的若干光學(xué)陶瓷圓柱體狀素胚由以下方法獲得：

將前驅(qū)體粉末依次經(jīng)過球磨、過篩和煅燒，然后干壓成型，得到若干光學(xué)陶瓷圓柱體狀素胚。

優(yōu)選地，所述干壓成型的壓力為20MPa～50MPa，時(shí)間為3分鐘～5分鐘。

優(yōu)選地，所述光學(xué)陶瓷圓柱體狀素胚為一般使用固相法制備且需要透過率的光學(xué)陶瓷，包括但不限于摻稀土釔鋁石榴石素胚、GaF₂素胚或Lu₂O₃素胚這幾種。

本發(fā)明還提供一種光學(xué)陶瓷的制備方法，包括以下步驟：

a)將干壓成型后的若干光學(xué)陶瓷圓柱體狀素胚堆疊成一個(gè)圓柱體，并且每兩個(gè)圓柱體狀素胚之間用圓形稱量紙隔開；

b)將步驟a)堆疊成的圓柱體用保鮮膜包裹至少2層；

c)將步驟b)包裹好的圓柱體放入真空袋中抽真空，然后冷等靜壓，經(jīng)卸壓得到冷等靜壓后的光學(xué)陶瓷素胚；

d)將步驟c)冷等靜壓后的光學(xué)陶瓷素胚依次進(jìn)行煅燒、真空燒結(jié)、退火和拋光，得到光學(xué)陶瓷。

與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明將干壓成型后的小圓柱體素胚一個(gè)接一個(gè)堆疊成一個(gè)大的圓柱體，并且用圓形稱量紙隔開每兩個(gè)小圓柱體素胚，這樣堆疊的素胚形成一個(gè)整體，能使中間部分的素胚邊緣位置得到很好的保護(hù)。本發(fā)明還用保鮮膜將堆疊后的素胚緊緊的包住，這樣柔軟的保鮮膜不僅可以使堆疊的素胚形成一個(gè)整體，而且在后續(xù)冷等靜壓中也可以作為緩沖帶，避免真空袋對素胚產(chǎn)生破壞，還可以使素胚各部位受力均勻。實(shí)驗(yàn)證明，本發(fā)明實(shí)施例采用新型的冷等靜壓技術(shù)燒結(jié)出的Nd:YAG激光陶瓷邊緣缺陷大大的減少，拋光后透過率可達(dá)81％。因此，采用本發(fā)明新的冷等靜壓的方法，可以制備出邊緣受損較少的陶瓷胚體，進(jìn)而制備出具有高透過率的陶瓷片。

附圖說明

圖1為本發(fā)明實(shí)施例干壓成型素胚堆疊的示意圖；

圖2為現(xiàn)有技術(shù)與本發(fā)明實(shí)施例冷等靜壓后素胚的受損分析圖；

圖3為本發(fā)明實(shí)施例1所得激光陶瓷的實(shí)物照片；

圖4為本發(fā)明比較例1所得激光陶瓷的實(shí)物照片；

圖5為本發(fā)明實(shí)施例2所得激光陶瓷的實(shí)物照片；

圖6為本發(fā)明比較例2所得激光陶瓷的實(shí)物照片。

具體實(shí)施方式

下面對本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例僅僅是本發(fā)明一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例?；诒景l(fā)明中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。

本發(fā)明提供了一種適用于光學(xué)陶瓷的冷等靜壓方法，包括以下步驟：

a)將干壓成型后的若干光學(xué)陶瓷圓柱體狀素胚堆疊成一個(gè)圓柱體，并且每兩個(gè)圓柱體狀素胚之間用圓形稱量紙隔開；

b)將步驟a)堆疊成的圓柱體用保鮮膜包裹至少2層；

c)將步驟b)包裹好的圓柱體放入真空袋中抽真空，然后冷等靜壓，經(jīng)卸壓得到冷等靜壓后的光學(xué)陶瓷素胚。

本發(fā)明主要提供了一種新的冷等靜壓的方法，用該方法可以制備出邊緣受損較少的陶瓷胚體，進(jìn)而制備出具有高透過率的陶瓷片。

本發(fā)明實(shí)施例首先制備干壓成型后的光學(xué)陶瓷圓柱體狀素胚，所述光學(xué)陶瓷圓柱體狀素胚可以為摻稀土釔鋁石榴石素胚，如摻Y(jié)b、Er、Nd、Ce的釔鋁石榴石素胚，也可以為GaF₂素胚或Lu₂O₃素胚等光學(xué)陶瓷素胚。在本發(fā)明的一些實(shí)施例中，所述光學(xué)陶瓷圓柱體狀素胚為摻釹釔鋁石榴石素胚或摻餌釔鋁石榴石素胚；稀土摻量一般是0.5wt％～5wt％。

在本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例中，所述干壓成型后的若干光學(xué)陶瓷圓柱體狀素胚按照以下方法獲得：將前驅(qū)體粉末依次經(jīng)過球磨、過篩和煅燒，然后干壓成型，得到若干光學(xué)陶瓷圓柱體狀素胚。

其中，所述球磨、過篩和煅燒等都是本領(lǐng)域技術(shù)人員所熟知的技術(shù)手段，本發(fā)明沒有特殊限制。所述干壓成型的壓力優(yōu)選為20MPa～50MPa；時(shí)間優(yōu)選為3分鐘～5分鐘。

本發(fā)明一些實(shí)施例制備摻釹釔鋁石榴石干壓成型素胚的方法具體步驟如下：將相應(yīng)量的Y₂O₃、Al₂O₃、Nd₂O₃混合后，添加一定量的teos作為添加劑，酒精作為球磨劑；以對應(yīng)量的高純氧化鋁球作為球磨球，在240rpm～250rpm的轉(zhuǎn)速下球磨960min～980min。球磨后，可在80℃中干燥24h，再用200目的篩網(wǎng)對球和粉進(jìn)行分離和對粉的過篩。把過篩后的粉末放入馬弗爐中在800℃～1000℃下煅燒3h～5h。將煅燒后的粉末優(yōu)選在壓縮機(jī)中20MPa下保壓3分鐘，可干壓成型成16mm×16mm的摻釹釔鋁石榴石素胚。

得到干壓成型后的若干光學(xué)陶瓷小圓柱體狀素胚后，本發(fā)明實(shí)施例將它們一個(gè)接一個(gè)堆疊成一個(gè)大的圓柱體，并且每兩個(gè)圓柱體狀素胚之間用圓形稱量紙隔開。

如圖1所示，圖1為本發(fā)明實(shí)施例干壓成型素胚堆疊的示意圖。本發(fā)明實(shí)施可將干壓成型后的16mm×16mm的小圓柱體素胚一個(gè)接一個(gè)堆疊成一個(gè)大圓柱體，并且每兩個(gè)片用一小張16mm×16mm的圓形柔軟的稱量紙片隔開，堆疊的素胚形成一個(gè)整體使中間部分的素胚邊緣位置得到很好的保護(hù)。

在本發(fā)明的實(shí)施例中，所述若干光學(xué)陶瓷圓柱體狀素胚的個(gè)數(shù)可為10～20個(gè)。根據(jù)模具尺寸不同，每個(gè)圓柱體狀素胚的高度可為10mm～30mm，如素胚尺寸為16mm×16mm或10mm×10mm。在本發(fā)明中，所述圓形稱量紙不容易使陶瓷粘上雜質(zhì)，采用本領(lǐng)域常用的稱量紙片即可。所述圓形稱量紙的直徑優(yōu)選大于等于圓柱體的直徑，但過大會導(dǎo)致后續(xù)包裹不嚴(yán)密。

本發(fā)明實(shí)施例將上述堆疊成的圓柱體用保鮮膜包裹至少2層、優(yōu)選包裹3～4層。其中，所述保鮮膜軟弱、干凈，能包裹嚴(yán)密，采用本領(lǐng)域技術(shù)人員熟知的膜制品即可。

在本發(fā)明的一些實(shí)施例中，用柔軟、干凈的保鮮膜將堆疊后的摻釹釔鋁石榴石激光陶瓷素胚緊密的包住，包裹時(shí)盡量的把袋子中的空氣排出，重復(fù)3～4次。在本發(fā)明中，柔軟的保鮮膜不僅可以使堆疊的素胚形成一個(gè)整體，而且在冷等靜壓中也可以作為緩沖帶，避免真空袋對素胚產(chǎn)生破壞。

本發(fā)明實(shí)施例包裹好的素胚圓柱體放入真空袋中抽真空，再將抽完真空后的袋子放入冷等靜壓機(jī)中進(jìn)行冷等靜壓，經(jīng)卸壓，得到冷等靜壓后的光學(xué)陶瓷素胚。

在本發(fā)明中，所述放入真空袋中抽真空為本領(lǐng)域技術(shù)人員所熟知的技術(shù)手段。所述冷等靜壓的壓力優(yōu)選為200MPa～250MPa；時(shí)間優(yōu)選為3分鐘～5分鐘。抽真空結(jié)束后，本發(fā)明采用冷等靜壓機(jī)，優(yōu)選在200MPa的壓力下冷等靜壓3分鐘。卸壓時(shí)，本發(fā)明實(shí)施例可讓冷等靜壓機(jī)中的壓力按照一定的速率緩慢下降；卸壓的速率優(yōu)選為20MPa/min～30MPa/min。

卸壓后，本發(fā)明實(shí)施例取出真空袋中的素胚，即獲得高致密度的光學(xué)陶瓷素胚如Nd:YAG激光陶瓷素胚。圖2為現(xiàn)有技術(shù)與本發(fā)明實(shí)施例冷等靜壓后素胚的受損分析圖，本發(fā)明實(shí)施例中素胚圓柱體放入真空袋的方式可參見圖2。從圖2可以看出，現(xiàn)有技術(shù)容易對圓柱形胚體的棱角產(chǎn)生破壞，胚體存在棱角易損區(qū)；而本申請實(shí)施例采用柔軟保鮮膜包裹堆疊后的素胚，不僅可以使堆疊的素胚形成一個(gè)整體，而且在冷等靜壓中也可以起到緩沖帶的作用，避免真空袋破壞素胚，從而使制備出的陶瓷胚體邊緣受損較少，性能好。

本發(fā)明還提供了一種光學(xué)陶瓷的制備方法，包括以下步驟：

a)將干壓成型后的若干光學(xué)陶瓷圓柱體狀素胚堆疊成一個(gè)圓柱體，并且每兩個(gè)圓柱體狀素胚之間用圓形稱量紙隔開；

b)將步驟a)堆疊成的圓柱體用保鮮膜包裹至少2層；

c)將步驟b)包裹好的圓柱體放入真空袋中抽真空，然后冷等靜壓，經(jīng)卸壓得到冷等靜壓后的光學(xué)陶瓷素胚；

d)將步驟c)冷等靜壓后的光學(xué)陶瓷素胚依次進(jìn)行煅燒、真空燒結(jié)、退火和拋光，得到光學(xué)陶瓷。

本發(fā)明獲得冷等靜壓后的光學(xué)陶瓷素胚的制備步驟的具體內(nèi)容如前所述，在此不再贅述。

泄壓取樣，得到冷等靜壓后的光學(xué)陶瓷素胚后，本發(fā)明實(shí)施例將其放入馬弗爐中進(jìn)行煅燒。所述煅燒的溫度優(yōu)選為800～900℃；優(yōu)選煅燒3h～4h。然后，本發(fā)明實(shí)施例將素胚放入真空鎢絲爐中，進(jìn)行真空燒結(jié)，待鎢絲爐冷卻到室溫，可獲得陶瓷。

在本發(fā)明的一些優(yōu)選實(shí)施例中，所述真空燒結(jié)具體為：以5～10℃/min的速率升到1000℃，再以1～2℃/min的速率升到1700℃～1800℃。保溫10小時(shí)～12小時(shí)，然后以5～10℃/min的速率降溫到1000℃，得到陶瓷。

本發(fā)明實(shí)施例對真空燒結(jié)所得陶瓷進(jìn)行退火和拋光，得到光學(xué)陶瓷成品。其中，所述退火和拋光均為本領(lǐng)域技術(shù)人員所熟知的技術(shù)內(nèi)容，本發(fā)明沒有特殊限制。最后，本發(fā)明實(shí)施例可獲得Nd³⁺摻雜的YAG激光陶瓷、Er³⁺摻雜的YAG激光陶瓷等光學(xué)陶瓷。

采用本領(lǐng)域常規(guī)的陶瓷透過率等測試方法，對拋光后陶瓷片進(jìn)行性能測試。實(shí)驗(yàn)證明，本發(fā)明實(shí)施例采用新型的冷等靜壓技術(shù)燒結(jié)出的Nd:YAG激光陶瓷邊緣缺陷大大的減少，拋光后透過率可達(dá)81％，陶瓷片透過率高，利于應(yīng)用。

為了進(jìn)一步理解本申請，下面結(jié)合實(shí)施例對本申請?zhí)峁┑倪m用于光學(xué)陶瓷的冷等靜壓方法和光學(xué)陶瓷的制備方法進(jìn)行具體地描述。

實(shí)施例1

本發(fā)明制備摻釹釔鋁石榴石陶瓷的方法步驟如下：

(1)按照摩爾比Y：Al＝3:5、Nd:Y＝1:99，精確的稱量相應(yīng)量的Y₂O₃、Al₂O₃、Nd₂O₃放進(jìn)球磨罐中，添加一定量的teos作為添加劑，酒精作為球磨劑。加入對應(yīng)量的高純氧化鋁球作為球磨球，放入球磨機(jī)中在240rpm的轉(zhuǎn)速下，球磨960min。其中，teos按照總粉體質(zhì)量的0.5％稱取，氧化鋁球則按粉：酒精：球體積比為1：4：4進(jìn)行添加。

(2)將球磨后的球磨罐放入干燥箱中在80℃中干燥24h，再用200目的篩網(wǎng)對球和粉進(jìn)行分離和對粉的過篩。

(3)把過篩后的粉末放入馬弗爐中在800℃下煅燒3h。

(4)將煅燒后的粉末在壓縮機(jī)中于20MPa下保壓3分鐘，干壓成型成16mm×16mm的摻釹釔鋁石榴石素胚。

(5)將干壓成型后的16mm×16mm的小圓柱體素胚(共10個(gè))一個(gè)接一個(gè)堆疊成一個(gè)大圓柱體，并且每兩個(gè)片用一小張16mm×16mm的圓形柔軟的稱量紙片隔開。

(6)用柔軟、干凈的保鮮膜(網(wǎng)購的食品用常規(guī)保鮮膜)將堆疊后的摻釹釔鋁石榴石激光陶瓷素胚緊密的包住，包裹時(shí)盡量的把袋子中的空氣排出，重復(fù)4次。

(7)將包裹好的素胚放入真空袋中抽真空后，放入冷等靜壓機(jī)中在200MPa中冷等靜壓3分鐘，卸壓取樣。

(8)將冷等靜壓后所得素胚放入馬弗爐中在800℃下煅燒3h。

(9)將煅燒后的素胚放入真空鎢絲爐中，以10℃/min的速率升到1000℃，再以1.5℃/min的速率升到1750℃，保溫10小時(shí)，然后以10℃/min的速率降溫到1000℃，待鎢絲爐冷卻到室溫后獲得陶瓷。

(10)對陶瓷進(jìn)行退火、拋光，獲得Nd³⁺摻雜的YAG激光陶瓷(Nd:YAG，稀土摻量為1wt％)。

所得陶瓷成品如圖3所示，圖3為本發(fā)明實(shí)施例1所得激光陶瓷的實(shí)物照片。經(jīng)測試，所得陶瓷片的透過率為81％；根據(jù)實(shí)物下面字的清晰度可見，所得陶瓷透過率高。

比較例1

(1)按照實(shí)施例1中的方法，精確的稱量相應(yīng)量的Y₂O₃、Al₂O₃、Nd₂O₃放進(jìn)球磨罐中，添加一定量的teos作為添加劑，酒精作為球磨劑。加入對應(yīng)量的高純氧化鋁球作為球磨球，放入球磨機(jī)中在240rpm的轉(zhuǎn)速下，球磨960min。

(2)將球磨后的球磨罐放入干燥箱中在80℃中干燥24h，再用200目的篩網(wǎng)對球和粉進(jìn)行分離和對粉的過篩。

(3)把過篩后的粉末放入馬弗爐中在800℃下煅燒3h。

(4)將煅燒后的粉末在壓縮機(jī)中20MPa下保壓3分鐘，干壓成型成16mm×16mm的摻釹釔鋁石榴石素胚。

(5)將素胚一個(gè)一個(gè)放入真空袋中抽真空后，放入冷等靜壓機(jī)中在200MPa中冷等靜壓3分鐘，卸壓取樣。

(6)將冷等靜壓后所得素胚放入馬弗爐中在800℃下煅燒3h。

(7)將煅燒后的素胚放入真空鎢絲爐中，以10℃/min的速率升到1000℃，再以1.5℃/min的速率升到1750℃。保溫10小時(shí)，然后以10℃/min的速率降溫到1000℃，待鎢絲爐冷卻到室溫后獲得陶瓷。

(8)對陶瓷進(jìn)行退火、拋光，獲得Nd³⁺摻雜的YAG激光陶瓷。

所得陶瓷成品如圖4所示，圖4為本發(fā)明比較例1所得激光陶瓷的實(shí)物照片。經(jīng)測試，所得陶瓷片的透過率為72％。

實(shí)施例2

本發(fā)明制備摻餌釔鋁石榴石陶瓷的方法步驟如下：

(1)按照摩爾比Y：Al＝3:5、Er:Y＝1:99，精確的稱量相應(yīng)量的Y₂O₃、Al₂O₃、Er₂O₃放進(jìn)球磨罐中，添加一定量的teos作為添加劑，酒精作為球磨劑。加入對應(yīng)量的高純氧化鋁球作為球磨球，放入球磨機(jī)中在240rpm的轉(zhuǎn)速下，球磨960min。其中，teos按照總粉體質(zhì)量的0.5％稱取，氧化鋁球則按粉：酒精：球體積比為1：4：4進(jìn)行添加。

(2)將球磨后的球磨罐放入干燥箱中在80℃中干燥24h，再用200目的篩網(wǎng)對球和粉進(jìn)行分離和對粉的過篩。

(3)把過篩后的粉末放入馬弗爐中在800℃下煅燒3h。

(4)將煅燒后的粉末在壓縮機(jī)中20MPa下保壓3分鐘，干壓成型成10mm×10mm的摻鉺釔鋁石榴石素胚。

(5)將干壓成型后的10mm×10mm的小圓柱體素胚(共10個(gè))一個(gè)接一個(gè)堆疊成一個(gè)大圓柱體，并且每兩個(gè)片用一小張10mm×10mm的圓形柔軟的稱量紙片隔開。

(6)用柔軟、干凈的保鮮膜(網(wǎng)購的食品用常規(guī)保險(xiǎn)膜)將堆疊后的摻鉺釔鋁石榴石激光陶瓷素胚緊密的包住，包裹時(shí)盡量的把袋子中的空氣排出，重復(fù)3次。

(7)將包裹好的素胚放入真空袋中抽真空后，放入冷等靜壓機(jī)中在200MPa中冷等靜壓3分鐘，卸壓取樣。

(8)將冷等靜壓后所得素胚放入馬弗爐中在800℃下煅燒3h。

(9)將煅燒后的素胚放入真空鎢絲爐中，以10℃/min的速率升到1000℃，再以1.5℃/min的速率升到1750℃，保溫4小時(shí)，然后以10℃/min的速率降溫到1000℃，待鎢絲爐冷卻到室溫后獲得陶瓷。

(10)對陶瓷進(jìn)行拋光退火，獲得Er³⁺摻雜的YAG激光陶瓷(Er：YAG，稀土摻量為1wt％)。

所得陶瓷成品如圖5所示，圖5為本發(fā)明實(shí)施例2所得激光陶瓷的實(shí)物照片。經(jīng)測試，所得陶瓷片的透過率為41％。

比較例2

(1)按照實(shí)施例2中的方法，精確的稱量相應(yīng)量的Y₂O₃、Al₂O₃、Er₂O₃放進(jìn)球磨罐中，添加一定量的teos作為添加劑，酒精作為球磨劑，加入對應(yīng)量的高純氧化鋁球作為球磨球，放入球磨機(jī)中在240rpm的轉(zhuǎn)速下，球磨960min。

(2)將球磨后的球磨罐放入干燥箱中在80℃中干燥24h，再用200目的篩網(wǎng)對球和粉進(jìn)行分離和對粉的過篩。

(3)把過篩后的粉末放入馬弗爐中在800℃下煅燒3h。

(4)將煅燒后的粉末在壓縮機(jī)中20MPa下保壓3分鐘，干壓成型成10mm×10mm的摻鉺釔鋁石榴石素胚。

(5)將素胚一個(gè)一個(gè)放入真空袋中抽真空后，放入冷等靜壓機(jī)中在200MPa中冷等靜壓3分鐘，卸壓取樣。

(6)將冷等靜壓后所得素胚放入馬弗爐中在800℃下煅燒3h。

(7)將煅燒后的素胚放入真空鎢絲爐中，以10℃/min的速率升到1000℃，再以1.5℃/min的速率升到1750℃。保溫10小時(shí)，然后以10℃/min的速率降溫到1000℃，待鎢絲爐冷卻到室溫后獲得陶瓷。

(8)對陶瓷進(jìn)行退火、拋光，獲得Er³⁺摻雜的YAG激光陶瓷。

所得陶瓷成品如圖6所示，圖6為本發(fā)明比較例2所得激光陶瓷的實(shí)物照片。經(jīng)測試，所得陶瓷片的透過率為38％。

由以上實(shí)施例可知，本發(fā)明實(shí)施例采用新型的冷等靜壓技術(shù)燒結(jié)出的Nd：YAG激光陶瓷邊緣缺陷大大的減少，拋光后透過率可達(dá)81％。采用本發(fā)明新的冷等靜壓的方法，可以制備出邊緣受損較少的陶瓷胚體，進(jìn)而制備得到的陶瓷片具有較高的透過率，利于應(yīng)用。此外，本發(fā)明方法操作簡單易行，適用性廣，適于推廣應(yīng)用。

以上所述僅是本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施方式，應(yīng)當(dāng)指出，對于使本技術(shù)領(lǐng)域的專業(yè)技術(shù)人員，在不脫離本發(fā)明技術(shù)原理的前提下，是能夠?qū)崿F(xiàn)對這些實(shí)施例的多種修改的，而這些修改也應(yīng)視為本發(fā)明應(yīng)該保護(hù)的范圍。